 |
安森美第7代IGBT模组协助再生能源简化设计并降低成本 (2024.06.12)
安森美(onsemi) 最新发布第 7 代 1200V QDual3 绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 功率模组，与其他同类产品相比，该模组的功率密度更高，且提供高10%的输出功率。这800 安培 (A) QDual3 模组基於新的场截止第 7 代 (FS7) IGBT 技术，带来出色的效能表现，有助於降低系统成本并简化设计 |
|
英飞凌功率半导体为麦田能源提升储能应用效能 (2024.04.19)
近年来全球光储系统（PV-ES）市场快速增长。光储市场竞争加速，提高功率密度成为厂商得胜关键；英飞凌科技（Infineon）为逆变器及储能系统制造商麦田能源提供功率半导体元件，共同推动绿色能源发展 |
 |
投身车电领域的入门课：IGBT和SiC功率模组 (2023.05.19)
随着2021年全球政府激励政策和需求上升，正推动亚太、北美和欧洲地区的电动车市场稳步扩大。作为电能转换的关键核心，IGBT和SiC模组极具市场潜力。 |
|
PI新型3300V IGBT模组闸极驱动器 可实现可预测性维护 (2023.05.09)
Power Integrations推出全新的单通道随??即用闸极驱动器，该产品适用於高达 3300 V 的 190mm x 140mm IHM 和 IHV IGBT 模组。1SP0635V2A0D 结合了 Power Integrations 成熟的 SCALE-2 切换效能和保护功能，具有可配置的隔离串列输出介面，增?了驱动器的可程式性，并提供了全面的遥测报告，以实现准确的使用寿命预估 |
|
ROHM 1200V IGBT成功导入SEMIKRON-Danfoss功率模组 (2023.04.26)
SEMIKRON-Danfoss和半导体制造商ROHM在开发SiC（碳化矽）功率模组方面，已有十多年的良好合作关系。此次，SEMIKRON-Danfoss向低功率领域推出的功率模组中，采用了ROHM新产品1200V IGBT「RGA系列」 |
|
Power Integrations:以整合型方案实现高功率、小体积GaN充装置 (2022.01.28)
在全球电动车与绿能趋势的带动下，化合物半导体（第三代半导体）宛如找到了自己的春天，开始在各个产业应用中窜出头来，成为目前最火红的功率半导体解决方案。本文特别专访了美国领先的功率元件供应商Power Integrations行销??总裁Doug Bailey，分别针对氮化??（GaN）的技术与应用进行说明 |
|
东芝新款碳化矽MOSFET双模组适用于工业设备 (2022.01.27)
东芝(Toshiba)推出两款碳化矽(SiC)MOSFET双模组：额定电压为1200V、额定漏极电流为600A的MG600Q2YMS3；额定电压为1700V、额定漏极电流为400A的MG400V2YMS3。此为东芝首款具有此类电压等级的产品，与之前发布的MG800FXF2YMS3共同组成1200V、1700V和3300V元件的阵容 |
|
中美矽晶布局化合物半导体 成功开发各尺寸晶圆产品 (2021.12.22)
中美矽晶集团积极发展化合物半导体，如碳化矽(SiC)、氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)、钽酸锂及铌酸锂等。在本届的国际光电大展中，中美矽晶集团携手旗下半导体子公司环球晶圆及转投资事业 |
|
英飞凌推出24V双通道低压EiceDRIVER 具备启用功能及整合式导热片 (2021.02.03)
英飞凌科技宣布扩展其EiceDRIVER产品组合，推出新款具备整合式导热片的24V双通道低压闸极驱动器，能以高切换频率及最高峰值输出电流运作，且具备启用功能。此闸极驱动器适用於切换频率较高的应用，例如功因校正、同步整流，也可用在并联MOSFET应用采用的变压器驱动器或缓冲驱动器，或是EasyPACK和EconoPACK等高电流IGBT模组 |
|
英飞凌全新EiceDRIVER X3 Compact系列 快速整合高切换频率应用设计 (2020.12.24)
