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英飞凌与 Wolfspeed 扩展多年期碳化矽 6 寸晶圆供应协定 (2024.01.25)
随着产业供应链对碳化矽产品的需求持续增加，英飞凌科技与Wolfspeed 公司共同宣布扩大於 2018 年 2 月所签署的长期 6 寸碳化 （SiC） 矽晶圆供应协定，并且延长期限。双方扩展的合作范围，包括一个多年期的产能预订协定，进而稳定英飞凌整体供应链，以因应汽车、太阳能、电动车应用及储能系统等领域对於碳化矽半导体需求成长 |
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Wolfspeed首座8寸SiC晶圆厂投入量产 (2022.05.03)
Wolfspeed宣布其位於美国纽约州莫霍克谷（Mohawk Valley）的SiC制造工厂正式营业。这座 200mm(8英寸)晶圆厂将助力推进诸多产业从 Si 基产品向 SiC 基半导体的转型。
纽约州州长 Kathy Hochul 莅临现场并预祝 Wolfspeed 在莫霍克谷（Mohawk Valley）大展宏图 |
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Wolfspeed SiC功率半导体助力Lucid Air提高性能与效能 (2022.04.28)
Wolfspeed於近日宣布与Lucid Motors达成重要合作。Lucid Motors将在其高性能、纯电动车型Lucid Air中采用Wolfspeed SiC功率元件解决方案。同时，Wolfspeed和Lucid Motors签订多年协议，将由Wolfspeed生产和供应SiC装置 |
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EV用电池三分天下，逐鹿次世代车用市场 (2021.11.25)
车用电池市场的竞争日趋激烈，中国已跃然成为最大的锂离子电池生产国。现阶段虽然中国业者占有最大的市场比例，但日韩两国积极布局的EV（Electric Vehicle）用电池崛起，俨然成为抢攻次世代车用市场的关键组件 |
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应用材料助碳化矽晶片制造 加速升级至200毫米晶圆 (2021.09.09)
应用材料公司推出新产品，协助全球领先的碳化矽 (SiC) 晶片制造商，从150毫米晶圆制造升级为200毫米制造，增加每片晶圆裸晶 (die) 约一倍的产量，满足全球对优质电动车动力系统日益增加的需求 |
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Cree谋转型发展碳化矽 独霸SiC晶圆市场 (2021.07.14)
相较于第一代半导体材料的矽（Si）与第二代半导体材料的砷化镓（GaAs），碳化矽（SiC）与氮化镓（GaN）等第三代宽能隙半导体材料拥有高电子迁移率、直接能隙与宽能带等特性 |
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中国高斯宝采用科锐SiC电晶体 提升伺服器电源效率 (2021.06.13)
科锐公司(Cree)宣布，中国高斯宝电气（Gospower）将在其次代通用备援电源(CRPS)解决方案中，采用Wolfspeed 650V碳化矽金氧半场效电晶体(MOSFET)，来提高电源效率。
科锐指出，Wolfspeed的650V碳化矽MOSFET透过低开关和导通损耗提供高效率，并具有高功率密度的特点，包括更小的体积、更轻的重量和更少的元件数 |
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Cree与StarPower助客车厂商开发碳化矽电机控制器系统解决方案 (2020.06.10)
客车行业的宇通客车（宇通集团）於日前宣布，其新能源技术团队正在采用基於科锐（Cree, Inc.）1200V SiC器件的Stare半导体功率模块，开发更高效率，更快，更小，更轻，更强大的电机控制系统，各方共同推进SiC逆变器在新能源大巴领域的商业化应用 |
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Cree和ST扩大现有碳化矽晶圆供货协定并延长协定期限 (2019.11.22)
Cree和半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics，ST）宣布，双方将现有碳化矽（SiC）晶圆多年长期供货协定总价提升至5亿美元以上，并延长协定有效期限。这份延长供货协议相较原合约总价提升一倍 |
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科锐与ABB宣布SiC合作 供汽车和工业领域解决方案 (2019.11.21)
