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日本开发提升闪存速度至100Mbps的新技术 (2007.09.05)
外电消息报导，日本IC设计公司Genusion日前表示，该公司成功研发一项名为「B4-Flash」的闪存技术，能大幅提升闪存的处理速度，达到目前10左右。 Genusion表示，B4-Flash技术在生产过程中，使用了该公司专利的B4-HE (Back bias assisted band-to-band tunneling induced hot electron)注射技术，该技术能提升目前快闪记忆体的处理速度


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