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力晶与三菱签订制程与设计技术移转合约 (2002.07.24)
力晶半导体宣布与三菱电机正式签订0.18微米与0.15微米逻辑与嵌入式内存( Embedded Memory )制程与设计技术移转合约，在代工业务获得三菱强而有力的技术支持。在与三菱电机扩大合作范围之后，力晶可以顺利取得先进的逻辑制程技术来源，晶圆一厂转型为代工厂的路途也将更为宽广 |
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DRAM Q2行情不乐观 (2002.07.22)
动态随机存取内存 (DRAM)第二季赔多赚少，上半年营收达标率也偏低，茂硅达标率在预定目标八成以上，南科、力晶仍小赚，厂商寄望下半年平均出货价格 (ASP)拉高，才能不调降财测 |
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力晶12吋厂总投资额达16亿美元 (2002.05.14)
力晶半导体对外表示，该公司十二吋晶圆厂总投资金额达16亿美元，预计六月底以0.13微米试产256Mb DRAM芯片，年底则将以1万5000片月产能量产。力晶半导体总经理蔡国智表示 |
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力晶半导体采用以柔信息 EIP 解决方案 (2002.05.04)
素来被企业客户视为信息集成、Java领域的专业信息整合服务公司以柔信息 (W&Jsoft)，2日对外宣布，DRAM制造商力晶半导体采用以柔信息的企业入口网站(Enterprise Information Portal; EIP)解决方案，以强化力晶半导体的电子化企业环境 |
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力晶与三菱合签0.1微米合作备忘录 (2002.03.19)
力晶半导体十八日宣布与日本三菱电机(Melco)共同签署0.1微米堆栈式(Stacked)DRAM制程的技术合作备忘录，预计明年下半年移转至力晶十二吋厂并进行试产，力晶也将再与三菱合作，开发0.07微米以下先进DRAM制程 |
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力晶12吋厂Q2装机 (2002.02.07)
随着DRAM景气回升，力晶12吋晶圆厂规划提前在第二季装机，预计年底量产，明年12吋厂月产能将提高至2万片并着手兴建第二座12吋厂。针对12吋厂兴建一事，力晶半导体董事长黄崇仁6日表示，力晶两座12吋晶圆厂将在四年内全产能投片，月产将增至7万片，并以0.13微米以下制程生产，将成为全球最具成本优势的动态随机存取内存（DRAM）厂 |
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力晶将于明年第一季出现营收 (2001.11.28)
力晶半导体董事长黄崇仁27日以台北市计算机公会理事长身分出席信息月展前记者会，他于会后接受记者访问时指出，力晶半导体为了转型成为晶圆代工（Foundry）厂商已经布局两年了，今年第四季也已经接到不少的代工订单，在明年第一季就会有营收 |
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六大DRAM厂今年赔逾500亿元 (2001.10.30)
全球半导体不景气，使国内六家生产动态随机存取内存(DRAM)厂商今年亏损将超过500亿元。其中茂硅及南亚科技亏损超过100亿元，其余各家亏损也在60亿元到75亿元不等。
DRAM价格崩跌 |
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IBM与力晶签订CIM合约 (2001.09.04)
力晶3日宣布与IBM签订十二吋DRAM晶圆厂计算机整合制造(CIM)合约。康柏与IBM在半导体CIM市场的竞争将更形白热化。
由于台湾在半导体以及TFT液晶显示器地位重要，因此台湾IBM积极争取，终于获亚太区总部支持，在新竹成立其亚太区第一个SiView Competency Center |
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台湾IBM暨力晶半导体签订12吋晶圆厂CIM系统合约 (2001.09.03)
力晶半导体3日宣布与台湾IBM签订12吋DRAM晶圆厂CIM(Computer Integrated Manufacturing)系统合约。力晶半导体在此座全新的12吋晶圆厂，将全面引进IBM SiView计算机整合制造系统，未来并可享有「IBM计算机整合制造技术支持中心」的创新服务，以最有效的投资创造最大效益 |
