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Diodes新型MOSFET芯片高度减少50% (2012.05.11)
Diodes 公司日前推出了一系列采用薄型DFN2020-6封装的高效率N信道和P信道MOSFET。采用DFN2020H4封装的DMP2039UFDE4,离板高度只有0.4mm,面积只有4mm2,是一款额定电压为 -25V的P信道组件,较同类型组件薄50%
IR新款DirectFET MOSFET 为DC-DC应用提高效率 (2010.12.21)
国际整流器(IR)近日宣布,推出了IRF6708S2及IRF6728M 30V DirectFET MOSFET芯片组,特别为讲求成本的19V输入同步降压应用,例如笔记本电脑而设计。 IRF6708S2小罐和IRF6728M中罐组件可减少零件数量达30%,所以能够大幅降低整体系统成本
ST MDmesh V MOSFET 为终端产品带来节能优势 (2009.02.23)
意法半导体(ST)宣布在功率MOSFET芯片的性能方面取得巨大突破,MDmesh V使得ST新一代的650V MOSFET,采用紧凑型功率封装,可将RDS(ON)降到0.079Ω以下。这些产品的应用是锁定以小尺寸和低能耗为诉求的功率转换系统
IR将于IIC-China展示最新功率管理方案 (2009.02.16)
国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)宣布,IR将参与由2009年2月26日至27日在深圳会展中心举行的国际集成电路研讨会暨展览会(IIC-China)。 IR的工程师及应用工程师将于编号2E01的展位展示最先进的功率管理方案
IR推出崭新MOSFET芯片 (2000.05.23)
国际整流器公司(International Rectifier;IR)推出多款崭新的MOSFET芯片组,它们经过优化处理,可用于1MHz或以上频率操作的多相位DC-DC转换器。两项重点产品包括IRLR8503控制场效晶体管(FET)及IRLR8103同步场效应晶体管,适用于单相位或多相位同步降压电路


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