外电消息报导，日本IC设计公司Genusion日前表示，该公司成功研发一项名为「B4-Flash」的闪存技术，能大幅提升闪存的处理速度，达到目前10左右。

Genusion表示，B4-Flash技术在生产过程中，使用了该公司专利的B4-HE (Back bias assisted band-to-band tunneling induced hot electron)注射技术，该技术能提升目前快闪记忆体的处理速度。

Genusion指出，B4-HE技术具有将目前的闪存速度提升到100Mbps的潜力，现阶段闪存的处理速度约为1~10Mbps，仅约硬盘（HDD）速度的1/10。该公司也透露，目前已有一颗4MB的测试芯片产出，该芯片是采用现有闪存制程所制造，最快将在2009年前进行量产。