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瑞萨电子开发28奈米嵌入式闪存技术 (2015.05.15)
瑞萨电子（Renesas）宣布已开发全新闪存技术，可达到更快的读取与覆写速度。 这项新的技术是针对采用28奈米（nm）嵌入式闪存（eFlash）制程技术的芯片内建闪存微控制器（MCU）所设计


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