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英飞凌推出新一代80V与100V功率MOSFET 电源效率再升级 (2021.03.22)
英飞凌科技推出StrongIRFET 2新一代功率MOSFET技术的80V和100V产品。新产品拥有广泛的经销供货通路和出色的性价比，成为设计人员可以便利选购的理想产品。该产品系列针对高、低切换频率进行最隹化，可支援广泛的应用范围，提供高度的设计灵活性，可受益於StrongIRFET的应用包括SMPS、马达驱动、电池充电工具、电池管理、UPS及轻型电动车 |
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CoolSiC MOSFET与TRENCHSTOP IGBT推出Easy 2B 封装 (2019.08.07)
相较於传统 3 阶中点箝位拓扑，进阶中点箝位 (ANPC) 变频器设计可支援半导体装置间的均匀损耗分布。英飞凌科技旗下1200V系列混合式 SiC 与 IGBT 功率模组新增采用 ANPC 拓扑的 EasyPACK 2B封装 |
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英飞凌专为50Hz至20kHz的低切换频率设计全新等级 IGBT (2015.01.30)
英飞凌科技（Infineon）推出全新等级的低饱和电压 VCE(sat) IGBT，专为 50Hz 至 20 kHz 的低切换频率所设计，适用于不断电系统（UPS）以及太阳光电与焊接系统中的变频器等应用 |
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三相位转换器之建置与操作 (2002.08.05)
以具有极度瞬间响应（transient response）的低电压供应稳定的电流，是IT电力管理的主要科技驱动器要素。本文将讨论目前提供电力给 GHz 等级与 CPU 时所需要之 DC-DC 转换器的特别要求、多相位拓朴学的优点，以及使用完整三相位同周期脉宽调变调节器集成电路的Intel VRM9.0 的建置情形 |