英飞凌科技针对旗下EiceDRIVER 1ED Compact隔离闸极驱动器系列，推出新一代产品X3 Compact (1ED31xx)系列。此闸极驱动器采用DSO-8 300 mil封装，提供单独的输出选项，并具备主动关断和短路箝制功能 |
|
高能效储能系统中多阶拓扑之优势 (2020.12.02)
开关元件的功耗降低可减少散热，较低的谐波内容仅需较少的滤波且 EMI 明显降低。 |
|
英飞凌推出62mm CoolSiC模组 开辟碳化矽全新应用 (2020.07.17)
英飞凌科技旗下1200V CoolSiC MOSFET模组系列新添62mm工业标准模组封装产品。62mm封装之产品采用半桥拓扑设计及沟槽式晶片技术，已受到业界的肯定。此封装为碳化矽打开了250kW以上（此为矽基IGBT技术在62mm封装的功率密度极限）中等功率应用的大门 |
|
英飞凌推出硫化氢防护功能产品 助力延长IGBT模组寿命 (2020.07.09)
强固性及可靠性决定了模组在严峻应用环境中的使用寿命。尤其是暴露於硫化氢(H2S)的环境，对於电子元件的使用寿命更有严重的影响。为解决此项威胁，英飞凌科技开发了一项全新的防护功能，推出搭载TRENCHSTOP IGBT4晶片组的EconoPACK+模组，是Econo系列第一款为变频器应用提供此防护等级的产品 |
|
PI推出用於紧压包装IGBT模组的SCALE-2随??即用闸极驱动器 (2020.03.04)
中高压变频器应用的闸极驱动器技术厂商Power Integrations(PI)今日推出1SP0351 SCALE-2 单通道+15/-10V随??即用闸极驱动器，专为来自Toshiba、Westcode和ABB等制造商的全新4500V紧压包装IGBT(PPI)模组而开发 |
|
ROHM推出1700V全SiC功率模组「BSM250D17P2E004」 在高温高湿环境下实现可靠性 (2018.12.05)
半导体制造商ROHM（总公司：日本国京都市）针对以户外发电系统和充放电测试仪等评估装置为首的工业装置用电源逆变器(Inverter)和转换器(Converter)，研发出实现可靠性的保证额定值1700V 250A的全SiC功率模组「BSM250D17P2E004」 |
|
英飞凌巩固功率半导体市场地位 (2018.09.06)
全球能源需求持续成长，推动因素包括工业、交通运输及民用的电气化，以及用电设备数量的增长，因此也提升了对於高效率功率半导体的需求。这些半导体用於发电、输电及用电的所有环境，能够有效率地管理设备、机器与系统 |
|
工研院携手强茂 前进电动车功率模组市场 (2018.06.28)
工研院与强茂公司今日签署合作合约，工研院与强茂宣示携手共同建立IGBT智慧功率模组试量产线，将生产工研院自行研发的IGBT智慧功率模组，该产品运作上可较传统产品降低40%热阻，同时降低晶片运作温度达20 |
|
贸泽供货STMicroelectronics ACEPACK IGBT模组 (2018.05.15)
贸泽电子即日起开始供应STMicroelectronics (ST)的ACEPACK IGBT模组。
Adaptable Compact Easier PACKage (ACEPACK) 模组属於专门针对工业应用所设计的最新塑胶功率模组系列，为3 kW至30 kW的工业和电源管理解决方案提供经济且高整合度的功率转换 |
|
英飞凌与上汽集团成立合资企业 布局中国电动车市场 (2018.03.05)
上海汽车集团股份有限公司和英飞凌科技股份有限公司宣布成立合资企业，为中国活跃的电动汽车市场制造功率模组。合资公司命名为「上汽英飞凌汽车功率半导体（上海）有限公司」，由上汽集团持股51%，英飞凌持股49% |
|
英飞凌推出EconoDUAL 3 IGBT 模组 搭载整合式分流器 (2018.02.21)
英飞凌科技股份有限公司 将 EconoDUAL 3 模组整合度推升至更高境界：推出搭载整合分流器电阻的模组，可在交流路径进行电流监控。透过该产品，变频器制造商可降低成本、提升效能，并简化变频器的设计 |
