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英飞凌推出新一代氮化??功率分立元件 (2024.11.26)
最新一代CoolGaN电晶体实现了现有平台的快速重新设计。新元件改进了性能指标，确保为重点应用带来具有竞争力的切换性能。与主要同类产品和英飞凌之前的产品系列相比，CoolGaN 650 V G5电晶体输出电容中储存的能量（Eoss）降低了多达50%，漏源电荷（Qoss）和闸极电荷（Qg）均减少了多达 60% |
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Bourns全新薄型高爬电距离隔离变压器适用於闸极驱动和高压电池管理系统 (2024.10.27)
美商柏恩Bourns推出新款符合AEC-Q200标准的车规级薄型、高爬电距离隔离变压器。Bourns HVMA03F4A-LP8S系列驰返变压器专为提供高功率密度设计，实现更高效能且具备紧凑的外形尺寸，适用於闸极驱动器和高压电池管理系统(BMS)等多项应用场合， |
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纬湃采用英飞凌CoolGaN电晶体打造高功率密度DC-DC转换器 (2024.09.03)
在电动汽车和混合动力汽车中，少不了用於连接高电压电池和低电压辅助电路的DC-DC转换器，而它对於开发更多具有低压功能的经济节能车型也很重要。由TechInsights的资料显示，2023年全球汽车DC-DC转换器的市场规模为40亿美元，预计到2030年将增长至110亿美元，预测期内的复合年增长率为15% |
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跨过半导体极限高墙 奈米片推动摩尔定律发展 (2024.08.21)
奈米片技术在推动摩尔定律的进一步发展中扮演着关键角色。
尽管面临图案化与蚀刻、热处理、材料选择和短通道效应等挑战，
然而，透过先进的技术和创新，这些挑战正在逐步被克服 |
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Microchip推出全新电动车充电器叁考设计 满足住宅和商业充电需求 (2024.08.08)
Microchip Technology今日发布三款灵活、可扩展的电动汽车充电器叁考设计，包括单相交流家用充电器、支援开放充电点协议（OCPP）和系统单晶片（SoC）的三相交流商用充电器以及支援OCPP 和显示幕的三相交流商用充电器 |
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英飞凌新一代CoolGaN电晶体系列采用8 寸晶圆制程 (2024.07.11)
根据Yole Group预测，氮化??（GaN）市场在未来五年内的年复合成长率将以46%成长。英飞凌科技推出两款新一代高电压（HV）与中电压（MV）CoolGaN产品，让客户可以在更广泛的应用领域中，采用 40 V 至 700 V 电压等级的GaN装置，推动数位化与低碳化进程 |
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记忆体应用发展的关键指标 (2024.07.01)
记忆体发展轨迹是随着越来越庞大的运算与感测功能而亦步亦趋，其应用发展的关键指标就会以容量、速度为重点来观察。当容量与速度越来越大、越来越快，可靠度也是未来发展的关键指标 |
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FlexEnable柔性显示技术创新产品目前已出货 (2024.06.18)
开发和生产用於有源光学和显示器的柔性有机电子产品供应商FlexEnable宣布，全球首款采用有机电晶体技术的量产消费电子产品已开始出货。这款名为Ledger Stax的装置是由法国市场领导者Ledger 开发的安全加密钱包 |
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安森美第7代IGBT模组协助再生能源简化设计并降低成本 (2024.06.12)
安森美(onsemi) 最新发布第 7 代 1200V QDual3 绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 功率模组，与其他同类产品相比，该模组的功率密度更高，且提供高10%的输出功率。这800 安培 (A) QDual3 模组基於新的场截止第 7 代 (FS7) IGBT 技术，带来出色的效能表现，有助於降低系统成本并简化设计 |
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不断进化的电力电子设计：先进模拟工具 (2024.03.22)
电力电子设计领域正在快速演进，引领着高速、高效元件的新时代；而突破性的模拟工具，重新定义了工程师对电力系统进行概念化、设计及验证的方式。在虚拟原型设计中运用模拟工具，带来了设计流程的重大变革 |
