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Microchip的RTG4 FPGA采用无铅覆晶凸块技术达到最高等级太空认证 (2024.10.18)
根据美国国防後勤局（DLA）的规定，合格制造商名单（QML）Class V是太空元件的最高级别认证，并且是满足载人、深空和国家安全计划等最关键的太空任务保障要求的必要步骤 |
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英飞凌CoolSiC MOSFET 400 V重新定义 AI 伺服器电源功效 (2024.06.26)
随着人工智慧（AI）处理器对功率的要求日益提高，伺服器电源（PSU）必须在不超出伺服器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率，因为高阶 GPU 的能源需求激增。至2030 年，每颗高阶 GPU 晶片的能耗可能达到 2千瓦或以上 |
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迈入70周年爱德万测试Facing the future together! (2024.01.15)
爱德万测试Advantest Corporation日前发布年度预测时，以「次世代高速ATE卡」、「HA1200晶粒级分类机与M487x ATC 2kW解决方案」、「记忆体测试产品线」等最新自动化测试与量测设备产品，全面符合今年最热门产业之各类半导体设计和生产流程，包括5G通讯、物联网 (IoT)、自驾车，以及包括人工智慧 (AI) 和机器学习在内之高效能运算 (HPC) 等 |
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英飞凌全新 CoolMOS S7T系列整合温度感测器性能 (2024.01.11)
英飞凌科技（Infineon）推出整合温度感测器的全新 CoolMOS S7T 产品系列，具有出色的导通电阻和高精度嵌入式感测器，能够提高功率电晶体接面温度感测的精度，适用於提高固态继电器（SSR）应用的性能和可靠性 |
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英飞凌扩展1200V 62mm IGBT7产品组合 推出全新电流额定值模组 (2023.09.18)
英飞凌科技推出搭载1200 V TRENCHSTOP IGBT7晶片的62mm半桥和共发射极模组产品组合。模组的最大电流规格高达 800A ，扩展了英飞凌采用成熟的62 mm 封装设计的产品组合。电流输出能力的提高为系统设计人员在设计额定电流更高方案的时候，不仅提供最大的灵活性，还提供更高的功率密度和更优秀的电气性能 |
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英飞凌新一代1200V CoolSiC沟槽式MOSFET 推动电动出行的发展 (2023.07.05)
英飞凌推出采用TO263-7封装的新一代车规级1200 V CoolSiC MOSFET。这款新一代车规级碳化矽（SiC）MOSFET具有高功率密度和效率，能够实现双向充电功能，并显着降低了车载充电（OBC）和DC-DC应用的系统成本 |
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艾迈斯欧司朗推出新一代OSLON Square超红光植物照明LED (2023.06.20)
艾迈斯欧司朗今日宣布，推出了其人气产品OSLON Square超红光（Hyper Red ）植物照明LED的新一代产品，专为提高植物生长速度而设计，并实现最优系统性价比。
艾迈斯欧司朗根据客户需求，持续研发关键创新技术，提供比前代产品超红光660?nm LED更高效的高光合光子通量（PPF）LED解决方案 |
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ROHM 1200V IGBT成功导入SEMIKRON-Danfoss功率模组 (2023.04.26)
SEMIKRON-Danfoss和半导体制造商ROHM在开发SiC（碳化矽）功率模组方面，已有十多年的良好合作关系。此次，SEMIKRON-Danfoss向低功率领域推出的功率模组中，采用了ROHM新产品1200V IGBT「RGA系列」 |
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Diodes新款单通道高侧电源切换器可设定电压转换速率 (2023.01.05)
Diodes公司推出新款多功能单通道高侧电源切换器。AP22980 可选择三种不同电压转换速率，因此能处理的电容负载更宽广，同时维持低涌浪电流，确保系统稳定性。适用於可携式电子设备、电脑硬体和边缘资料中心部署的固态资料储存系统 |
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安森美推出三款SiC功率模组 使xEV充电更快且续航里程更远 (2022.09.29)
