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ROHM 650V耐压GaN HEMT新增小型、高散热TOLL封装 (2025.02.13) 半导体制造商ROHM(总公司:日本京都市)已将TOLL(TO-LeadLess)封装的650V耐压GaN HEMT*1「GNP2070TD-Z」投入量产。TOLL封装不仅体积小,散热性能出色,还具有优异的电流容量和开关特性,因此在工业设备、车载设备以及需要支援大功率的应用领域被陆续采用 |
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台积电预计於2025年开始量产CPO技术 进入1.6T光传输世代 (2025.02.11) 随着AI和大数据的快速发展,对高速运算和资料传输的需求日益增加。为了突破传输瓶颈,矽光子技术(Silicon Photonics)应运而生,并成为半导体产业的关键技术之一。
台积电在矽光子领域的最新突破是共同封装光学(CPO)技术的研发 |
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PLP面板级封装供应链汇集 电子生产制造设备展4月登场 (2025.02.11) 全球半导体与电子产业先进技术持续创新衍生,「2025电子生产制造设备展」将於4月16-18日盛大登场,汇聚全球最新先进封装技术、产品与解决方案。本次展会不仅展示最新面板级封装技术、设备与材料,更致力於促进国际供应链在地化与电子设备国际化 |
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电动车、5G、新能源:宽能隙元件大显身手 (2025.02.10) 随着运算需求不断地提高,新兴能源也同步崛起,传统矽基半导体材料逐渐逼近其物理极限,而宽能隙半导体材料以其优越的性能,渐渐走入主流的电子系统设计之中。 |
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高功率元件的创新封装与热管理技术 (2025.02.10) 随着高密度封装和热管理技术的进步,我们将看到更高效、更可靠的高功率元件应用於各不同产业,推动技术的持续演进。在这个挑战与机遇并存的时代,持续的研发投入与技术创新将成为决胜关键 |
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高功率元件加速驱动电气化未来:产业趋势与挑战 (2025.02.10) 高功率元件将成为实现全球电气化未来的重要推动力。
产业需共同应对供应链挑战、降低成本并提升技术创新速度。
最终助力实现更高效、更环保的全球能源管理体系 |
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工研院与台达开发SiC模组 抢攻高功率电子市场 (2025.02.08) 基於现今电动车为了符合低碳永续趋势及续航力,兼顾在高压、高温下稳定运行,使得具备高功率密度的宽能隙化合物半导体(Wide-bandgap Semiconductor;WBG),成为该领域深受关注的元件材料 |
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DeepSeek将催生光通讯需求 TrendForce估光收发模组出货年增56.5% (2025.02.05) 看好现今DeepSeek模型降低AI训练成本,可??扩大应用场景,增加全球资料中心建置量。未来若将光收发模组作为AI伺服器互连传输资料的关键元件,则可??受惠於高速数据传输的需求 |
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CT2502 (2025.02.04)
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工研院SiC技术亮相日本 助攻电动车产业升级 (2025.01.22) 工研院於日本国际电子制造关连展发表车用碳化矽(SiC)解决方案,吸引逾8万人次叁观,并与车厂及零件商洽谈合作。
工研院展示了与台达电共同开发的SiC功率模组,可提升电动车动力效能、延长续航里程并加速充电 |
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成大半导体学院团队研发新型光学仿生元件 为AI应用开创新视角 (2025.01.20) 台湾半导体先进技术不断翻新,近日国立成功大学智慧半导体及永续制造学院教授李亚儒团队研发出新型光学神经形态突触元件,此元件基於全无机钙??矿量子点,能够高度整合感测、记忆与运算等功能,为邻近感测计算技术发展开辟新局,可应用在自驾车导航、智慧制造和医疗影像分析等高效彩色影像处理,为人工智慧应用开创新视角 |
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中研院突破高效太阳能技术研究 提升次世代电池效率逾3成 (2025.01.20) 为了克服现今太阳能发电场域增加不易,由中央研究院携手国内顶尖学者组成下世代太阳能电池研发团队,整合来自成功大学、清华大学、明志科技大学等高效太阳能光电技术的研究专长,於今(20)日宣称以2年时间成功开发出光━电转换效率超过31%的下世代(叠层式钙??矿/矽基)太阳能电池元件,成为化解此困境的核心策略 |
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经济部助攻链结矽谷生态圈 新创募资订单上看4亿台币 (2025.01.15) 经济部产业技术司於今年美国CES消费性电子展後,除了率领涵盖半导体、太空科技、医疗科技、量子运算与永续循环等领域,共11家台湾前瞻科技新创团队及企业叁展外,也积极链结矽谷新创生态圈,安排10家新创团队至Stanford、Berkeley Skydeck二校拓展商务,可??创造4亿台币商机 |
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丰田合成GaN基板技术获突破 功率元件性能大幅提升 (2025.01.08) 丰田合成株式会社近日宣布,其提升氮化??(GaN)基板性能的技术已获得验证,能有效改善功率元件性能。相关研究成果已发表於国际固态物理学期刊。
更优异的功率元件在电力调节方面扮演关键角色,对於减少社会碳排放至关重要 |
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半镶嵌金属化:後段制程的转折点? (2025.01.03) 五年多前,比利时微电子研究中心(imec)提出了半镶嵌(semi-damascene)这个全新的模组方法,以应对先进技术节点铜双镶嵌制程所面临的RC延迟增加问题。 |
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爱德万测试:AI与HPC持续驱动半导体测试成长 加速拓展类比测试领域 (2025.01.03) 随着人工智慧(AI)、高效能运算(HPC)、以及高频宽记忆体(HBM)需求的迅速增长,全球半导体测试设备市场持续迎来蓬勃发展。在此背景下,爱德万测试(Advantest)不仅展现了对市场前景的乐观态度,还透过技术合作与产品创新,积极应对新一代半导体技术的挑战 |
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台科大半导体研究所结合产业资源 布局矽光子与先进封装领域 (2025.01.02) 为因应半导体产业快速变迁与人才需求,国立台湾科技大学於113学年度成立「先进半导体科技研究所」,聚焦矽光子技术、复合半导体材料及先进封装等前瞻领域。台科大并藉由国科会晶创计画建置的矽光子测量、封装设备活化华夏校区,为产业及学生提供完整的学习与实作环境、扩大产学合作,提升半导体人才培育综效 |
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DRAM制程节点持续微缩并增加层数 HBM容量与性能将进一步提升 (2025.01.02) 生成式AI快速发展,记忆体技术成为推动这一技术突破的关键。生成式 AI 的模型训练与推理需要高速、高频宽及低延迟的记忆体解决方案,以即时处理海量数据。因此,记忆体性能的提升已成为支撑这些应用的核心要素 |
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IEEE公布2024十大热门半导体文章 揭示产业未来趋势 (2024.12.31) IEEE spectrum日前精选了2024年最受欢迎的十大热门半导体文章,作为回顾一整年的总结,同时也展??2025的新发展,以下就是其精选的内容:
1. 兆级电晶体GPU: 台积电预测十年内单个GPU将容纳一兆个电晶体 |
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首款新型TPSMB非对称TVS二极体为汽车SiC MOSFET 提供卓越的栅极驱动器保护 (2024.12.31) Littelfuse今日宣布推出TPSMB非对称TVS二极体系列,这是首款上市的非对称瞬态电压抑制(TVS)二极体,专门用於保护汽车应用中的碳化矽(SiC)MOSFET闸极驱动器。 这项创新产品满足下一代电动车(EV) 系统对可靠过压保护日益增长的需求,提供一种结构紧凑的单元件解决方案,取代了传统用於栅极驱动器保护的多个齐纳二极管或TVS 元件 |