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TI推出高整合度NFC感测器转发器 (2014.12.12)
符合ISO 15693标准的完全可编程设计13.56 MHz感测器转发器整合超低功耗微控制器和非挥发性铁电记忆体(FRAM) 德州仪器(TI)推出高灵活高频13.56 MHz感测器转发器系列。
Ramtron非挥发性状态保存器通过汽车标准认证 (2009.05.21)
非挥发性铁电内存(F-RAM)和整合式半导体产品开发商及供货商Ramtron International Corporation宣布,其两款非挥发性状态保存器(nonvolatile state saver)FM1105-GA和FM1106-GA已经通过AEC-Q100 Grade 1认证
Ramtron推出基于F-RAM的事件数据记录器 (2008.05.13)
非挥发性铁电内存(F-RAM)和整合半导体产品开发商及供货商Ramtron International Corporation宣布推出基于F-RAM的事件数据记录器(Event Data Recorder;EDR)─FM6124,这是一款整合式的事件监控解决方案,能够对状态的变化进行连续性的监控,将数据储存在F-RAM中,并可以对系统发出有关变化的警报
Ramtron推出+125℃ FRAM内存FM25C160 (2007.03.05)
非挥发性铁电内存(FRAM)和整合半导体产品开发商及供货商Ramtron International宣布推出首款 +125℃ FRAM内存 FM25C160。该款5V 16Kb 的串行SPI接口 FRAM可满足Grade 1和AEC-Q100规范的要求,可在 -40℃到 +125℃ 的整个汽车温度范围内工作
Ramtron为Versa 8051 MCU推出USB接口 (2007.02.27)
非挥发性铁电内存(FRAM)和整合半导体产品开发商及供货商Ramtron International宣布,针对其Versa 8051微控制器推出通用串行总线(USB)接口的编程/除错开发工具。 以USB为基础的JTAG接口VJTAG-USB将与VersaKit-30xx开发板配套发售
Ramtron全新单芯片解决方案采用微型封装 (2006.11.03)
非挥发性铁电内存(FRAM)和整合半导体产品供货商Ramtron International公司,宣布推出64Kb、3V FRAM-Enhanced Processor Companion产品FM3130,在微型封装中将非挥发性铁电RAM和整合式实时时钟/日历(RTC)两者的效益结合在一起
Ramtron扩大其串行内存产品系列阵容 (2006.09.13)
非挥发性铁电内存(FRAM)和整合半导体产品供货商Ramtron International公司,扩充其串行内存产品系列,推出带有工业标准2线串行接口的五十万位非挥发性FRAM产品FM24C512,以支持需要大容量数据收集的应用,如市电计量和实时配置储存服务
富士通与东京工业大学聯手开发FeRAM创新材料 (2006.08.08)
香港商富士通微电子有限公司台湾分公司8日宣布,东京工业大学(Tokyo-Tech)、富士通实验室(Fujitsu Laboratories Ltd.)与富士通有限公司已经聯合开发出一种用于新一世代非挥发性铁电内存(FeRAM)的新型材料


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