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100％绿电运营 英飞凌启用全球最大8寸SiC功率半导体晶圆厂 (2024.08.08)
英飞凌科技宣布，其位於马来西亚的新厂一期建设正式启动运营。建设完成後，该厂将成为全球最大且最具竞争力的8寸碳化矽（SiC）功率半导体晶圆厂。马来西亚总理拿督思里安华、吉打州务大臣拿督思里莫哈末沙努西与英飞凌执行长 Jochen Hanebeck 一同进行启用仪式 |
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新世代先进封装树立国际里程碑 产研跨国携手开发卫星通信系统 (2022.12.16)
根据Yole Developpement资料显示，2018 年至2025 年全球射频（RF）前端的市场规模将由 150 亿美元成长至 258 亿美元，年复合成长率高达 8%。为了达到高速且低延迟的通讯品质，并发展更多创新应用 |
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Micro LED用於AR眼镜晶片 预估2026年产值达4,100万美元 (2022.07.02)
迎接元宇宙世代降临，根据TrendForce最新Micro LED报告研究显示，在众多Micro LED显示应用领域中，又以Micro LED微型显示器会是接续大型显示器发展的新型高阶产品，预估截至2026年为止，用於AR智慧眼镜显示器晶片的产值将达到4,100万美元 |
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英飞凌投资扩大马来西亚居林前端工厂提升宽能隙半导体产能 (2022.02.22)
为了大幅提升宽能隙（碳化矽和氮化??）半导体的产能，进一步巩固和增强其在功率半导体市场的领导地位。英飞凌科技将斥资逾20亿欧元，在马来西亚居林工厂建造第三个厂区 |
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碳化矽基板及磊晶成长领域 环球晶布局掌握关键技术 (2021.06.18)
在化合物半导体材料领域，环球晶在碳化矽晶片领域的专利布局，着重碳化矽晶片的表面加工方法以及磊晶技术。唯有掌握关键技术、强化供应链及提升半导体晶圆地位，才能够在国际市场上脱颖而出 |
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ST收购氮化??创新企业Exagan多数股权 扩大高频大功率开发计画 (2020.03.11)
半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics；ST）已签署收购法国氮化??（GaN）创新企业Exagan多数股权的并购协议。Exagan的磊晶制程、产品研发和应用经验将拓展并推动意法半导体之车用、工业和消费性功率GaN的研发和业务 |
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新世代的电力电子 将让电动车更便宜、更有效率 (2019.03.11)
：欧盟的HiPERFORM将推出宽能隙的电力电子，并运用在下世代的电动车之中。 |
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意法半导体和Leti合作开发矽基氮化??功率转换技术 (2018.09.28)
意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）和CEA Tech旗下之研究所Leti宣布合作研发矽基氮化??（GaN）功率切换元件制造技术。该矽基氮化??功率技术将让意法半导体满足高效能、高功率的应用需求，包括混动和电动汽车车载充电器、无线充电和伺服器 |
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全球百大科技研发奖出炉 工研院耕耘有成获九大奖项 (2017.11.20)
获奖技术名称
得奖技术说明
技转厂商
人工智慧建筑节能系统平台
只要15-30几分钟就能计算出整楝建筑物的耗能，提供最隹的节能良方，目前已用在华南银行全国150间分行、全家便利商店，润泰集团旗下之润弘精密工程，亦即将采用於评估建筑节能分析 |
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iST建高阶TEM，聘权威-鲍忠兴博士，材料分析能量大跃升 (2014.05.12)
随着半导体产业不断寻求朝20/14奈米制程发展之际，电子验证测试产业-iST宜特科技在材料分析不缺席。iST宜特今(5月12号)宣布除了布建目前业界EDS元素分析能力最强的TEM设备：JEM-2800外，更和成大微奈米中心进行材料分析技术开发合作，同时聘请该中心副研究员、国内顶尖TEM权威－鲍忠兴博士担任顾问，设备与技术能量一次到位 |
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最新平面型功率MOSFET系列UniFET II MOSFET问世 (2013.08.19)
高电压功率 MOSFET 一般分为两大类： 超接面（SJ : Super Juction）MOSFET 和平面型 MOSFET。由于其电荷平衡结构和更小的输入栅极电荷（Qg），SJ MOSFET具有比平面型 MOSFET 更低的导通电阻（RDS(on)）和更快的开关性能 |
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单元四: MOCVD磊晶技术制程实作研习班 (2012.08.17)
课程介绍
实验室实际操作课程，限额12人，名额有限，请速报名！！
LED结构通常以MOCVD设备进行量产，MOCVD磊晶技术将悠关整体LED结构良率与亮度，MOCVD磊晶需具备多方面知识备景，同时MOCVD参数多样将影响 Run机成果，本课程介绍MOCVD磊晶原理与应该注意事项，同时介绍目前业界对 LED于磊晶可能面临相关问题先行进行预防 |
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单元三：LED原理制程与高效能高功率InGaN LED设计 (2012.08.03)
课程介绍
本课程着重于使学员了解LED原理与制程技术。探讨现今影响发光二极管效能之因素，并以实验结果结合仿真理论分析清楚地介绍其机制为何，使得学员不单单只是了解到发光二极管之结构设计，更可清楚的了解其背后之物理机制等，并分享实际案例与现今文献作比较 |
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LED关键制程、设备与量测技术系列课程 (2012.07.06)
课程介绍
台湾LED产业结构中在生产制造部份已相当的完整，但关键材料与生产设备仍多仰赖进口，LED结构通常以MOCVD设备进行量产，但缺乏设备厂商支持，使我国LED产业难以维持竞争优势 |
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LED磊晶制程与热阻量测技术训练班 (2010.09.23)
LED由于具备省电、寿命长、反应时间快、环保及固态组件耐震动之优势，已逐渐取代市面上的各种发光源。而于开发应用于固态照明白光LED之三大重要技术中，主要以上游磊晶部分需投注最多的研发人力及物力 |
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LED磊晶制程与设备技术研讨会 (2010.09.16)
举办LED磊晶制程与设备技术研讨会，旨在促成国内LED业者于磊晶制程设备及制程技术之研讨与经验交流，促进制程与设备技术之发展升级，并提供一制程与设备业者相互的交流机会 |
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欧司朗新高电流LED打造高亮度投影机 (2010.07.13)
欧司朗光电（Osram）于日前宣布，推出新款LED产品－OSTAR Compact，该产品将可处理更高电流，并且热阻更低，可在脉冲模式下处理最高6A的电流，适合小型行动装置的微型和口袋型投影机使用 |
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中德电子计划Q3量产12吋硅晶圆 (2005.01.22)
据业界消息，目前为美商MEMC百分之百持股的竹科中德电子材料，已规画在2005年内量产12吋硅晶圆生产线。该生产线将把MEMC日本厂产出的（Ingot）运来台湾进行后段切割抛光制程，并设置12吋磊晶（epi）反应炉，提供磊芯片制程，预计于2005年第三季开始量产 |
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LED趋势演变与突破 (2001.09.01)
80年代迄今，LED一直有着戏剧化的发展与瓶颈。从前期上游材料研发困难的突破，到近期经济状况大幅度改变，都成为LED发展重心转移的原因。笔者随着它的演变、研发过程，从法令及环境方面分析出产业发展的契机 |
