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英飞凌於马来西亚兴建全球最大8寸SiC晶圆厂 2030年贡献70亿欧元 (2023.08.03)
英飞凌科技宣布，将大幅扩建马来西亚居林 (Kulim) 晶圆厂，继之前於 2022 年 2 月宣布的投资计划之外，将打造全球最大的8 寸碳化矽（SiC）功率晶圆厂。支持这项扩建计画的动能，包含了约 50亿欧元在汽车与工业应用的design-win案件，以及约10亿欧元的预付款 |
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英飞凌新一代1200V CoolSiC沟槽式MOSFET 推动电动出行的发展 (2023.07.05)
英飞凌推出采用TO263-7封装的新一代车规级1200 V CoolSiC MOSFET。这款新一代车规级碳化矽（SiC）MOSFET具有高功率密度和效率，能够实现双向充电功能，并显着降低了车载充电（OBC）和DC-DC应用的系统成本 |
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英飞凌携手台达 以宽能隙元件抢攻伺服器及电竞市场 (2022.07.08)
数位化、低碳等全球大趋势推升了采用宽能隙（WBG）元件碳化矽/氮化??（SiC/GaN）的需求。这类元件具备独特的技术特性，能够助力电源产品优化性能和能源效率。
英飞凌科技股份有限公司与台达电子工业股份有限公司两家全球电子大厂 |
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Diodes推出超小型CSP萧特基整流器 可节省电路板空间 (2022.05.04)
Diodes公司（Diodes）宣布推出一系列以超小型晶片级封装（CSP）的高电流萧特基（Schottky）整流器，SDM5U45EP3（5A、45V）、SDM4A40EP3（4A、40V）及SDT4U40EP3（4A、40V）达到业界同级最高电流密度，满足市场对於尺寸更小、更高功率的电子系统需求 |
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英飞凌推出650 V CoolSiC MOSFET 展现极高系统可靠性 (2022.04.01)
英飞凌科技股份有限公司推出650 V CoolSiC MOSFET系列新产品。该产品具有高可靠性、易用性和经济实用等特点，能够提供卓越的性能。
这些SiC元件采用英飞凌先进的SiC沟槽式工艺、精简的D2PAK表面贴装 7 引脚封装和 |
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高能效储能系统中多阶拓扑之优势 (2020.12.02)
开关元件的功耗降低可减少散热，较低的谐波内容仅需较少的滤波且 EMI 明显降低。 |
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英飞凌全新CoolSiC MOSFET 实现无需冷却风扇的伺服驱动方案 (2020.11.16)
英飞凌科技支援机器人与自动化产业实作免维护的马达变频器，今日宣布推出采用最隹化D2PAK-7 SMD封装、搭载.XT互连技术的全新1200V CoolSiC MOSFET，可实现被动冷却。相较於矽基解决方案，其损耗可降低达80%，因此不再需要冷却风扇与相关服务 |
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英飞凌推出62mm CoolSiC模组 开辟碳化矽全新应用 (2020.07.17)
英飞凌科技旗下1200V CoolSiC MOSFET模组系列新添62mm工业标准模组封装产品。62mm封装之产品采用半桥拓扑设计及沟槽式晶片技术，已受到业界的肯定。此封装为碳化矽打开了250kW以上（此为矽基IGBT技术在62mm封装的功率密度极限）中等功率应用的大门 |
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英飞凌推出新款1700V CoolSiC MOSFET 采用高压SMD封装 (2020.06.08)
继今年稍早推出的650V产品後，英飞凌科技扩充旗下CoolSiC MOSFET系列电压等级，现在更新添具专属沟槽式半导体技术的1700V电压等级产品。新款1700V表面黏着装置(SMD)产品充分发挥了碳化矽(SiC)强大的物理特性，提供优异的可靠性和低切换及导通损耗 |
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英飞凌推出CoolSiC MOSFET 650V系列 进一步降低切换损耗 (2020.02.25)
英飞凌科技持续扩展其全方位的碳化矽(SiC)产品组合，新增650V产品系列。英飞凌新发表的CoolSiC MOSFET能满足广泛应用对於能源效率、功率密度和耐用度不断提升的需求，包括：伺服器、电信和工业SMPS、太阳能系统、能源储存和化成电池、UPS、马达驱动以及电动车充电等 |
