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ST发表32Mbit闪存芯片－M58LW032A (2002.02.26)
ST日前发表了一款32Mbit闪存芯片－M58LW032A，它整合了所有数字消费性电子所需的完整功能。M58LW032A的主要功能包括了：56MHz的同步数据数据组、16位数据总线、2.7~3.6V的操作电压源(Vdd)，并加上一个从1.8V~操作电压的分离式电源微调(Vddq) I/O缓冲区电源供应器 |
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创见推出1GB可携式USB快闪硬盘 (2001.12.27)
专业记忆卡研发制造商-创见信息，推出一系列USB接口之可携式快闪硬盘(USB Flash Drive)，此种可携式储存内存模块，其轻薄短小的体积与强大的功能性，将能带给生活在数字时代消费者绝佳的便利性 |
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ST的安全智能卡平台开始采用0.18微米制程技术 (2001.11.28)
ST日前宣布，该公司旗下所有安全智能卡IC平台产品均开始采用0.18微米制程技术生产。移转到0.18微米制程将使ST得以提供具有更高内存能力、更小裸晶尺寸以及更先进功能与增加增行能力的智能卡IC产品 |
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AMD新合资经营闪存芯片厂大幅提高0.17微米闪存的产量 (2001.11.15)
美商超威半导体(AMD)宣布该公司新建的合资经营闪存厂已开始供应采用0.17微米制程技术制造的先进闪存产品。新的制程技术一方面可减低产品成本及功率消耗，而另一方面又可提高相关之应用方案的效能 |
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SST进军大陆市场 (2001.10.29)
闪存技术厂商超捷微电子科技（SST）日前于上海的Technology Openhouse研讨会上，宣布，该公司计划透过大陆和全球授权的晶圆代工厂商，提供大陆设计公司嵌入式闪存的设计和生产；除了嵌入式闪存的IP硅智财权外，超捷微电子也会提供采用超快闪(SuperFlash)技术的其它组件库，协助特殊应用集成电路设计师设计适合大陆市场的产品 |
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英特尔率先推出0.13微米制程闪存 (2001.10.24)
英特尔23日发表业界首套采用0.13微米制程生产的闪存，该款产品软0.18微米生产的闪存体积缩小近50%，适用于小尺寸及低耗电的移动电话、视频转换器等，英特尔表示可望领先其他供货商两个商品世代 |
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英特尔推出新款Intel StrataFlash内存 (2001.09.27)
英特尔公司昨日推出一款新型闪存芯片，能提升移动电话、个人数字助理(PDA)、以及其它无线通信装置的效能。核心电压为三伏特的Intel StrataFlash内存，它的同步式(Synchronous)数据读取速度比传统闪存快上四倍，使它成为各种掌上型装置在执行程序代码与储存数据方面的最佳方案 |
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M-Systems DiskOnChip获公信电子、意法半导体及台湾福特六和青睐 (2001.09.12)
快闪磁盘的厂商亚洲艾蒙系统（M-Systems）11日宣布公信电子、意法半导体及台湾福特六和公司(由台湾六和集团与美国福特汽车集团合资)共同发展之车用影音计算机选择使用M-Systems 的DiskOnChip 快闪磁盘为其操作系统及AP的储存装置并预计于第一年销售达十万台 |
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东芝组织重整 华邦变动生产措施 (2001.08.29)
日本整合组件制造大厂东芝(Toshiba)昨日宣布进行组织重整，将内存部门并入德国西门子旗下的亿恒科技（Infineon）影响，DRAM制造技术来自于东芝的国内DRAM大厂华邦电子公司昨天傍晚透过华邦公司网络表示，将先召回日本的研发团队，参与该公司零点一三微米动态随机存取内存（DRAM）与闪存生产 |
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英特尔NB处理器首次采用0.13微米制程 (2001.08.03)
英特尔下半年起增产0.13微米的晶圆，英特尔首次将笔记本型计算机用处理器转入0.13微米，并将高阶桌面计算机用P4和PIII逐步转入0.13微米，并且将于近日推出首批0.13微米的闪存产品 |
