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Intel的RAM、ROM情结 (2015.08.11)
很久以前，在Andy Grove主导Intel的时代，Intel的DRAM业务因日本DRAM（如NEC，之后成为Elpida）的大举进攻而亏损，最后被迫关闭该业务，全心转型、聚焦发展CPU。
但DRAM与PC息息相关 |
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美光与Intel率先推出25 nm 3bpc NAND闪存 (2010.08.22)
美光科技 (Micron) 于日前宣布，已与英特尔 (Intel) 合力 推出采用 25 nm 制程技术3-bit-per-cell (3bpc) NAND 闪存，该 NAND 装置拥有超大容量与最小尺寸。美光与英特尔已送样给部分客户，该产品预计在今年年底量产 |
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不打价格战 Intel意在夺取SSD霸主地位 (2010.03.19)
消费市场对于产品价格十分敏感。SSD（固态硬盘）尽管效能比起传统机械式硬盘强上许多倍，然而价格却限制了扩大版图的机会。Intel近期便发表入门级价位的40GB SSD，主打消费市场的Netbook、及可配置传统与固态双硬盘的PC等应用 |
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SEMICON Taiwan 2008即日起开放报名 (2008.07.25)
SEMICON Taiwan 2008(国际半导体设备材料展)即将于9月9-11日展开，展期间将举行8场产业趋势与技术论坛。其中，在9月10日的CTO论坛中，主办单位SEMI(国际半导体设备材料产业协会)特别邀请日月光集团研发中心总经理唐和明博士、无线科技大厂Qualcomm副总经理Mr |
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英特尔与美光推出新型高速NAND闪存 (2008.02.03)
外电消息报导，英特尔（Intel）和美光（Micron）科技日前共同宣布，由双方所合资的企业IM Flash新开发出一种的闪存架构。此新的架构为8GB单层式储存NAND闪存芯片，读取速度可达每秒200MB，写入的速度达每秒100MB，较现今的固态硬盘及绘图卡的传输速度更快 |
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FLASH内存战局再起 (2007.10.08)
iPod和iPhone的相继问世，给闪存（Flash Momory）市场铺了一条笔直的康庄大道，再加上固态硬盘（SSD）的增温与影音产品的嵌入式储存应用，更替此一市场挂上了保固延长和销售保证 |
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NAND Flash Inside！ (2007.07.09)
为了持续提高NAND Flash的储存容量与密度，东芝（Toshiba）计划一改过去持续挑战半导体制程极限的作法，转而透过3D结构以提高NAND Flash的储存密度。此外，其他内存厂商也都不断开发新技术以取代传统浮动闸极（floating gate）结构之NAND Flash，藉此解决该技术容量极限难以突破的问题 |
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SSD的市場來臨? (2007.06.27)
SSD的市場來臨? |
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12吋晶圆设备占2007年半导体总投资额85％ (2007.05.23)
晶圆生产设备将牵动12吋晶圆厂的投资动向。根据国际半导体设备暨材料协会（SEMI）所公布的调查结果显示，在2007年半导体厂商的总投资额中，约有85％是用于12吋晶圆生产设备之上 |
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获利为重 三星调整晶圆厂产能 (2006.12.22)
NAND Flash及DRAM制造商三星电子，由于考虑其最佳获利状态，已决定将其最新晶圆厂Line15产能做出调配，据了解，该座晶圆厂原本预计投入DRAM及NAND型Flash各半产能，惟有鉴于2006年全球NAND型Flash价格持续下跌，因此产能将100％投入标准型DRAM |
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风云产品、风波关系 (2006.11.29)
风云产品的成功，是否真为计画性成功 |
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65到45：半导体制程微细化技术再突破 (2006.11.27)
当半导体微细化制程从65奈米迈向45奈米、甚至晶片结构体尺寸将朝向32或是22奈米之际，我们将会面临什么未知的物理性质变化？为了追寻更微小体积、切割更多晶片的商业成本效益 |
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DRAM厂扩大产能 封测明年忙翻天 (2006.10.24)
由于看好明年微软新操作系统Vista上市后，将带动新一波DRAM需求，包括三星、海力士（Hynix）、奇梦达（Qimonda）及台湾四家DRAM厂等，明年均将大举扩大产能，至于NAND供货商如IM Flash、东芝等，则因市占率之争，明年扩产幅度亦充满想象空间 |
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美光标准型DRAM比重将降至四成 (2006.02.14)
美国DRAM大厂美光科技（Micron）举行法人说明会，总裁暨执行长爱波顿（SteveAppleton）对外宣示，未来美光将以「提升企业价值（Increasing Company Value）」为营运首要目标，藉由与英特尔、苹果计算机的合作，提高非标准型DRAM的产能比重 |
