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英飞凌CoolSiC助力台达双向逆变器 化EV为家庭紧急备用电源 (2022.08.03)
英飞凌科技股份有限公司宣布旗下CoolSiC产品获得全球领先的电力与能源管理解决方案供应商台达电子（Delta Electronics）选用，助力台达朝向利用绿色电力实现能源转型与碳中和的目标迈出了一大步 |
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英飞凌推出适合低/高功率高效率应用的高压MOSFET (2017.03.31)
【德国慕尼黑讯】英飞凌科技(Infineon) 扩增旗下CoolMOS技术产品系列，推出600 V CoolMOS P7和600 V CoolMOS C7 Gold (G7) 系列，能够以600 V崩溃电压运作，具有更佳的超接面MOSFET效能，可让各种目标应用达到无可比拟的功率密度 |
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英飞凌CoolMOS C7 650V Gold 采用TO-Leadless封装 (2016.05.20)
【德国慕尼黑讯】英飞凌科技（Infineon）CoolMOS系列推出新产品：采用 TO-Leadless 封装的 CoolMOS C7 Gold 650 V。本产品结合改良的超接面 (SJ) 半导体制程与先进 SMD 封装设计，为硬式切换应用带来优异效能 |
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英飞凌推出适用于MOSFET 之2 EDN EiceDRIVER (2015.11.27)
（德国慕尼黑讯）英飞凌（Infineon）推出适用于PFC、LLC 及切换式电源供应器同步整流器的全新2EDN7524 EiceDRIVER 驱动IC 系列。英飞凌首度推出MOSFET 专用型驱动器，2EDN 驱动IC 系列强化了既有的EiceDRIVER 系列产品 |
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英飞凌新一代 CoolMOS降低50%切换损耗 为系统奠定耐用性新标准 (2015.05.26)
（德国慕尼黑讯）英飞凌科技（Infineon）推出全新 CoolMOS C7 超接面（SJ）MOSFET系列。 相较于 CoolMOS CP 600 V 系列能减少 50% 的关闭损耗，在 PFC、TTF 和其他硬切换拓朴中发挥媲美氮化镓级的性能 |
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英飞凌参加德国纽伦堡PCIM 2015展会 (2015.05.21)
（德国慕尼黑讯）英飞凌科技（Infineon）于欧洲PCIM 2015展会首度展出英飞凌与国际整流器公司（IR）整合后的功率产品组合，此外也将展出GaN（氮化镓）产品，以及许多源自英飞凌「从产品思维到系统洞察」策略的创新解决方案 |
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e络盟为亚太区新增英飞凌革命性的COOLMOS系列功率MOSFET (2014.08.11)
e络盟宣布提供来自全球半导体和系统解决方案领先提供商英飞凌的高压MOSFET产品组合 — C7和P6系列CoolMOS功率MOSFET，它们具备极低的开关和传导损耗，从而可实现更高的功率密度和效率 |
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英飞凌推出 1EDI 精简型驱动器采用无核变压器技术 (2013.12.03)
英飞凌科技股份有限公司推出最新 1EDI EiceDRIVER 精简型单信道闸极驱动器，可用于高达 1200V 隔离电压之应用。这款具电气隔离的驱动器组件采用英飞凌开发的「无核变压器技术」，让输出可高达 6 安培的电流 |
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英飞凌推出TO 247-4针脚封装 CoolMOS MOSFET (2013.05.13)
英飞凌科技股份有限公司今日推出 TO 247-4 针脚封装的CoolMOSTM MOSFET。新增的第四针脚系做为 Kelvin 源极，能有效减少功率 MOSFET 源极接合线的寄生电感，这可使各种硬式切换拓朴 (例如连续导通模式功率因子控制器 (CCM PFC)、升压与双晶体管顺向式 (TTF))，达到最佳效率 |
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英飞凌推出 CoolMOS C7 (2013.05.09)
英飞凌科技股份有限公司 推出 CoolMOS C7，扩充其高电压产品组合，推出全新 650V 超接面 MOSFET 技术。新款 C7 产品系列可为所有标准封装提供同级最佳 RDS(on)，此系列的低切换损耗也提高了全负载时的效率 |
