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瑞萨与AMD合作5G射频和数位前端设计平台 (2023.02.21)
因应行动网路基础设施市场的需求不断增长,瑞萨电子(Renesas Electronics)与AMD合作展示用於5G主动式天线系统(AAS)无线电的完整射频前端解决方案。搭配经过实地验证的AMD Zynq UltraScale+ RFSoC数位前端OpenRAN无线电(O-RU)叁考设计,射频前端包括射频开关、低杂讯放大器和预驱动器
新世代先进封装树立国际里程碑 产研跨国携手开发卫星通信系统 (2022.12.16)
根据Yole Developpement资料显示,2018 年至2025 年全球射频(RF)前端的市场规模将由 150 亿美元成长至 258 亿美元,年复合成长率高达 8%。为了达到高速且低延迟的通讯品质,并发展更多创新应用
2019年百大突破科技隆重登场 未来科技展一次开箱 (2019.11.12)
由科技部主办、象徵产学研界奥林匹克的「2019未来科技展」(FUTEX 2019)将在今(108)年12月5日假台北世贸一馆盛大登场,特於今(12)日举行展前记者会,由部长陈良基亲自主持
格芯推出符合汽车标准之FD-SOI制程技术 (2018.05.24)
格芯宣布其22nm FD-SOI (22FDX)技术平台已通过AEC-Q100(2级)认证,准备投入量产,作为业界符合汽车标准的先进FD-SOI制程技术,格芯的22FDX平台融合全面的技术和实现设计能力,旨在提高汽车IC的性能和效能,同时仍然符合严格的汽车安全和品质标准
ADI收购OneTree Microdevices打造完整电缆基础设施解决方案 (2017.03.31)
亚德诺半导体(ADI)公司收购位于美国加利福尼亚州Santa Rosa的OneTree Microdevices公司。 ADI提供从资料转换器、时脉到控制/电源调节等电缆接入解决方案。 OneTree Microdevices的GaAs(砷化镓)和GaN(氮化镓)放大器具有业界最佳的线性度、输出功率和效率;收购该公司及产品组合后,使ADI能够支援下一代电缆接入网路的完整信号链
ADI推高性能射频及微波标准模组 加速产品上市时间 (2016.09.26)
半导体讯号处理解决方案商ADI今日推出四款高性能射频及微波标准模组,以延伸并强化标准模组产品组合。此新模组藉由提供易于使用、全面整合且密封的解决方案补足ADI现有产品组合,显著地缩短设计周期中概念性验证阶段,并协助减少组装、测试及验证设计整体内部技术支援的需求
提升VVC性能 Reno力推EVC匹配网路 (2016.09.12)
为了满足14nm(奈米)以下的先进制程制造需求,半导体制造用高性能射频匹配网路、射频电源产生器和流量管理系统开发商Reno Sub-Systems推出了EVC(电子式可变电容)匹配网路,新式系统改善了传统的VVC(真空可变电容)性能
东芝推出低插入损耗的智慧型手机射频开关SOI制程 (2015.11.25)
东芝公司(Toshiba)半导体与储存产品公司研发新一代TarfSOI(东芝先进的射频绝缘矽(SOI))制程—TaRF8,该制程针对射频(RF)开关应用进行最佳化,实现低插入损耗。采用新制程制造的SP12T射频开关IC适用于智慧型手机,样品出货将于2016年1月启动
Molex 柔性微波电缆组件提供出色的电气性能 (2014.05.26)
Molex 公司的柔性微波电缆组件Flexible Microwave Cable Assemblies)因结合了Temp-Flex(同轴电缆和高性能射频RF)连接器,因此可取代半刚性组件。这些组件具有出色的电气性能,并以专有技术组装,可将电压驻波比Voltage Standing Wave Ratio)和插入损耗减到最小,是一款完整的端至端互连解决方案
Linear推出双组高性能射频混频器 (2011.06.15)
凌力尔特(Linear Technology)近日宣布,推出双组高性能射频混频器LTC5569,具备26.8dBm的IIP3(输入第三阶截取)、每混频器300mW和宽广的工作频率范围,以因应高密度接脚占位的多模4G RRH(无线宽带远程设备)MIMO(多重输入/输出)接收器所需
全球最高性能射頻數位類比轉換器誕生! (2011.05.06)
全球最高性能射頻數位類比轉換器誕生!
ADI与Altera合作开发串流无线基础架构系统 (2010.08.27)
美商亚德诺公司(ADI)于前日(8/25)宣布,针对需要在多重载波蜂巢式基地台,使用数字预失真技术对系统进行快速评估的无线基础架构设备设计厂商,发表了符合其需求的高性能开发平台
ADI与Altera合作开发串流无线基础架构系统 (2010.08.18)
美商亚德诺公司(ADI)于前日(8/16)宣布,其针对需要在多重载波蜂巢式基地台,使用数字预失真(DPD)技术对系统进行快速评估的无线基础架构设备设计厂商,发表了符合其需求的高性能开发平台
NXP全球布局 打造高性能RF产品技术中心 (2010.07.08)
恩智浦半导体(NXP Semiconductors)于日前宣布,增加其在射频(RF)的研发投资,于今年上半年先后在中国上海及美国麻州(Massachusetts) Billerica市(近波士顿)成立两所恩智浦高性能射频产品技术中心
NXP推出更高效基地台的高性能射频产品 (2010.06.11)
恩智浦半导体(NXP)日前于加州举行的「2010年IEEE MTT-S国际微波年会」上,展示其用于新一代基地台的最新高性能射(RF)和混合讯号(Mixed Signal)产品。恩智浦以SiGe:C技术为基础的完整射频和中频(IF)放大器产品系列
ADI推出全新高性能射频被动式混波器 (2010.06.07)
美商亚德诺(ADI)于日前宣布,已在5月31日正式发表两颗全新高性能射频被动式混波器,适用于各种无线应用包含蜂巢式基地台接收器、观测传送接收器以及无线电链接降频转换器等
恩智浦半导体推出新一代CFL节能照明解决方案 (2010.05.21)
恩智浦半导体(NXP)于昨日(5/20)宣布,推出两款以其GreenChip技术为基础,的新一代调光节能荧光灯(CFL)驱动器。该驱动器UBA2027系列,可使客户开发具有平滑调光功能的CFL节能灯泡,其调光能力可低于10%;另外UBA2211x系列产品则适用于非调光CFL灯泡
ANADIGICS与稳懋半导体完成策略代工协议 (2009.10.14)
ANADIGICS与砷化镓(GaAs)专业晶圆代工厂稳懋半导体(WIN Semiconductors Corp.)13日宣布就砷化镓微波单片集成电路的设计和生产达成策略协议。砷化镓集成电路用于无线手机和数据设备中,可使人们随时随地进行联系和通信
SiGe推出全新射频前端模块 (2008.02.01)
SiGe半导体(SiGe Semiconductor)现已推出两款高性能射频(RF)前端模块,型号为SE2547A和SE2548A,可在游戏控制面板、桌面计算机与笔记本电脑和家庭接入点等客户端访问设备中,实现新的无线多媒体服务
飞利浦推出LDMOS CDMA放大器 (2002.11.14)
皇家飞利浦电子集团日前宣布推出基于新型LDMOS(侧扩散MOS)的放大器解决方案,用于CDMA(分码多重存取)行动电话基站。与其他同类产品相比,该技术使设计师能够用更少数量的元件及更低的价格设计出封装尺寸更小、性能更高的60WRF功率放大器


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