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Flash供过于求 日商获利萎缩 (2001.07.17)
闪存不久之前，在价格重挫的半导体产品中仍一支独秀，也是去年促成日本电子制造商获利强劲的主要动力。现在由于产能扩充太快，而且手机制造商的需求骤减，已出现供过于求 |
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Microchip发表高密度I2C序列式EEPROM (2001.07.10)
Microchip Technology推出采用标准8针脚SOIC(0.208)封装规格的高密度内存芯片。新型512 kbit I2C串行式EEPROM，为目前256 Kbit组件的用户提供一套可移植的高密度EEPROM升级管道，同时继续延用现有的封装规格 |
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宇瞻与SST合推嵌入式闪存储存媒体元素 (2001.07.09)
随着IA信息家电市场的发展日益快速与多元化，内存模块供货商宇瞻科技日前宣布与其重要合作伙伴SST(Silicon Storage Technology)，再度携手推出新一代嵌入式闪存储存媒体元素ADC(ATA-Disk Chips)与ADM(ATA-Disk Modules) |
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硅碟本季获利不佳暂缓下单 (2001.06.15)
本季闪存价格下滑压力大，压缩半导体公司的获利，硅碟(SST)美国总部发布获利警讯，并表示今年第二季营收及盈余将低于预期。并且预告合作对象可能减少或取消订单。此举可能延后南科(2408)、世界先进(5347) 与台积电(2330)将闪存交货给硅碟的时程，不过影响有限 |
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硅碟未来将主打32Mb闪存市场 (2001.06.06)
美商硅碟公司(SST)执行长叶炳辉五日表示，目前低迷的景气是正常的状况，今年年底预估景气有机会重振。硅碟未来一、二年的策略重点将主攻32Mb闪存，抢占手机的内存市场，与英特尔、超威(AMD)正面交锋 |
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英特尔StrataFlash内存计划支持移动电话制造厂 (2001.06.01)
英特尔StrataFlash内存计划支持移动电话制造厂
英特尔公司近日为其StrataFlash内存的ODM客户建置完成一项新计划，协助客户以更快的速度设计与组装移动电话。
四家台湾移动电话ODM厂商──明碁电通、华宇通讯、仁宝通讯和致福电子──参与这项计划，他们将享有优惠价格、优先供货、软件泊植和技术设计协助等 |
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Flash价格下跌 国内厂商仍加重产能投入 (2001.05.19)
由于全球市场对手机的需求陆续加大，因此引发闪存(Flash)产能的急速扩增，影响所及，使得今年的第一季以来在价格上一直处于低档不振，目前市场上16Mb的Flash降到6美元以下，这几乎是去年下半年高点的半价，而国内存储器厂商纷纷转进生产，但毛利率大幅降低 |
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ST推出512Kbit序列页面闪存 (2001.05.09)
ST日前发表一款快速与易于使用的512Kbit闪存IC，特征是能够连续且随机的进行读取操作，具有页面可程序化功能、区块与全块抹写模式，以及一个20MHz的SPI兼容序列总线。M25P05是ST M25Pxx序列闪存家族系列的第二款产品，它反映了逐渐远离平行架构，而朝向更节省空间的序列设计概念 |
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SST与南亚科签订闪存生产合约 (2001.05.08)
美商硅碟科技公司(SST)与台湾南亚科技公司签约，硅碟科技将授权南亚科技代工该公司的闪存，预估明年初可以开始量产。南亚目前闲置的0.25微米的产能，将为SST生产core型闪存，预估最大产出为四千片八吋晶圆 |
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Sandisk发表作为医学测试的P-Tag快闪记忆卡 (2001.04.25)
Sandisk发表作为医学测试的P-Tag(Personal Tag)快闪记忆卡，也是该公司第一项以Health Care市场所设计的可穿戴式储存设备。此项为期3个月的测试在本月于达拉斯地区开始进行，并含括5000名以上的病患，每一位病患均可在小型、耐用的8MB之P-Tag上储存其完整的病历 |
IEEE的创立，是在于主导电子学的地位、促进电子学的创新，与提供会员实质上的协助。