全球碳化矽（SiC）技术领先企业科锐（Cree Inc.，美国纳斯达克上市代码：CREE）与ABB电网事业部宣布达成合作，共同扩展SiC在快速增长大功率半导体市场的采用。协定内容包括在ABB种类齐全的产品组合中，将采用科锐Wolfspeed SiC基半导体，这将有助科锐扩大客户基础，同时加快ABB进入正在快速扩大的电动汽车（EV）市场 |
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科锐与采埃孚推进电驱动领域合作 (2019.11.06)
全球碳化矽（SiC）半导体企业科锐（Cree, Inc.）与德国采埃孚（ZF Friedrichshafen AG）宣布达成战略合作，开发业界领先的高效率电传动设备。
通过此次战略合作，科锐与采埃孚将强化现有的合作 |
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科锐将在纽约州建造全球最大SiC制造工厂 (2019.09.24)
作为碳化矽（SiC）技术全球领先企业的科锐（Cree, Inc.），於今日宣布计画在美国东海岸创建碳化矽走廊，建造全球最大的碳化矽制造工厂。科锐将在美国纽约州Marcy建造一座全新的采用最先进技术并满足车规级标准的200mm功率和射频（RF）晶圆制造工厂 |
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Cree与德尔福科技开展汽车SiC元件合作 (2019.09.15)
科锐（Cree）与德尔福科技（Delphi Technologies）宣布开展汽车碳化矽（SiC）元件合作。双方的此次合作将通过采用碳化矽（SiC）半导体技术，为未来电动汽车（EV）提供更快、更小、更轻、更强劲的电子系统 |
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CREE投资10亿美元 扩大SiC碳化矽产能 (2019.05.08)
Cree 宣布，将投资10亿美元用於扩大SiC碳化矽产能，在公司美国总部北卡罗莱纳州特勒姆市建造一座采用最先进技术的自动化200mm SiC碳化矽生产工厂和一座材料超级工厂。
该项目为该公司至今最大的投资，将为Wolfspeed SiC碳化矽和GaN-on-SiC碳化矽基氮化??业务提供动能 |
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Cree和意法半导体宣布碳化矽晶圆长期供货协议 (2019.01.10)
Cree宣布签署一份长期供货协议，为横跨多重电子应用领域的全球领先半导体供应商意法半导体 （STMicroelectronics，简称ST）生产和供应Wolfspeed 碳化矽（SiC）晶圆。按照该协议规定，在目前碳化矽功率元件市场需求明显成长的期间，Cree将向意法半导体提供价值2.5亿美元之150mm先进碳化矽裸晶圆与磊晶晶圆 |
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Wolfspeed最新1200V SiC MOSFET 促进电动车市场发展 (2018.06.26)
科锐旗下Wolfspeed於近日宣布推出最新第三代1200V碳化矽SiC MOSFET系列，为电动汽车动力传动系统带来性能突破。
这一开关元件能够实现高电压功率转换，进一步巩固Wolfspeed在电动汽车生态系统解决方案领域的领先地位 |
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Cree收购英飞凌RF Power业务 扩展4G/5G无线市场 (2018.03.08)
LED照明大厂Cree宣布，收购德国英飞凌射频功率(RF Power)业务之资产，收购金额约3.45亿欧元。这项交易将扩展Cree旗下Wolfspeed事业体在无线市场之商机。交易已经完成并於 3月 6 日生效 |
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飞思卡尔CEO：想赢，就得先夺中国市场！ (2012.12.07)
飞思卡尔技术论坛（FTF 2012）中国站于北京盛大举行。由于正值该公司新任总裁暨执行长Gregg Lowe走马上任，又逢半导体产业市场景气趋向保守，Gregg Lowe甫上任后的中国首秀，在首都北京举办，象征宣示着中国市场的主权在我！而Gregg也明白地说：想在半导体市场胜出，首先就得在中国市场先成功 |
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FTF后 飞思卡尔的坚持与挑战正要开始 (2012.08.16)
8月15日，当最后一场专题演说结束，也意味着为期两天的飞思卡尔技术论坛北京站正式划上句点。在此聚集来自亚洲各地的2000多名产业专家、企业领导人以及嵌入式软件工程师等，又将回到工作岗位上，而北京，也再次恢复往时的平静 |
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路就在这里！ (2012.08.15)
甫上任的飞思卡尔半导体总裁兼首席执行官Gregg Lowe，所遇到的第一场FTF活动，就选择举办在中国北京。在这场该公司年度重要盛会的开场演说中，Gregg不断强调中国市场的重要性 |
