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CTIMES / 砷化鎵Gaas
科技
典故		 第一颗晶体管(Transistor)的由来

第二次世界大战末期，贝尔实验室开始一项研究计划，目标是研发出一种体积更小、功能更强大、更快速且可靠的装置来取代真空管。1947年12月23日，由贝尔实验室研发的晶体管取代了真空管，优点是体积更小、更可靠、且成本低廉，不仅孕育了今日遍及全球的电子半导体产业，同时也促成电讯计算机业、医学、太空探测等领域产生戏剧性的改变。
IBM新型SiGe电晶体　传输频率达350GHz (2002.11.12)
根据外电消息，IBM近日对外宣布采用SiGe（矽锗）制程，研发出新型高速电晶体，IBM表示，采用新型SiGe材料的电晶体，其传输频率达350GHz，比现代晶片速度快三倍，预计2005 ～2006年投入量产
ST发光矽技术成功整合光学/电子功能 (2002.11.05)
根据外电消息，半导体商ST（意法半导体）近日宣布其发光矽（Light-emitting silicon）技术已有突破，并且表示此成果可将光学和电子功能整合于一块矽晶片上，使矽发光器的效率，首次达到砷化镓（GaAs）等材料的效果，预计今年底前开始提供该技术之工程样品

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