 |
CGD与工研院合作开发氮化??电源 (2024.05.31)
无晶圆厂洁净技术半导体公司Cambridge GaN Devices（CGD）与工业技术研究院（ITRI）签署合作备忘录，以巩固双方在开发高性能氮化??USB-PD适配器的合作夥伴关系。
CGD致力於开发多种节能的氮化??（GaN）器件，以实现更环保的电子元件 |
|
Transphorm发布首款1200伏GaN-on-Sapphire器件的模拟模型 (2023.06.19)
全球高可靠性、高性能氮化??（GaN）电源转换产品供应商Transphorm推出新款1200伏功率管模拟模型及初始规格书。TP120H070WS功率管是迄今业界可见推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半导体 |
|
英飞凌CoolSiC功率模组 推动节能电气化列车迈向低碳化 (2023.06.05)
为了实现全球气候目标，交通运输必须转用更加环保的车辆，比如节能的电气化列车。然而，列车运行有严苛的运行条件，需要频繁加速和制动，且要在相当长的使用寿命内可靠运行 |
|
NIO选用安森美VE-Trac Direct SiC主驱功率模组 达到最高能效 (2022.05.13)
安森美（onsemi），今日宣布全球汽车创新企业蔚来（NIO Inc.）为其下一代电动车（EV）选用安森美的最新VE-TracTM Direct SiC功率模组。
这以碳化矽（SiC）为基础的功率模组使电动车的续航里程更远、能效更高，加速度也更快 |
|
安森美推出TOLL封装SiC MOSFET小尺寸封装高性能低损耗 (2022.05.11)
安森美（onsemi）， 在PCIM Europe展会发布全球首款To-Leadless（TOLL）封装的碳化矽（SiC）MOSFET。该电晶体满足了对适合高功率密度设计的高性能开关元件迅速增长的需求。直到最近，SiC元件一直采用明显需要更大空间的D2PAK 7接脚封装 |
|
安森美将於2022 PCIM Europe展示高能效电源方案 (2022.04.28)
安森美（onsemi），将在2022年5月10日至12日於德国纽伦堡举行的PCIM Europe推出一系列全新的电源方案。
安森美於PCIM Europe的展示摊位将有不同最新技术的现场展示，展示这些技术如何赋能开发领先市场的电动车、能量储存、智能电源等解决方案 |
 |
马达变频器内的关键元件: 功率半导体 (2021.04.20)
全球工业产业消耗的能源量预期到 2040 年将成长一倍。随着对能源成本和资源有限的意识不断提高，未来提升驱动马达用电效率的需求将会越来越显著。 |
|
TRENCHSTOP IGBT7：工业驱动器的理想选择 (2020.09.30)
变速驱动器（VSD）相较于以机械节流进行的定速运作，能够节省大量电力。 IGBT7适合需要高效率和功率密度的变速驱动器使用。 |
|
英飞凌推出硫化氢防护功能产品 助力延长IGBT模组寿命 (2020.07.09)
强固性及可靠性决定了模组在严峻应用环境中的使用寿命。尤其是暴露於硫化氢(H2S)的环境，对於电子元件的使用寿命更有严重的影响。为解决此项威胁，英飞凌科技开发了一项全新的防护功能，推出搭载TRENCHSTOP IGBT4晶片组的EconoPACK+模组，是Econo系列第一款为变频器应用提供此防护等级的产品 |
|
英飞凌助力开发光伏发电1500VDC串接型逆变器 (2020.04.07)
阳光电源公司(Sungrow)推出高达250kW 装机容量的SG250HX系列串接式光伏逆变器，该产品先前已於2019年欧洲国际太阳能技术博览会（Intersolar Europe）上亮相。该逆变器采用英飞凌科技的定制化EasyPACK 3B功率模组并搭载最新的TRENCHSTOP和CoolSiC晶片技术 |
|
英飞凌 Easy 系列推出新封装 提供目前最丰富的12 mm无基板功率模组产品组合 (2019.05.07)
英飞凌科技 旗下 Easy 产品系列新增 Easy 3B 新封装，加上既有的 Easy 1B 与 2B 封装，在高12mm无基板的功率模组中成为最丰富的产品组合。Easy 3B 是延伸现有逆变器设计的理想平台，可以输出更高的功率且其在机构方面不需过多的改变 |
|
安森美半导体将於欧洲PCIM 2019推出新款IGBT产品 (2019.04.30)
安森美半导体（ON Semiconductor）将於5月7日开始的德国纽伦堡欧洲PCIM 2019展会推出新的基於碳化矽（SiC）的混合IGBT和相关的隔离型大电流IGBT门极驱动器。
AFGHL50T65SQDC采用最新的场截止IGBT和SiC萧特基二极体（Schottky Diode）技术 |
|
EiceDRIVER 搭配 CoolMOS CFD2 可实现优异冷藏效率 (2018.10.25)
本文说明闸极驱动器电路有效设计的基本考量，以及结合运用 EiceDRIVER IC 及 CoolMOS CFD2 所带来的效益。 |
|
Littelfuse SiC萧特基二极体降低能源成本和空间要求 (2018.06.30)
Littelfuse新推出五款GEN2系列1200 V 3L TO-247萧特基二极体和三款GEN2系列1200 V 2L TO-263萧特基二极体，扩充其碳化矽电源半导体产品组合。
相比矽二极体，GEN2碳化矽萧特基二极体可显着降低开关损耗，并大幅提高电力电子系统的效率和可靠性 |
|
EPC公司於PCIM Asia 2018 探讨无线电源及雷射雷达技术 (2018.06.25)
宜普电源转换公司（EPC）於中国上海与功率管理工程师会面，并讨论关於针对大於30 W功率高度谐振无线功率接收器、内建同步整流FET的E类整流器；及采用eGaN FET、120 A、少於10纳秒脉冲及占板面积小於3平方厘米的千瓦级雷射驱动器 |
|
英飞凌推出车用CoolSiC肖特基二极体 结合效能与耐用性 (2018.06.19)
英飞凌科技股份有限公司首款车用碳化矽系列CoolSiC肖特基二极体系列於日前PCIM展会上亮相，该款肖特基二极体已准备就绪，可用於目前和未来油电混合车和电动车中的车载充电器 (OBC) 应用 |
|
美高森美推出专门用於SiC MOSFET的极低电感SP6LI封装 (2018.05.30)
美高森美公司(Microsemi Corporation) 发布专门用於高电流、低导通阻抗(RDSon) 碳化矽 (SiC) MOSFET功率模组的极低电感封装。
这款全新封装专为用於其SP6LI 产品系列而开发，提供适用於SiC MOSFET技术的2.9 nH杂散电感，同时实现高电流、高开关频率以及高效率 |
|
美高森美下一代1200 V SiC MOSFET样品和700 V SBD (2018.05.29)
美高森美公司 (Microsemi Corporation) 宣布在下季初扩大其碳化矽(SiC) MOSFET和SiC二极体产品组合，包括提供下一代1200 V、25 mOhm和80 mOhm SiC MOSFET器件的样品，及下一代700 V、50 A 萧特基势垒二极体(SBD)和相应的裸晶片 |
|
英飞凌全SiC模组开始量产 (2017.09.01)
更高效率、功率密度、更精巧的尺寸和更低的系统成本：这些都是碳化矽 (SiC) 电晶体的主要优点。英飞凌科技(Infineon) 於去年PCIM展会发表的全SiC模组EASY 1B产品进入量产。在今年德国纽伦堡PCIM展会上，英飞凌展示了其他1200 V CoolSiC MOSFET系列的模组平台和拓朴，将碳化矽技术的潜力发挥到全新境界 |
|
英飞凌分离式IGBT推出TRENCHSTOP先进绝缘封装版本 (2017.05.18)
英飞凌分离式IGBT推出TRENCHSTOP先进绝缘封装版本
【德国慕尼黑讯】英飞凌科技(Infineon)推出最新的TRENCHSTOP先进绝缘封装技术，包括 TRENCHSTOP 和 TRENCHSTOP Highspeed 3 IGBT 两种版本，拥有同级最佳的散热效能以及更简易的制程 |