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意法半导体1350V新系列IGBT电晶体符合高功率应用 (2023.11.21)
为了在所有运作条件下确保电晶体产生更大的设计馀量、耐受性能和高可靠性，意法半导体（STMicroelectronics）推出新系列IGBT电晶体将击穿电压提升至1350V，最高作业温度高达175 |
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Magnachip电动汽车PTC加热器用1200V和650V IGBT开始量产 (2023.09.12)
Magnachip半导体推出专为正温度系数设计的1200V和650V绝缘栅双极晶体管（IGBT）（PTC）电动汽车 （EV）加热器。
新推出的AMBQ40T120RFRTH（1200V）和AMBQ40T65PHRTH（650V）基於Magnachip尖端的场截止沟槽技术，可提供10μs的最短短路耐受时间 |
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GE科学家展示超高温SiC MOSFET产品效能 (2023.06.02)
来自通用电气研究（GE Research）的科学家们创造了一项新记录，展示可以承受超过温度 800 ℃的金属-氧化物-半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）。这相较於之前已知的该技术演示高出 200℃，对於极端操作环境中未来应用深具潜力 |
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ICAA：以交流平台链结产业上下游夥伴 共谋智慧新未来 (2023.03.31)
近来ChatGPT引爆科技应用的无限想像，生成式人工智慧(Generative AI)所主导的新时代翩然到来。迎合新一阶段的智慧化浪潮，智慧产业电脑物联网协会(ICAA)与大联大控股世平集团透过「智慧物联 连接未来」交流会 |
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Magnachip新型超短通道 MXT MOSFET可用於智慧手机电池保护电路模组 (2023.03.03)
为了满足移动设备制造商多样化和不断变化，必须解决电源管理方面的需求，Magnachip半导体发布两款第七代 MXT 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)，内置超短通道技术可用於智慧型手机中的电池保护电路模组 |
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东芝推出汽车 40V N 沟道功率 MOSFET采用新型高散热封装 (2023.01.31)
近年来，电动汽车的进展推动对於适应汽车设备功耗增加的组件的需求。东芝电子推出汽车40V N沟道功率 MOSFETXPQR3004PB和 XPQ1R004PB，它们使用新的 L-TOGL（大型晶体管外形鸥翼引线）封装，并且具有高漏极电流额定值和低导通电阻，今日开始供货 |
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TI：以V2G的愿景展现电动车实力 (2022.09.29)
老化的电网正在面临全球前所未有的充电需求，而且这种压力可能只会随着汽车电气化而加剧。不过，如果电动车可以将电力送返电网来减轻负担，又会是什麽样的情境？
这个概念称为Vehicle to Grid (V2G)，设想电动车能够提供有助於加强电网的电池电力，尤其是在需求尖峰期间 |
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大联大友尚推出基於onsemi和GaN System产品之PD快充电源方案 (2022.09.20)
大联大控股宣布，其旗下友尚推出基於安森美（onsemi）NCP1623和NCP1343产品以及氮化??系统公司（GaN System）GS-065-011-2-L功率晶体管的PD快充电源方案。
以手机、电脑为代表的移动智能设备已经成为人们日常生活的重要工具 |
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大联大诠鼎推出高效超薄型200W LED驱动电源方案 (2022.09.15)
大联大控股宣布，其旗下诠鼎推出基於英诺赛科（Innoscience）INN650D01场效应晶体管的高效超薄型200W LED驱动电源方案。
随着人们对灯具品质的要求越来越高，传统的LED驱动器已经无法满足小而薄的灯具设计 |
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安森美於新罕布什尔州碳化矽工厂落成 提供客户必要供应保证 (2022.08.12)
安森美（onsemi），美国时间8月11日举行了剪彩仪式，厌祝其位於新罕布什尔州哈德逊（Hudson, New Hampshire）的碳化矽（SiC）工厂的落成。
该厂区将使安森美到2022年底的SiC晶圆产能同比增加五倍，在哈德逊的员工人数也将成长近四倍 |
