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瑞萨新款功率半导体装置 可缩小60%安装面积 (2011.02.22)
瑞萨电子近日发表全新R2J20751NP功率半导体装置之开发。此装置可做为个人计算机、服务器及打印机内DDR类型SDRAM（Synchronous DRAM）内存及大型逻辑设备（如FPGA）之专属电源供应器 |
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瑞萨电子新高压电源MOSFET 可减少52%导通损失 (2011.02.01)
瑞萨电子近日宣布，推出能为电源供应器提供超高效率的高压N-channel电源金属氧化半导体场效晶体管（MOSFET）产品--RJK60S5DPK。新的电源MOSFET能减少PC服务器、通讯基地台以及太阳能发电系统的耗电量 |
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新加坡研发出新型芯片技术 可降低30倍电耗 (2009.02.13)
外电消息报导，新加坡南洋理工大学日前宣布，与美国莱斯大学的科学家合作研发出一种效率极高的微型芯片，该芯片若应用至手机上，将可延长数倍的待机时间，让手机的充电次数延长至数周一次 |
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ADI推出包含LVDS输出的轨至轨比较器 (2006.09.27)
美商亚德诺的ADCMP60x系列轨至轨比较器是专为需要高速、低功率、轨至轨摆幅与高精密的应用而设。此一比较器系列支持所有盛行的数字输出级—包括LVDS(低压差动信号)、CML(电流模式逻辑)和TTL/CMOS(晶体管-晶体管-逻辑/互补金属氧化半导体)—为诸如医疗仪器、量测、RF(射频)和电信设备等应用所需 |
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敦南科技选用安捷伦IC-CAP器件仿真软件 (2005.11.14)
安捷伦科技（Agilent Technologies Inc.）宣布，敦南科技公司（Lite-On Semiconductor Corp.）选用安捷伦的IC-CAP器件仿真软件来开发高电压半导体应用，如漏极扩展（DE）金属氧化半导体（MOS）和横向扩散（LD）MOS模型 |
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美国国家半导体推出两款全新的放大器芯片 (2004.11.11)
美国国家半导体(NS)推出两款全新的放大器芯片，型号为LMH6574的一款是业内最快速的4:1单组装视讯多任务放大器，另一款型号为LMH6572的新芯片则是目前市场上最快速的双电源2:1红绿蓝(RGB)三重组装多任务放大器 |
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NS推出高电压系统专用100V高整合度降压偏置稳置器 (2004.04.21)
美国国家半导体(National Semiconductor)推出市场上首款 100 伏 (V) 降压偏置稳压器。这款稳压器的功率转换效率高达 90%，只要采用这款稳压器，便可设计能大幅省电的产品。
LM5008 芯片除了内含 100 V、500 mA 的 N 信道功率金属氧化半导体场效应晶体管 (MOSFET) 之外，另外还可提供偏置电源供应器所需的所有功能 |
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美国国家半导体新推出高压单端转换器 (2004.02.24)
美国国家半导体公司（National Semiconductor Corporation）日前推出一款全新的高压单端转换器，使该公司的电源管理产品有更多款产品可供选择。这款型号为 LM5020 的转换器功能齐备，可为驰回及正向电源供应器提供控制、驱动及稳压等功能 |
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中芯国际与IP供应商合作以扩大潜在客户群 (2003.01.29)
据外电报导，大陆上海晶圆代工业者中芯国际，日前宣布与半导体矽智财（IP）资料库供应商Artisan Components签订合作协定，Artisan将提供针对中芯国际0.18微米互补性金属氧化半导体（ CMOS）制程为基础的设计平台 |
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专注研发「小而美」的电源管理元件 (2003.01.16)
随着电子产品对于高功能、低功耗的要求日益提高，电源管理元件在其中扮演的角色愈显重要；在电子产品不断朝轻薄短小方向发展的趋势下，电源管理元件的体积也必须跟着缩小，才能「挤」进越来越狭窄的电路板空间 |
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安捷伦科技在通讯应用的半导体芯片之SerDes整合工作上有新的斩获 (2002.02.05)
安捷伦科技宣称该公司针对通讯应用所使用的特殊应用集成电路（ASIC）整合串行器/解串行器（SerDes）信道的工作，已经迈向另一个新的里程碑。安捷伦的努力成果，达到了目前SerDes整合标准的9倍，可望协助制造商省下大量的电路板空间与成本 |
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环球拓晶投资36亿元于南科设厂 (2001.03.21)
环球拓晶公司7月1日将在台南科学园区投资36亿元建厂，生产大尺寸磊晶硅晶圆片，将可使我国八吋及12吋晶圆厂所需的CMOS(互补式金属氧化物半导体制程)磊芯片不需再仰赖国外进口，预计92年营业额可达50亿元 |
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联电与Aurora System合力生产硅晶液晶显示面板LCOS (2001.02.19)
联电集团已决定利用产能空缺之余，结合美商Aurora System公司运用用CMOS(互补式金属氧化半导体)制程，全力提供我业者取得生产反射式液晶投影机的关键零组件-硅晶液晶显示面板 (LCOS) |
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Avant!与联电合作共同导入SinglePass完整之设计解决方案 (2000.02.16)
Avant!和联电宣布一重大的合作协议，针对联电的超深次微米(VDSM)中的互补式金属氧化半导体流程技术(0.15微米或更小)，共同发展和导入先进的设计解决方法。这个设计解决方法将被应用在Avant!的超深次微米(VDSM) SinglePass 工具和设计流程 |
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日立将试产全球最高速SRAM (1999.06.21)
日立制作所宣布试产全世界最高速的静态随机存取内存(SRAM)。日晶产业新闻报导，日立制作所开发的新内存，记忆容量为一兆位(Mb)，访问时间为550微微秒，预定今年内推出的下一代大型主机 |
