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Littelfuse超级结X4-Class 200V功率MOSFET具有低通态电阻 (2024.11.26)
工业技术制造公司Littelfuse推出IXTN400N20X4和IXTN500N20X4超级结X4-Class功率MOSFET。这些新元件在目前200V X4-Class超级接面MOSFET的基础上进行扩展，有些具有最低导通电阻。由於这些MOSFET具有高电流额定值，设计人员能够采用它们来取代多个并联的低额定电流元件，进而简化设计流程，提高应用的可靠性和功率密度 |
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安森美与伍尔特电子携手 升级高精度电力电子应用虚拟设计 (2024.11.17)
安森美 （onsemi） 和伍尔特电子（Wurth Elektronik）宣布，伍尔特电子的无源元件资料库已整合到安森美独特的PLECS模型自助生成工具 （SSPMG） 中。 SSPMG 是基於 Web 的平台，介面直观、简单易用，协助工程师针对复杂的电力电子应用定制高精度、高拟真 PLECS 模型，以尽早发现和修复设计过程中的性能瓶颈 |
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贸泽与ADI合作全新电子书探索电子设计电源效率与耐用性 (2024.11.13)
贸泽电子（Mouser Electronics）与美商亚德诺（ADI）合作出版全新的电子书，重点介绍最隹化电源系统的基本策略。在《Powering the Future: Advanced Power Solutions for Efficiency and Robustness》（为未来提供动力：实现效率和耐用性的进阶电源解决方案）中，ADI和贸泽的主题专家针对电源系统中最重要的元件、架构和应用提供深入分析 |
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三菱电机将交付用於xEV的SiC-MOSFET裸晶片样品 (2024.11.12)
三菱电机株式会社（Mitsubishi Electric）宣布，将开始发货用於驱动马达的碳化矽 （SiC) 金属氧化物半导体场效电晶体（MOSFET）裸晶片样品11月14日，三菱电机推出电动车（EV）、??电式混合动力车（PHEV）和其他电动车（xEV）的逆变器 |
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意法半导体整合化高压功率级评估板 让马达驱动器更小且性能更强 (2024.11.11)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）推出三相马达驱动器PWD5T60，搭配支援灵活控制策略的即用型评估板，可加速采用节能马达之小尺寸以及可靠的风扇和帮浦开发速度。PWD5T60的运作电压达500V，整合一个闸极驱动器和六个RDS(ON) 1.38?的功率MOSFET，使该元件能够达到出色的额定能量面积比例 |
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SiC MOSFET：意法半导体克服产业挑战的颠覆性技术 (2024.11.11)
意法半导体中国及APeC车用SiC产品部门经理Gaetano Pignataro分享了他对碳化矽（SiC）市场的观点、行业面临的挑战以及ST应对不断增长需求的策略。 |
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英飞凌推出EiceDRIVER 125 V高侧闸极驱动器 故障即时保护电池 (2024.11.07)
在电机驱动和开关模式电源（SMPS）等电池供电应用中，电源架构通常要求在模组发生故障时能够断开该模组与主电源轨的连接。为实现这一功能，往往会采用MOSFET等高侧断开开关，以防止负载短路影响电池 |
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ROHM叁展2024慕尼黑电子展以E-Mobility、车用和工控为展示主轴 (2024.11.06)
现今电子系统的需求日益成长，尤其是在永续经营和急需创新的市场方面，先进技术将成为助力。半导体制造商ROHM将於11月12日至15日叁加在德国慕尼黑举办的2024慕尼黑电子展（electronica 2024），展示提高车用和工控中功率密度、效率和可靠性的先进功率和类比技术，并进行技术交流合作 |
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ROHM的EcoSiC导入COSEL的3.5Kw输出AC-DC电源产品 (2024.10.30)
半导体制造商ROHM生产的EcoSiC产品SiC MOSFET和SiC萧特基二极体（SBD），被日本先进电源制造商COSEL生产的三相电源用3.5kW输出AC-DC电源单元「HFA／HCA系列」采用。强制风冷型HFA系列和传导散热型HCA系列均搭载ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD，实现最大的工作效率（94%） |
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贸泽电子推新品：2024年Q3新增近7,000项元件 (2024.10.29)
贸泽电子（Mouser Electronics）协助客户加快产品上市速度。贸泽受到超过1,200个半导体及电子元件制造商品牌的信赖，帮助他们将新产品卖到全世界。贸泽为客户提供100%通过认证的原厂产品，而且还能追踪这些产品自离开制造商工厂以後的完整路线 |