安森美（onsemi）今天宣布推出三款基於碳化矽（SiC）的功率模组，采用转注成型技术，用於所有类型电动汽车（以下简称「xEV」）的车载充电和高压（以下简称「HV」）DCDC转换 |
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瑞萨推出新一代用於电动汽车逆变器的矽IGBT (2022.08.30)
瑞萨电子（Renesas Electronics）宣布开发新一代矽绝缘栅双极电晶体（Si-IGBT），以提供低功率损耗且小型的封装。针对新一代电动汽车（EV）逆变器的AE5 IGBT将於2023年上半年开始在瑞萨位於日本那??市工厂的200和300毫米产线上生产 |
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PCIe效能满足功耗敏感性装置与关键任务应用 (2022.07.24)
在各种装置应用中，优越电源管理与错误处理能力有效提升了PCIe 功能，得以称职胜任储存装置、网路、骨干及 I/O 互连技术的可靠表现。 |
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英飞凌推出1700 V TRENCHSTOP IGBT7的EconoDUAL 3模组 (2022.05.31)
英飞凌科技股份有限公司近日发布了采用EconoDUAL 3标准工业封装的全新1700 V TRENCHSTOP IGBT7模组。凭藉这项全新的晶片技术，EconoDUAL 3模组可提供业界领先的900 A和750 A额定电流，进一步拓展逆变器的功率范围 |
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汽车外部照明LED控制系统进展 (2022.04.29)
汽车照明市场继续强势成长，分析师Yole预测到2024年市场规模将达到388亿美元。在过去几年里，LED在这个市场中的比重越来越大，LED车外灯已成为我们道路上熟悉的景象。 |
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英飞凌推出全新CoolSiC技术产品组合 大幅提高灵活性 (2022.04.22)
英飞凌科技股份有限公司推出全新CoolSiC技术：CoolSiC MOSFET 1200 V M1H。这款先进的碳化矽（SiC）晶片将透过常见的Easy模组系列以及.XT互连技术的独立封装，建置於广泛扩充的产品组合 |
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意法半导体车规闸极驱动器提升马达控制的灵活性 (2022.04.21)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）新推出之L9908高整合度车规三相闸极驱动单元（Gate Driver Unit，GDU）支援12V、24V或48V汽车电源系统，具有弹性的输入输出通道，可在传统油车和油电混合车上实现多种应用 |
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英飞凌推出车规级EDT2 IGBT 优化分立式牵引逆变器 (2022.03.29)
英飞凌科技股份有限公司宣布推出采用TO247PLUS封装的全新EDT2 IGBT。该元件专门针对分立式汽车牵引逆变器进行优化，进一步丰富英飞凌车规级分立式高压元件的产品阵容。
得益於其出色的品质，EDT2 IGBT符合并超越车规级半导体分立元件应力测试标准AECQ101，因而能够大幅提升逆变器系统的性能和可靠性 |
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ST第三代碳化矽技术问世 瞄准汽车与工业市场应用 (2022.03.14)
电源与能源管理对人类社会未来的永续发展至关重要，由於全球能源需求正在不断成长，因此必须控制碳排放，并将气温上升控制在1.5度以下，减排对此非常重要，但要实现这些要有科技的支援，包括可再生能源的利用，ST对此也有制定一些具体的目标 |
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Diodes新款非隔离式离线切换器可大幅降低BOM成本 (2022.03.03)
Diodes公司推出通用的 AC 高电压输入非隔离式离线切换器 IC，AP3928可解决使用偏压电源供应器所面临的相关挑战。本产品可提供安全和可靠的电源，同时维持较高的性能数据，且可大幅节省成本 |
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Microchip扩大氮化镓（GaN）射频功率元件产品组合 (2021.12.02)
Microchip今日宣布扩大其氮化镓（GaN）射频（RF）功率元件产品组合，推出频率最高可达20 GHz的新款单晶微波积体电路（MMIC）和分离电晶体。这些元件同时具备高功率附加效率（PAE）和高线性度，为5G、电子作战、卫星通讯、商业和国防雷达系统及测试设备等应用提供了新的效能水准 |
