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MagnaChip与奇景光电合作开发的电源管理晶片已量产 (2016.09.09)
总部位于韩国的模拟和混合信号半导体产品设计与制造公司MagnaChip宣布，该公司将采用专业的0.18微米BCD（Bipolar CMOS-DMOS，双极—互补金属氧化物半导体—双重扩散金属氧化物半导体）技术制程，批量生产由无晶圆厂IC设计公司奇景光电(Himax)设计的电源管理晶片(PMIC) |
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台积电：亚芯/创意合并不影响设计中心联盟伙伴关系 (2002.12.04)
近日台积电表示，已于董事会中，通过100％持股的子公司亚芯与创意合并，并且由创意为存续公司，以强化台积电对客户之系统晶片设计服务，期望同时增加客户与该公司的竞争优势 |
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联电获MoSys授权1T-SRAM技术 (2002.11.20)
联电与MoSys近日宣布，联电取得MoSys之1T-SRAM技术的授权，以加强联电现有的IP服务，提供更适合联电制程的记忆体给SoC设计工程师使用。联电并将此高密度（ultra-high density）1T-SRAM记忆体技术客制化，进而提供更多重的选择 |
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联电第三季产能利用率达六成 (2002.10.31)
晶圆代工厂联电近日公布2002年第三季财报，营业收入净额达新台币191亿5200万元，较上季的185亿8000万元成长3.1％，与去年同期的新台币119亿5500万元相比，大幅增加60.2％。联电今年第三季8吋出货量为43万5仟片，产能利用率达68％ |
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IBM授权Mosis之0.13/0.18 CMOS技术 (2002.10.03)
根据外电消息，IBM昨日对外宣布，将授予芯片供货商Mosis公司0.13～0.18微米CMOS制程技术，包括铜导线制程量产技术。成立于1981年的Mosis，原为美国政府美国国防部高等研究计划局（DARPA）之基金机构，进入商业化、研发及消费性市场后，该公司专为新兴企业及大学建立MPW（多重计划芯片；Multi-project wafer）制程 |
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跃入90奈米技术 Intel/台积电硅锗市场竞赛 (2002.09.13)
英特尔 （Intel）近日在开发者论坛（IDF）中表示，未来将把90奈米制程技术，纳入硅锗（SiGe）制程中，但是何种硅锗制程，英特尔并未详述。台积电曾于美国表示，将提供0.18微米制程的硅锗代工服务 |
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开放0.18微米制程设备出口？美政府否认 大陆自有办法 (2002.09.02)
SBN（Semiconductor Business News）引述不具名消息指出，美国政府对半导体设备输出至中国大陆的限制已出现松动，目前美国政府已针对特定美国半导体设备商核发出口牌照，其中可能包括0.18微米制程设备 |
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美国传将放松高科技设备出口限制 (2002.08.30)
美国提高对大陆出口半导体设备的限制，引起外界讨论，近日又有新的发展。根据SBN消息指出，美国对该项政策出现松动，目前该国政府已针对特定半导体设备商核发出口牌照，可出口的产品包括0.18微米设备 |
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中芯国际发布0.18微米标准设计平台 (2002.08.09)
中国半导体信息网消息指出，中芯国际集成电路制造(上海)公司周三(7日)与中国半导体智财权库(IP)供货商芯原微电子(上海)有限公司合作，正式发布0.18微米半导体标准设计平台 |
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中芯0.18之CMOS平台现身 (2002.08.08)
晶圆代工厂中芯国际日前宣布，与大陆半导体IP业者芯原微电子合作，芯原微电子将针对中芯的0.18微米CMOS制程，提供标准设计平台。中芯指出，该设计平台是为中芯量身打造的，现已通过中芯的验证并可支持业界主流EDA工具，可供中芯所有客户使用 |
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大陆成立北京半导体公司 (2002.07.29)
根据大陆新浪网报导指出，北京市经贸官员消息透露中芯国际与首钢集团，将于今年8月共同成立的北京半导体制造公司，预计总投资金额高达13亿美元。北京半导体包括1条0.18微米8吋晶圆生产线，以及0.1微米12吋晶圆生产线 |
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ASML：下半年景气将回复 (2002.07.22)
根据Bloomberg指出，荷兰微影设备供货商ASML表示，今年下半年产业景气将比上半年较佳，而且ASML目前仍未出货的订单数量，比起去年年底时要多35％，因此该公司认为半导体景气应该已出现复苏的讯号 |