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Nexperia的AC/DC反激式控制器可实现更高功率密度 (2024.10.29)
控制器可提高电源效率并降低待机功耗
Nexperia推出一系列新AC/DC反激式控制器，扩展电源IC产品组合。NEX806/8xx和NEX8180x专为基於GaN的反激式转换器而设计，用於PD(Power Delivery)快速充电器、适配器、壁式??座、条形??座、工业电源和辅助电源等设备及其他需要高功率密度的AC/DC转换应用 |
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英飞凌CoolSiC萧特基二极体2000 V直流母线电压最高可达1500 VDC (2024.10.28)
许多工业应用如今可以透过提高直流母线电压以求功率损耗最低时，也朝向更高的功率水准。因应此需求，英飞凌科技（Infineon）推出CoolSiC萧特基二极体2000 V G5，这是市面上首款击穿电压达到2000 V的分立式SiC二极体，适用於直流母线电压高达1500 VDC的应用，额定电流为10 A 至80 A，符合光伏、电动汽车充电等高直流母线电压应用 |
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意法半导体新款750W马达驱动叁考板适用於家用和工业设备 (2024.10.27)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）新款EVLDRIVE101-HPD（高功率密度）马达驱动叁考设计在直径仅5公分的圆形PCB电路板上整合三相闸极驱动器、STM32G0微控制器和750W功率级。该电路板的休眠模式下功耗极低 |
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瑞萨与英特尔合作为新款Intel Core Ultra 200V系列处理器提供最隹化电源管理 (2024.10.24)
瑞萨电子（Renesas Electronics）宣布与英特尔合作推出新的电源管理解决方案，为采用Intel Core Ultra 200V系列处理器的笔记型电脑提供最隹化电池效率。
新款客制化电源管理IC（PMIC）可满足最新一代英特尔处理器的所有电源管理需求 |
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Vishay IGBT和MOSFET驱动器拉伸封装可实现紧凑设计、快速开关 (2024.10.24)
Vishay Intertechnology推出两款采用紧凑、高隔离延伸型SO-6封装的新型IGBT和MOSFET驱动器。 Vishay Semiconductors VOFD341A和VOFD343A分别提供3 A和4 A的高峰值输出电流，提供高达 +125 。C的高工作温度和最大200 ns的低传播延迟 |
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Littelfuse推出首款用於SiC MOSFET栅极保护的非对称瞬态抑制二极体系列 (2024.10.22)
工业技术制造公司Littelfuse推出SMFA非对称系列表面贴装瞬态抑制二极体，为市场上首款非对称瞬态抑制解决方案，专为保护碳化矽（SiC）MOSFET栅极免受过压事件影响而设计 |
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Nexperia交流/直流反激式控制器IC可提高电源效率并降低待机功耗 (2024.10.17)
Nexperia推出一系列新的交流/直流反激式控制器，为扩展电源IC产品组合的最新成员。 NEX806/8xx和NEX8180x专为诸如供电（PD）充电器、适配器、墙壁??座、条形??座、工业电源和辅助电源以及其他需要高功率的AC/DC转换应用等设备中的以GaN为基础的反激式转换器而设计 |
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英飞凌HybridPACK Drive G2 Fusion结合矽和碳化矽至电动汽车先进电源模组 (2024.10.16)
英飞凌科技推出HybridPACK Drive G2 Fusion，为电动汽车领域的牵引逆变器确立新的电源模组标准。HybridPACK Drive G2 Fusion是首款结合英飞凌矽（Si）和碳化矽（SiC）技术，可随??即用的电源模组 |
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贸泽电子最新电子书探究马达控制设计的不同挑战 (2024.10.11)
在许多产品中，电动马达的作用至关重要，包括汽车、冰箱、园艺工具、电梯和空调等。贸泽电子（Mouser Electronics）出版最新的电子书，深入洞察马达控制设计的各种挑战 |
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意法半导体为电动车牵引变频器打造新一代碳化矽功率技术 (2024.10.08)
全球半导体领导厂商意法半导体（STMicroelectronics；ST）正式推出第四代STPOWER碳化矽（SiC）MOSFET技术。这项新技术不仅满足车用及工业市场的需求，还针对电动车（EV）动力系统中的关键元件牵引变频器进行专门优化，在功率效率、功率密度及稳定性上树立全新的标竿 |
