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Mouser 供应 Vishay Siliconix TrenchFET 功率 MOSFET (2012.11.23)
Mouser 日前开始供应 Vishay Siliconix的芯片级封装，并将导通电阻降至 1.2V 的 MOSFET。 Vishay Siliconix 的 Si8802 TrenchFet 功率 MOSFET 是采用最小的 0.8mm x 0.8mm 芯片级封装，亦即 Vishay 的 MICRO FOOT，将导通电阻降至 1.2V 的 N 信道组件 |
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Vishay推出新款p信道功率MOSFET系列 (2008.08.21)
Vishay推出采用PowerPAK SC-75封装的p信道功率MOSFET系列，该系列包括额定电压介于8V～30V的多个器件，这些是采用此封装类型的首批具有上述额定电压的器件。
日前推出的这些器件包括首款采用PowerPAK SC-75封装的-12V(SiB419DK)及-30V(SiB415DK)单p信道功率MOSFET |
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Vishay推出新型Siliconix功率MOSFET (2008.06.05)
Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出15款采用2 mm×2 mm的PowerPAK SC-70封装、浓度为0.8 mm的新型功率MOSFET。
新产品包括用于不同应用的各种配置及额定电压，除了n信道及p信道的互补对外，还包括n信道及p信道的单路、单路带肖特基二极管的及双路的器件 |
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Vishay推出20V p信道TrenchFET功率MOSFET (2008.04.10)
日前，为满足对可携式设备中更小组件的需求，Vishay推出20V p信道TrenchFET功率MOSFET，该组件采用MICRO FOOT芯片级封装，具有此类组件中最薄厚度及最低导通电阻。
Vishay Siliconix Si8441DB具有0.59mm的超薄厚度，以及1.5mm×1mm的占位面积 |
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Vishay新型控制器IC 针对中间总线转换器应用 (2008.03.02)
Vishay推出针对中间总线转换器（IBC）应用的两款新型控制器IC，这两款器件是率先将高压（75V）半桥 MOSFET驱动器与1.6A峰值电流驱动功能以及各种电流监控功能整合在一起的单芯片器件 |
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Vishay推出新系列汽车用TrenchFET功率MOSFET (2007.11.15)
Vishay推出已通过AEC-Q101认证的新系列汽车用TrenchFET功率MOSFET，该系列包含两款采用PowerPAK 1212-8封装且额定结温为175°C的60V组件。日前推出的组件为在10V栅极驱动时导通电阻为25毫欧的Vishay Siliconix n信道SQ7414EN以及额定导通电阻为65毫欧的p信道SQ7415EN |
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VSH推出三款面向OR-ing应用的功率MOSFET (2007.11.08)
Vishay Intertechnology, Inc.(VSH)推出三款面向OR-ing应用的功率MOSFET，这些器件具有三种封装选择，可提供最佳的导通电阻性能，凭借这三款器件，公司将有助于提升固定电信网络的效率 |
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Vishay推出新系列P信道MOSFET (2007.10.11)
Vishay推出新系列P信道MOSFET，这些组件建立了每单位面积最低导通电阻的新记录。基于新一代TrenchFET芯片技术的新型Vishay Siliconix组件采用PowerPAK SC-70封装（2.05 mm×2.05 mm）时最大导通电阻额定值为29毫欧，采用标准SC-70封装（2.0 mm ×2.1 mm）时为80毫欧，采用SC-89封装（1.6 mm×1.6 mm）时为130毫欧 |
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Vishay的MOSFET帮助设计人员简化电源管理电路 (2007.08.16)
Vishay宣布推出业界首批在1.2V栅源电压时具有额定导通电阻值的功率MOSFET，这一进步将帮助设计人员简化电源管理电路，同时延长可擕式电子系统中的电池运行时间。
额定电压为1.2V的这些新型Vishay Siliconix TrenchFET器件使MOSFET导通电压与移动电子设备中使用的数字IC的1.2V～1.3V工作电压保持一致，从而可实现更安全、更可靠的设计 |
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Vishay增添四款新型 Siliconix PolarPAK组件 (2007.01.23)
Vishay在具有双面冷却功能的PolarPAK功率MOSFET系列中增添了新型n信道20V、30V及40V组件，从而为设计人员提供了通过更出色的MOSFET散热性能减小系统尺寸及成本的新方式。
