隨著電子系統產品往輕、薄、短、小、多、省、廉、快、美等發展趨勢下,促使半導體技術朝兩大方向發展,一是製程技術依照摩爾定律(Moore’s Law)不斷微縮(More Moore),IC產品每隔1.5年左右製程微縮技術就會進入下一個世代,使得在相同面積下可容納的電晶體數目倍增;二是高度半導體元件整合(More Than Moore),就是IC將整合不同功能、甚至是異質的元件(例如Logic、Analog、HV Power、Sensors、Biochips等),達到系統層級的目標。目前半導體的發展除了製程微縮技術之外,例如DRAM進入4xnm以及NAND Flash進入3xnm,還有SoC、SiP、以及3D IC立體封裝等重要技術,而這些技術的發展涉及半導體產業上下游的資源投入與整合,將可能使半導體產業生態發生重大變革。 �s�i | |
主流記憶體DRAM及Flash在2xnm以下將逐漸遇到製程微縮的挑戰與瓶頸,而新世代記憶體的發展將可突破此限制,從不同的材料與設計著手,並將取代目前主流記憶體,集優點於一身。美日韓等各國均積極投入新世代記憶體的研發,台灣若無法掌握新世代記憶體,未來將可能被迫退出每年800億美元的記憶體市場。新世代記憶體的戰爭已經開打,台灣不可缺席,應及早擬訂戰略,開創台灣記憶體產業的新天新地。 |