Magnachip半导体推出专为正温度系数设计的1200V和650V绝缘栅双极晶体管(IGBT)(PTC)电动汽车 (EV)加热器。
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Magnachip瞄准电动汽车市场,推出采用先进场截止沟槽技术的新型 1200V 和 650V IGBT。(source:Magnachip) |
新推出的AMBQ40T120RFRTH(1200V)和AMBQ40T65PHRTH(650V)基於Magnachip尖端的场截止沟槽技术,可提供10μs的最短短路耐受时间。这种耐用性使PTC加热器能够在过流情况下免受永久性故障的影响。
此外,TO-247封装的又厚又大的散热器使这些新型IGBT具有出色的散热性能。这些IGBT 适合需要高功率和高效率的应用,例如PTC加热器的电源管理整合电路的上侧和下侧。
Magnachip执行长YJ Kim表示:「自去年初以来,Magnachip已发布符合严格AEC-Q101标准的高性能汽车电源解决方案。」Magnachip继成功发布首款用於电动汽车的IGBT产品,将继续扩大产品阵容,以满足电动汽车市场的多样化需求。