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东芝推出新一代N-channel MOSFET 30V及60V系列 (2016.01.13)
东芝半导体封装技术再跃进，研发推出新一代N-channel MOSFET 30V及60V系列，皆以U-MOS IX-H沟槽式半导体制程为基础设计，此设计已被使用于降低导通电阻，在各种不同载量下带来最佳化效率；同时也可降低输出电容
美光将评估收购英飞凌内存事业 (2006.03.06)
全球第三大DRAM厂美光科技总裁爱波顿（Steve Appleton）指出，虽然至今仍没有任何人与美光接触，询问美光是否有意收购英飞凌内存事业，但是美光已做好准备，如果可能的话，将开始评估收购英飞凌内存事业
谈判破局　英飞凌决定退出茂德 (2002.12.10)
DRAM厂英飞凌（Infineon）昨天宣布，经过多次努力，与茂矽公司针对合资公司茂德的未来所作的协商宣告失败。由于无法找到英飞凌与茂矽满意解决方案，所以Infineon将根据台湾相关法令以及市场状况，处分其所拥有大约30％的茂德股权


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