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尔必达救或不救 日政府扮关键 (2012.03.23)
日本内存大厂尔必达(Elpida)到底要不要救，一救就会让DRAM市场供过于求，但不救的话，供不应求的情况也会导致市场DRAM价格飙涨。这一切，都得端看日本政府最后决定怎么做才晓得 |
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对抗不景气 尔必达可能冻结50奈米生产计划 (2008.10.07)
外电消息报导，内存芯片厂尔必达（Elpida）日前表示，为了因应全球金融风暴所造成的影响，该公司将以生产尺寸更小的芯片来降低生产成本，并可能冻结数项采用新制程的产品计划 |
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SEMI : 2008年半导体晶圆厂设备支出将减少15％ (2008.02.21)
SEMI（国际半导体设备材料产业协会）的Fab Database分析报告指出，由于许多晶圆厂建置计划暂时延滞至2009年，相较于2007年整体设备支出增长9 ％， 2008年晶圆厂设备资本支出将下滑15％ |
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联电跨足内存 与尔必达交互授权技术 (2007.10.25)
联电积极布局内存市场，将与日本尔必达（Elpida）合作进行交互授权，由尔必达提供联电SOC内嵌DRAM所需的技术，联电则提供尔必达发展先进制程所需的低介电质铜导线（low-k/Cu）专利 |
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力晶12C厂将以79.7亿元价值让与瑞晶 (2007.04.18)
力晶半导体召开董事会并决议通过，将力晶原有之12C厂房及该厂设备以79.7亿元的资产价值，让与力晶100％持有的瑞晶，并由瑞晶发行新股给力晶作为收购对价。而为了控制瑞晶之股本 |
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力晶与瑞萨合作跨入SiP市场 (2007.01.16)
力晶半导体在标准型DRAM领域扩大与尔必达（Elpida）合作后，在利基型DRAM及闪存市场上，亦扩大与瑞萨科技（Renesas）合作，力晶及瑞萨已决定合资成立先进内存设计公司Vantel，投入系统封装模块（SiP）内存研发设计市场，该公司设籍日本，力晶持有65％股权，瑞萨则占股35％，董事长由瑞萨内存事业部长森茂出任 |
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力晶2007年营收可望挑战1500亿 (2007.01.04)
力晶2006年12月营收达新台币113.8亿元，拉开与联电间的差距，总计2006年营收约920亿元。预计力晶在2007年制程持续微缩至70奈米的贡献下，成长率至少达50％以上。预估若DRAM价格持稳，2007年营收则有机会挑战1500亿元 |
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VTF2005预计6月初于台北、北京展开 (2005.05.13)
IC设计与个人计算机平台解决方案厂商威盛电子，宣布第六届威盛科技论坛（VTF2005）将于6月1日（三）至3日（五）在台北、6月7日（二）在北京隆重举行，会中并将有许多企业重量级人物发表演说 |
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SiS与尔必达、美光、三星合作 (2004.12.08)
硅统科技(SiS)宣布，通过全球PCI-SIG PCI Express组织兼容性测试的SiS656北桥芯片，已与世界三大内存制造厂尔必达(Elpida)、美光
(Micron)、三星(Samsung) 完成DDR2-667MHz、DDR2-533MHz、DDR2-400MHz规格之相互验证，未来硅统科技将与这三大内存大厂更加紧密合作
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传中芯首座12吋厂即将进行装机 (2004.06.05)
中国大陆晶圆代工业者中芯国际（SMIC）首座12吋厂Fab4，传设备已抵达并即将开始进行装机作业。据外电报导，中芯12吋晶圆厂将为英飞凌（Infineon）和尔必达（Elpida）代工，预计2004年下半开始投产 |
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DDR-II 封测委外代工将成趋势 (2004.05.04)
因英特尔（Intel）将于第二季推出支持DDR-Ⅱ的芯片组Grantsdale，全球DRAM厂开始积极布局DDR-Ⅱ产能，包括Hynix、尔必达（Elpida）等都已来台下单，美光（Micron）、英飞凌（Infineon）年底时也有将封测委外计划 |
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OEM厂补库存 DRAM现货市场价格狂飙 (2004.04.06)
据工商时报消息，DRAM现货市场因戴尔、惠普等OEM计算机大厂需求提高，出现约3％～5％的供给缺口，主流产品256Mb DDR价格于日前大涨一成，创下5年来单日最大涨幅纪录；该报导引述业者看法指出，DRAM厂释出至现货市场货源已不多，价格仍有上扬空间 |
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iSuppli指PC需求回升 带动DRAM业获利 (2003.12.16)
市调机构iSuppli公布最新报告指出，个人计算机（PC）需求反弹回升，除将使DRAM业者获利，厂商也可望因此有更多现金投入技术升级，推论2004年DRAM大厂将纷纷提高资本支出，前13大供货商合计投资额可望较前1年大幅增加42％，达88.5亿美元 |
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市场指三星转拨12吋产能主因 为看坏DRAM市况 (2003.11.25)
根据市调机构iSuppli指出，南韩三星电子年底前将把12吋厂的1万片左右月产能，改投高密度NAND闪存（Flash），并将制程由0.12微米微缩至0.11微米。而市场消息认为，三星此举表示该公司对2004年上半年DRAM市况不抱乐观 |
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业者制程转换不顺 DRAM价格下探风险高 (2003.10.27)
经济日报报导，全球DRAM厂第四季在制程转换上之情况皆不尽理想，除英飞凌、Hynix等都传出运转不顺情形，台湾DRAM厂华邦电、力晶及南科等业者，也因部分新制程良率偏低，次级产品流入现货市场导致价格有下探风险，惟第四季OEM高阶DRAM出货增加有限，合约价可望持平 |
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DRAM供需趋于平稳 价格大幅上扬难再现 (2003.10.25)
据经济日报报导，动态随机存取内存（DRAM）供需趋于平稳，第四季256M颗粒报价将在4至5美元间，不易有大幅上涨的机会，但多数DRAM厂都因为已升级到0.15微米、0.13微米以下制程，将成本降低到4美元以下，而有获利机会 |
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日半导体业者与中国晶圆代工厂结盟策略日益明显 (2003.10.07)
据日经产业新闻报导，中国大陆庞大半导体内需市场吸引不少国际半导体厂商眼光，然而碍于各国国防相关法律限制，赴大陆设厂的困难度颇高；为抢占市场先机，日本半导体大厂采取与大陆晶圆代工业者结盟合作的策略日趋明显 |
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尔必达亦将日政府提出反Hynix倾销DRAM案 (2003.08.21)
据工商时报报导，继欧美等国控诉南韩DRAM业者Hynix接受南韩政府不当补助、违反市场公平交易原则的控告之后，为防止Hynix在日本市场进行倾销，日本DRAM业者尔必达（Elpida）也已经向日本政府提出对Hynix之控告 |
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全球反倾销 Hynix市场不保 (2003.05.05)
自欧盟、美国均对韩国DRAM厂Hynix因接受政府的非法补助，而进行控告与制裁，此一案例一出后，果然效应威震DRAM产业，连台湾DRAM厂南亚科、华邦、力晶、茂硅等企业都自组联盟，并提出反倾销的控诉 |
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台湾地区一月份DRAM产出 成长20％ (2003.02.07)
Chinatimes报导，根据集邦科技日前公布之统计资料，一月份全球DRAM总产出达4亿3000万颗（128Mb约当颗粒），与上月相较成长8％，而其中台湾地区DRAM产出有20％成长，其主因为茂德不再出货予原合作伙伴英飞凌（Infineon） |
