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新思和Silicon Metrics 共同开发单芯片系统内存特性分析解决方案 (2002.01.10)
新思科技及Silicon Metrics Corporation十日宣布推出其内存特性分析解决方案。这套方案是以新思科技的NanoSim作为多层级混合信号仿真器及Silicon Metrics的SiliconSmart MR作为开发基础，并且充分运用了 NanoSim的阶层式数组减化 (HAR) 技术及SiliconSmart MR的内存特性分析和塑模工具，可随时提供设计单芯片系统 (SoC) 所需的内存模型


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