账号:
密码:
最新动态
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
英飞凌CoolSiC萧特基二极体2000 V直流母线电压最高可达1500 VDC
 

【CTIMES/SmartAuto 陳玨报导】   2024年10月28日 星期一

浏览人次:【753】

许多工业应用如今可以透过提高直流母线电压以求功率损耗最低时,也朝向更高的功率水准。因应此需求,英飞凌科技(Infineon)推出CoolSiC萧特基二极体2000 V G5,这是市面上首款击穿电压达到2000 V的分立式SiC二极体,适用於直流母线电压高达1500 VDC的应用,额定电流为10 A 至80 A,符合光伏、电动汽车充电等高直流母线电压应用。

采用TO247-4封装的 CoolSiC 萧特基二极体2000 V G5
采用TO247-4封装的 CoolSiC 萧特基二极体2000 V G5

新款产品系列采用 TO-247PLUS-4-HCC 封装,爬电距离为14 mm,间隙距离为5.4 mm,再加上高达80 A的额定电流,显着提升功率密度。它使开发人员能够在应用中实现更高的功率水准,而元件数量仅为1200 V SiC 解决方案的一半。得以简化整体设计,实现从多电平拓扑结构到2电平拓扑结构的平稳过渡。此外,CoolSiC萧特基二极体2000V G5采用.XT互连技术,大幅降低热阻和阻抗,实现更好的热管理。此外,HV-H3TRB可靠性测试也证明该二极体对湿度的耐受性。该二极体没有反向或正向恢复电流,且具有正向低电压的特点,确保优化系统性能。

2000 V二极体系列与英飞凌於2024年春季推出的TO-247Plus-4 HCC封装的CoolSiC MOSFET 2000 V完美适配。CoolSiC二极体2000 V产品组合将透过提供TO-247-2封装而得到扩展,该封装将於2024年 12月推出。此外,英飞凌还提供与CoolSiC MOSFET 2000 V匹配的闸极驱动器产品组合。采用TO-247PLUS-4 HCC封装的CoolSiC萧特基二极体2000 V G5系列及其评估板现已上市。

關鍵字: 萧特基二极管  Infineon 
相关产品
英飞凌新款高性能微控制器AURIX TC4Dx可提供高速连接
英飞凌首款20 Gbps通用USB周边控制器提供高速连接效力
英飞凌推出EiceDRIVER 125 V高侧闸极驱动器 故障即时保护电池
英飞凌针对汽车应用的识别和认证推出新型指纹感测晶片
英飞凌XENSIV PAS CO2 5V感测器提高建筑效能及改善空气品质
  相关新闻
» 史丹佛教育科技峰会聚焦AI时代的学习体验
» 土耳其推出首台自制量子电脑 迈入量子运算国家行列
» COP29聚焦早期预警系统 数位科技成关键
» MIPS:RISC-V架构具备开放性与灵活性 满足汽车ADAS运算高度需求
» 应材於新加坡举行节能运算高峰会 推广先进封装创新合作模式
  相关文章
» 掌握石墨回收与替代 化解电池断链危机
» SiC MOSFET:意法半导体克服产业挑战的颠覆性技术
» 超越MEMS迎接真正挑战 意法半导体的边缘AI永续发展策略
» 光通讯成长态势明确 讯号完整性一测定江山
» 分众显示与其控制技术

刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8BP6F9JVKSTACUKR
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw