随着电子系统产品往轻、薄、短、小、多、省、廉、快、美等发展趋势下，促使半导体技术朝两大方向发展，一是制程技术依照摩尔定律(Moore’s Law)不断微缩(More Moore)，IC产品每隔1.5年左右制程微缩技术就会进入下一个世代，使得在相同面积下可容纳的晶体管数目倍增；二是高度半导体组件整合(More Than Moore)，就是IC将整合不同功能、甚至是异质的组件(例如Logic、Analog、HV Power、Sensors、Biochips等)，达到系统层级的目标。目前半导体的发展除了制程微缩技术之外，例如DRAM进入4xnm以及NAND Flash进入3xnm，还有SoC、SiP、以及3D IC立体封装等重要技术，而这些技术的发展涉及半导体产业上下游的资源投入与整合，将可能使半导体产业生态发生重大变革。

主流内存DRAM及Flash在2xnm以下将逐渐遇到制程微缩的挑战与瓶颈，而新世代内存的发展将可突破此限制，从不同的材料与设计着手，并将取代目前主流内存，集优点于一身。美日韩等各国均积极投入新世代内存的研发，台湾若无法掌握新世代内存，未来将可能被迫退出每年800亿美元的内存市场。新世代内存的战争已经开打，台湾不可缺席，应及早拟订战略，开创台湾内存产业的新天新地。