这四款新型Vishay Siliconix PolarPAK组件面向电信及数据通信系统中的同步整流、负载点转换器及OR-ing应用 |
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Vishay提供免费在线MOSFET热仿真工具 (2006.12.12)
Vishay Intertechnology, Inc.在其网站上推出一款网上工具，可供设计人员详细仿真在各种应用中Vishay Siliconix MOSFET在运行时的热效应情况及其受邻近组件的影响如何。Vishay新推出的ThermaSim（可从http://www.vishay.com/thermal-modelling下载）是一款免费的工具，通过在原型设计前进行详细的热仿真，有助于设计人员缩短产品上市时间 |
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Vishay新型双光电MOSFET驱动器问世 (2006.02.27)
Vishay Intertechnology,Inc.宣布推出一款新型固体继电器——双光电MOSFET驱动，该器件实现了断路电压与短路电流组合。与等同的电机械继电器设计相比，当与Vishay Siliconix MOSFET相结合时，这款新型VO1263AB可实现更长的产品使用寿命、更高的可靠性及更快速的切换 |
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Vishay新型模拟开关实现直接电池运行 (2005.05.26)
Vishay推出一系列可在可擕式应用中实现直接电池运行的新型模拟开关。这些新型开关在1.6V～4.3V的整个电压范围内具有低导通电阻和低电平逻辑控制，它们主要面向终端产品，包括手机、机顶盒、PDA及媒体播放器 |
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法商艾希隆选择台湾 力图攻下亚太版块 (2005.03.01)
法商Epsilon Ingénierie(法商艾希隆公司)乃是电子组件散热设计厂商，无论是在系统稳定性、板载系统以及组件领域已拥有12年充分经验。艾希隆业务涵盖高科技产业制造链中种种环节，不但可确保电子组件和组件的可靠性、更能提高原有的性能 |
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VISHAY SILICONIX推出新型高速半桥式N信道MOSFET驱动器IC (2005.02.01)
拥有80.4%股份的Vishay Intertechnology,Inc.子公司Siliconix incorporated宣布推出四款新型高速半桥式N信道MOSFET驱动器IC，这些器件主要用于高频率、高电流、单相及多相直流到直流开关电源，它还包括一个具有面向无刷电机控制应用所需制动功能的驱动器 |
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Vishay Siliconix提供SCSI总线营运模式解决方案 (2005.01.05)
拥有80.4%股份的Vishay Intertechnology,Inc.子公司Siliconix incorporated推出新型SCSI（小型计算器系统界面）总线终端器系列，该系列产品提供了面向从SCSI-1到SPI-4(Ultra 320)所有SCSI总线营运模式的灵活解决方案 |
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Siliconix推出新型降压／升压型稳压器 (2004.07.23)
Vishay Intertechnology子公司Siliconix incorporated宣布推出一款新型降压／升压型稳压器，该産品爲设计人员提供了一个可从携带型电子系统电池中获得稳定电压的低成本简单解决方案 |
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Siliconix推出芯片尺寸级的新型P信道功率MOSFET器件 (2004.05.27)
Vishay Intertechnology公司拥有80.4% 股份的子公司Siliconix incorporated宣布推出芯片尺寸级的新型P 信道功率MOSFET 器件，该种底面积不足3 平方毫米的器件均可提供业界最低的导通电阻 |
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SILICONIX推出200V功率MOSFET器件 (2004.04.16)
拥有80.4% 股份的Vishay子公司Siliconix日前宣布推出采用小型PowerPAK. 1212-8 封装的业界首款200V功率MOSFET 器件。针对固定电信网络与路由器中主要的电源直流到直流转换应用，新型N 信道Si7820DN TrenchFET功率MOSFET是电源交换市场中的最小200V 器件 |
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SILICONIX 推出新P信道–40V与–60V TRENCHFET (2004.04.12)
拥有80.4%股份的Vishay子公司Siliconix日前宣布推出针对创记录的P 信道MOSFET系列的目标应用：汽车12V板网（boardnet）高端开关与电动机驱动器。这种新型–40V 与–60V 器件是首款采用Vishay 高级P 信道技术构建的具有额定击穿电压的器件，该技术将MOSFET 导通电阻降到了低于记录的水平 |
