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[专栏]记忆体撞墙效应谁来解？ (2014.12.15)
电脑系统的效能精进，在近年来遭遇一些问题，例如处理器的时脉撞墙（Clock Wall）问题，即运作时脉难以超越4GHz，2011年第4季Intel推出第二代的Core i7处理器达3.9GHz，至今Intel所有的处理器均未超过3.9GHz |
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掌握优势 前进FB-DIMM市场 (2006.08.09)
奇梦达（Qimonda）于2006年5月由德国英飞凌科技独立而成新的内存公司。在成立初期即强势进军完全缓冲存储器模块（Fully Buffered Dual-In-line Memory Module；FB-DIMM）市场，并宣布开始量产新的DDR2 FB-DIMM，目前英特尔的Bensley服务器平台已采用奇梦达512MB至4GB的533MHz与667MHz FB-DIMM |
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掌握优势 前进FB-DIMM市场 (2006.08.07)
奇梦达（Qimonda）于2006年5月由德国英飞凌科技独立而成新的记忆体公司。在成立初期即强势进军完全缓冲记忆体模组（Fully Buffered Dual-In-line Memory Module；FB-DIMM）市场，并宣布开始量产新的DDR2 FB-DIMM，目前英特尔的Bensley伺服器平台已采用奇梦达512MB至4GB的533MHz与667MHz FB-DIMM |
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解析伺服系统之新内存架构──FB-DIMM (2006.07.06)
目前DDR2 SDRAM需要240pin接脚，然而主板的电路布局面积有限，难以再用拓宽线路数的方式来提升效能，虽然可以用增加电路板层数的方式来因应，但成本也会大增。因此Lntel提出FB-DIMM的新内存架构，用意在于提升服务器及高阶工作站的内存效能，同时也扩增内存的容量潜能 |
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解析伺服系统之新记忆体架构──FB-DIMM (2006.06.02)
目前DDR2 SDRAM需要240pin接脚，然而主机板的电路布局面积有限，难以再用拓宽线路数的方式来提升效能，虽然可以用增加电路板层数的方式来因应，但成本也会大增。因此Lntel提出FB-DIMM的新记忆体架构，用意在于提升伺服器及高阶工作站的记忆体效能，同时也扩增记忆体的容量潜能 |
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IDT AMB先进内存缓冲器芯片导入量产 (2006.03.01)
IDT宣布其先进内存缓冲器芯片(advanced memory buffer;AMB)已通过英特尔(Intel)的验证程序，成为业界第一家能够量产供货AMB的厂商，应用于全缓冲双线内存模块(Fully Buffered Dual In-line DIMM；FB-DIMM)解决方案，AMB芯片能有效增加服务器和工作站的速度和记忆容量，强化数据处理能力 |
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IDT与Intel先进内存缓冲器相互支持 (2005.08.28)
整合通讯IC厂商IDT宣布，采用IDT与Intel生产之先进内存缓冲器（AMB）的全缓冲双列直插式内存模块（FB-DIMM）之间可以互通，技术迈向新的里程碑。有了这项互通之后，内存模块、服务器与工作站的设计工程师可选择FB-DIMM平台，而系统仍保持弹性，随带宽需求增加而升级 |
