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超越硅晶(1) III-V族取代硅晶机会浓 (2012.11.22)
半导体制程微缩已近尾声，尽管研究人员运用超薄SOI、high-k闸极电介质、双闸CMOS、三维FinFET等各种技术，一般认为硅晶CMOS将于2020年微缩至10至7奈米，便真正面临极限。 那么，2020年后的半导体产业将会是甚么样貌？除了盖18吋超大晶圆厂、发展3D IC技术外，还有甚么样的可能性？ 耶鲁大学电机工程教授及中央研究院院士马佐平博士(T


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