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因应DRAM跌价 力晶拟建12吋厂 (2001.08.15)
动态随机存取内存(DRAM)价格连番重挫，力晶半导体昨(14)日也宣布获利将受重创，决定调降今年财务预测，全年营收由215.3亿元，调降为138.7亿元，降幅为35.5%，并由盈转亏，由原预估税前盈余34.6亿元，调降为税前亏损36.5亿元，税后纯损为29.6亿元，每股纯损1.23元 |
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力晶逆境投资12吋厂 月产能增加5成 (2001.06.27)
力晶半导体12吋厂紧锣密鼓动工，力晶半导体董事长黄崇仁周二表示，因为景器相当低迷，目前半导体设备较过去跌价达三成以上，力晶决定今年在不增加一百亿元资本支出的情况下，加装机台设备 |
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黄崇仁：DRAM下半年是涨潮期 (2001.05.21)
全球动态随机存取记忆体(DRAM)价格尚无止跌迹象，生产DRAM的力晶半导体公司董事长黄崇仁强调，目前全球DRAM仍处于退潮期，预估第二季全球在DRAM本业获利的将降到仅剩一家，甚至全无获胜局面 |
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力晶半导体8月将引进三菱0.15微米制程 (2001.04.12)
力晶半导体8月将引进日本三菱0.15微米制程技术，于力晶一厂(8吋厂)装设12吋机台试产线，预计明年上半年力晶二厂正式量产，进度超越其他内存厂；若达到1万片的经济规模，256Mb动态随机存取内存(DRAM)成本仅3.5美元 |
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力晶成功试产0.18微米制程256Mb SDRAM及DDR SDRAM (2001.03.09)
新竹科学园区厂商力晶半导体公司日前宣布，该公司已试产成功0.18微米制程的256MbSDRAM，且将同步推出256Mb SDRAM及256Mb DDR SDRAM(倍速数据传输内存)产品并进行验证，预计第二季投产，初估至年底月出货量可接近百万颗 |
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力晶半导体0.18微米制程256Mb SDRAM试产成功 (2001.03.02)
力晶半导体公司昨日表示，该公司已试产成功0.18微米制程的256Mb SDRAM，且同步推出256Mb DDR内存产品，正进行验证，预计第二季开始正式投产，初估至年底月出货量将可接近百万颗 |
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裕沛发表国内首见晶圆级封装样品 (2001.02.21)
在经过半年的研发后，裕沛科技昨日发表国内第一个晶圆级封装样品，并将于三月底前完成基本可靠性测试，为试作客户进行小量样品试产与验证。裕沛科技董事长杨文焜表示 |
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国内自行设计之DDR DRAM渐有成果 (2001.02.20)
国内IC设计公司自行设计的DDR DRAM，最近已渐有产能开出，力晶半导体为钰创代工制造的2×32DDR DRAM，近日试产阶段已有不错良率开出，但DDR产品成本障碍集中于后段测试部份，则是目前各IC设计公司与下游合作厂商努力达成的目标 |
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DRAM获利不如预期，业者积极转型 (2000.12.29)
内存制造公司积极开拓非内存的产品线，世界先进考虑与美商SST公司合作生产闪存；力晶半导体藉由投资力旺科技，强化闪存的设计能力；茂硅、华邦电明年则以液晶显示器 (TFT-LCD)驱动IC作为明年销售主力 |
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力晶 三菱签订0.15/0.13微米制程技术 (2000.09.05)
力晶半导体表示，已与日本三菱电机签订0.15与0.13微米制程技术，并将由三菱导入移动电话用低功率SRAM及Data Flash产品，藉以降低DRAM景气波动对营运所带来的冲击。
力晶半导体总经理蔡国智表示，原本力晶就与三菱在0 |
IEEE1394是一种能让计算机与接口设备之间相互链接沟通的共同接口标准。如此迅速有效率的传输速度，便时常应用在连接讯号传输密度高、传输量大的接口设备。
