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盛美上海推出新型化合物半导体设备 加强湿法制程产品线 (2022.01.28)
盛美半导体设备（上海）宣布，推出支援化合物半导体制造的综合设备系列。公司的150-200毫米相容系统将前道积体电路湿法系列产品、後道先进晶圆级封装湿法系列产品进行拓展，可支援化合物半导体领域的应用，包括砷化?? (GaAs)、氮化?? (GaN) 和碳化矽 (SiC) 等制程 |
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超越5G时代的射频前端模组 (2021.01.05)
透过整合深宽比捕捉（ART）技术与奈米脊型工程，爱美科成功在300mm矽基板上成长出砷化镓或磷化铟镓的异质接面双极电晶体，实现5G毫米波频段的功率放大应用。 |
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用于射频前端模组的异质三五族CMOS技术 (2020.02.10)
随着首批商用5G无线网路陆续启用，爱美科为5G及未来世代通讯应用准备了下世代的行动手持装置。 |
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OSRAM LED照明输出 采用磷化铟镓铝芯片技术 (2011.10.30)
欧司朗（OSRAM）日前推出Oslon SSL LED的照明输出，较前一代型号提高多达20%，并改善热稳定性，尤其是660 nm超红光（Hyperred）至为特出。OSRAM表示，此次效能提升归功于磷化铟镓铝芯片技术（InGaAlP）的新突破 |
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变质磷化铟镓/砷化铟镓锗多结太阳能电池基板-变质磷化铟镓/砷化铟镓锗多结太阳能电池基板 (2010.11.18)
变质磷化铟镓/砷化铟镓锗多结太阳能电池基板 |
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ROHM最新研发PicoLED 让电子装置更省空间 (2007.01.28)
半导体制造商ROHM株式会社（总公司：日本京都市），针对移动电话按键，小型点矩阵显示器，小型七段显示器等小型薄型化需求的产品，推出体积‧面积超小型LED「SML-P12 Series」（PicoLED） |
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ST推出先进手机用功率放大器 (2002.01.24)
ST宣布，该公司已经开发出一种替代传统使用砷化镓(GaAs)为材料的手机用射频功率放大器的新产品。截至目前为止，移动电话制造商仍被迫使用昂贵的GaAs组件以生产所需的功率放大器，因为硅制程仍然满足移动电话用900-1900MHz射频频率所需的效能要求 |
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磷化铟镓InGaP HBTs 元件的可靠性讨论 (2001.12.05)
随着无线通信的发展，仿佛无穷尽地在探索 「体积小、性能好、价格便宜」的特性, 这股动力不断地驱动着设备制造商及其供应商朝这共同的目标迈进。以砷化镓 (GaAs) 为基础的异质介面双极电晶体 (HBT) 技术涵含盖了上述的三个特性，并持续地对特定应用提供绝佳的解决方案 |
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采磷化铟镓技术 EiC推出Class 12等级放大器 (2001.11.20)
由国人在美国硅谷成立的美国EiC无线通信公司，昨(11/20)发表一系列的功率放大器模块(Power Amplifier Modules)产品，包括：ECM007及ECM009等。此系列产品内含的专属射频IC芯片，采先进的磷化铟镓(InGaP GaAs HBT)制程技术，其特色是在超小体积及热效能的技术突破，使客户获得GPRS Class-12的操作需求并同时显著缩减线路空间 |
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手机零组件产业全方位剖析(上) (2001.03.05)
台湾为全球资讯设备第三大产出国，由于国内资讯产业逐渐成熟，上、下游厂商无不积极转型。 2000年的手机市场预估有4.1亿支以上的市场，国内厂商眼见手机市场的庞大商机，竞相设厂进入手机制造产业 |