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英飞凌扩大量产并加速推出CoolSiC MOSFET分离式封装产品组合 (2019.05.17)
英飞凌科技1200 V CoolSiC MOSFET 产品组合进入大量生产阶段。这些产品的额定值从 30 m? 至 350 m? ，并采用 TO247-3 与 TO247-4 封装。另更延伸产品系列，即将推出的新产品包括表面黏着装置 (SMD) 产品组合及 650 V CoolSiC MOSFET 产品系列 |
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意法半导体650V高频IGBT利用最新高速切换技术提升应用性能 (2019.05.13)
意法半导体（STMicroelectronics）新推出之HB2 650V IGBT系列采用最新的第三代沟槽式场截止（Trench Field Stop，TFS）技术，可提升PFC转换器、电焊机、不断电供应系统（Uninterruptible Power Supply，UPS）、太阳能逆变器等中高速应用设计的效能和性能 |
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ST先进IGBT专为软切换优化而设计 可提升家电感应加热器的效率 (2019.04.22)
意法半导体（STMicroelectronics）新推出之STGWA40IH65DF和STGWA50IH65DF 650V STPOWER IGBT两款新产品能够在软切换电路中带来最隹导通和切换性能，提升谐振转换器在16kHz-60kHz切换频率范围内的效能 |
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盟锋CNC车床刀套具有精密度与耐用性 (2019.01.04)
盟锋铁工厂以精密机械零件制造与圆筒研磨加工起家，累积的机械加工经验逾30年，近期积极发展自有品牌，生产各式CNC车床内孔刀套、攻牙刀套，可调整中心的偏心刀套、可调式中心箅外径刀柄、传统车床尾座快钻轴、尾座攻牙轴与铣床用寻边器等产品 |
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安森美半导体推出全新电源模组 为太阳能和工业电源应用提供高能效与空间节省的方案 (2018.11.09)
安森美半导体推出全新功率模组，在高度整合和紧凑的封装中提供极隹能效、可靠性和性能，新增至公司现已强固的电源半导体元件产品组合。
太阳能逆变器（inverter） |
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全新联网世代 罗姆创造更多应用可能性 (2018.10.25)
为了要实现IOT中的万物联网，需要能探知状态的感测器、分享资讯的网路，以及处理并加工来自感测器资讯的微控制器，而这背后更需要低耗电的能源技术，才能让物联网的所有环节都发挥最高效率 |
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兼具高效能与可靠性 英飞凌打造新一代SiC元件 (2018.10.04)
随着能源议题逐渐被重视，碳化矽绝对是能源产业的明日之星。英飞凌专注于发展碳化矽沟槽式架构，兼顾可靠性与高效能，并不断精进产能与良率，让碳化矽功率元件可以进一步普及 |
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东芝推出散热效果更隹40V Nch功率MOSFETs 符合AEC-Q101标准 (2018.08.21)
东芝电子元件及储存装置株式会社（东芝）推出两款可应用於车用相关设计最新40V Nch MOSFET － TPWR7904PB & TPW1R104PB，可应用於电动辅助转向系统、负载开关、电动帮浦。
此款IC为U-MOS第九代晶片采用沟槽式结构，其确保高散热及低电阻的特性 |
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英飞凌发表CoolSiC MOSFET产品 兼具高性能与可靠度 (2018.07.24)
德国半导体元件商英飞凌（Infineon）今日在台北宣布推出新一代搭载CoolSiC技术的MOSFET系列产品，透过其独特的碳化矽 (SiC) 沟槽式 (Trench) 技术，提供高性能、高可靠度、高功率密度，且具成本效益的电源解决方案 |
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贸泽供货STMicroelectronics ACEPACK IGBT模组 (2018.05.15)
贸泽电子即日起开始供应STMicroelectronics (ST)的ACEPACK IGBT模组。
Adaptable Compact Easier PACKage (ACEPACK) 模组属於专门针对工业应用所设计的最新塑胶功率模组系列，为3 kW至30 kW的工业和电源管理解决方案提供经济且高整合度的功率转换 |
