美高森美公司 (Microsemi Corporation) 宣布在下季初扩大其碳化矽(SiC) MOSFET和SiC二极体产品组合，包括提供下一代1200 V、25 mOhm和80 mOhm SiC MOSFET器件的样品，及下一代700 V、50 A 萧特基势垒二极体(SBD)和相应的裸晶片。

美高森美将叁展六月五日至七日在德国纽伦堡展览中心举行的PCIM欧洲电力电子展，在6号展厅318展位展示这些SiC解决方案以及SiC SBD/MOSFET产品系列中的其他最新器件。

美高森美继续扩大其SiC产品系列的开发工作，已经成为向市场提供一系列Si和SiC的离散式和功率模组解决方案的少数供应商之一。

这些新一代SiC MOSFET器件非常适合工业 和汽车市场中的多种应用，包括混合动力车(HEV)/电动车(EV)充电、??电/感应式车载充电器(OBC)、DC-DC转换器和电动车动力系统/牵引控制。它们也可用於医疗、航太、国防和 资料中心应用中的开关模式电源、光伏(PV)逆变器和马达控制。

美高森美??总裁兼功率离散式器件和模组业务部门经理Leon Gross表示：「对於电动车充电、DC-DC转换器、动力系统、医疗和工业设备以及航空驱动等应用，若要SiC解决方案快速获得采用，这些系统中使用的元器件必须具有较高效率、安全性和可靠性水准。美高森美的下一代SiC MOSFET和SiC二极体系列将会通过AEC-Q101资质认证以确保高可靠性水准，而且其高重复性无箝制感应开关(UIS)能力在额定电流下不会出现退化或失效，可见其稳健性。」

市场研究机构Technavio指出，用於全球半导体应用的SiC市场预计在二○二一年前达到大约5.405亿美元，年复合增长率(CAGR)超过百分之十八。该公司还预测二○二一年前全球汽车半导体应用SiC器件市场的年复合增长率将达到百分之二十左右。美高森美在这些发展趋势中处於有利地位，其SiC MOSFET和萧特基势垒二极体器件具有高短路耐受能力的额定雪崩性能，能够实现稳健工作，并具有充足功能来满足这些不断增长的应用趋势。

与竞争Si/SiC二极体/MOSFET和IGBT解决方案相比，美高森美下一代1200 V、25/40/80 mOhm SiC MOSFET器件和裸晶片，以及下一代1200 V和700 V SiC SBD器件均具有对客户极具吸引力的巨大优势，包括可在更高的开关频率下实现更高效的开关运作，以及更高的雪崩/UIS额定值和更高的短路耐受额定值，从而实现稳健可靠的运作。例如，SiC MOSFET器件的开发重点是平衡特定导通电阻、低栅极电阻和热阻，以及低栅极??值电压和电容，从而实现可靠的工作。这些器件针对高良率制程和低温度范围叁数变化而设计，在高接面温度(175。C)下以更高的效率(相比Si和IGBT解决方案)工作，能够扩展HEV/EV及其他应用中的电池系统。

这些新器件样品正在进行AEC-Q101认证，并已通过了其中的高温反向偏压(HTRB)和时间依赖性介质击穿(TBBD)测试，证明可提供出色的栅极完整性和高栅极良率。

其他主要特性包括：比竞争SiC MOSFET和GaN器件高出1.5倍至2倍的出色UIS能力，实现雪崩稳健性；比竞争SiC MOSFET器件高出1.5倍至5倍的高短路额定性能，实现更稳健的工作；针对中子敏感应，在额定电压下的失效时间(FIT)较同类Si IGBT器件降低十倍；性能与中子辐照有关的SiC竞争产品相当；以及与Si器件相比，SiC器件具有更高的功率密度，充许尺寸更小的磁性元件/变压器/直流母线电容器和更少的散热元件，从而实现更紧凑的外形尺寸，降低整体系统成本。