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国研院携手台积电 成功开发磁性记忆体技术 (2024.02.20)
为满足快速读写、低耗电、断电後不会遗失资料的前瞻记忆体储存技术需求，全球各半导体大厂都积极投入研究人力，布局相关技术开发。国研院半导体中心今（20）日也宣布与台积电合作开发的「选择器元件与自旋转移力矩式磁性记忆体整合」（Selector and STT-MRAM Integration） |
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工研院与台积电合作开发SOT-MRAM 降百倍功耗抢高速运算商机 (2024.01.17)
面对现今人工智慧（AI）、5G构成的AIoT时代来临，包括自驾车、精准医疗诊断、卫星影像辨识等应用须快速处理大量资料，要求更快、更稳、功耗更低的新世代记忆体成为各家大厂研发重点 |
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锁定5G先进基地台及行动装置应用 imec展示高效能矽基氮化?? (2023.12.14)
於本周举行的2023年IEEE国际电子会议（IEDM）上，比利时微电子研究中心（imec）发表了在8寸矽晶圆上制造的氮化铝（AlN）／氮化??（GaN）金属绝缘体半导体（MIS）高电子迁移率电晶体（HEMT），该元件能在28GHz的操作频率下展现高输出功率及能源效率 |
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突破相机性能极限 imec展示全新次微米像素彩色成像技术 (2023.12.12)
於本周举行的2023年IEEE国际电子会议（IEDM）上，比利时微电子研究中心（imec）展示了一套能在次微米（sib-micron）等级的解析度下忠实分割色彩的全新技术，采用的是在12寸晶圆上制造的传统後段制程 |
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英特尔展示下世代电晶体微缩技术突破 将应用於未来制程节点 (2023.12.12)
英特尔公开多项技术突破，为公司未来的制程蓝图保留了创新发展，凸显摩尔定律的延续和进化。在今年 IEEE 国际电子元件会议（IEDM）上，英特尔研究人员展示了结合晶片背部供电和直接背部接触的3D堆叠 CMOS（互补金属氧化物半导体）电晶体的最新进展 |
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创新SOT-MRAM架构 提升新一代底层快取密度 (2023.04.17)
要将自旋轨道力矩磁阻式随机存取记忆体（SOT-MRAM）用来作为底层快取（LLC），目前面临了三项挑战；imec在2022年IEEE国际电子会议（IEDM）上提出一套创新的SOT-MRAM架构，能够一次解决这些挑战 |
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imec推出双层半镶嵌整合方案 4轨VHV绕线设计加速逻辑元件微缩 (2022.12.09)
本周IEEE国际电子会议（IEDM）上，比利时微电子研究中心（imec）发表了最新的半镶嵌整合方案，透过导入VHV绕线技术（vertical-horizontal-vertical）来实现4轨（4T）标准单元设计，加速元件微缩 |
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打造6G射频设计利器 imec推出热传模拟架构 (2022.12.06)
本周IEEE国际电子会议（IEDM）上，比利时微电子研究中心（imec）利用一套蒙地卡罗（Monte Carlo）模型架构，首次展示如何透过微观尺度的热载子分布来进行先进射频元件的3D热传模拟，用於5G与6G无线传输应用 |
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掌握铁电记忆体升级关键 imec展示最新介面氧化技术 (2022.12.06)
於本周举行的2022年IEEE国际电子会议（IEDM）上，比利时微电子研究中心（imec）展示了一款掺杂镧（La）元素的氧化????（HZO）电容器，成功取得1011次循环操作与更隹的电滞曲线（电场为1.8MV/cm时，残留极化值达到30μC/cm2），并减缓了唤醒效应 |
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评比奈米片、叉型片与CFET架构 (2022.04.21)
imec将於本文回顾奈米片电晶体的早期发展历程，并展??其新世代架构，包含叉型片（forksheet）与互补式场效电晶体（CFET）。 |
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3D SoC与晶背互连技术合力杀出重围 (2022.01.21)
新一代的高效能系统正面临资料传输的频宽限制，也就是记忆体撞墙的问题，运用电子设计自动化与3D制程技术.... |
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领先全球！工研院研发28nm铁电记忆体与记忆体内退火加速晶片 (2021.12.19)
工研院在美国旧金山的2021国际电子元件研讨会(2021 IEDM)中，发表可微缩于28奈米以下的铁电式记忆体，具高微缩性与高可靠度，唯一能同时达到极低操作与待机功耗的要求，未来更可应用在人工智慧、物联网、汽车电子系统 |
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旺宏电子总经理卢志远博士荣获2020 TWAS院士 (2019.12.17)
旺宏电子总经理卢志远博士近日获选为「世界科学院」（The World Academy of Sciences；TWAS）2020年新任院士，以表彰他在半导体物理与元件技术的卓越贡献。
卢志远博士获选TWAS「工程科学」(Engineering Sciences)学门院士 |
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工研院於IEDM发表下世代FRAM与MRAM技术获国际肯定 (2019.12.10)
工研院於今美国举办的IEEE国际电子元件会议(International Electron Devices Meeting；IEDM)中发表三篇铁电记忆体(Ferroelectric RAM；FRAM)以及三篇磁阻随机存取记忆体（Magnetoresistive Random-Access Memory；MRAM）相关技术重要论文，引领创新研发方向，并为新兴记忆体领域中发表篇数最多者 |
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创新FDSOI能带调制元件双接地层Z2FET (2018.02.02)
本文介绍一个创新的依靠能带调制方法的快速开关 Z2-FET DGP元件，该元件采用先进的FDSOI制造技术，具有超薄的UTBB，并探讨在室温取得的DC实验结果。 |
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旺宏电子总经理卢志远获颁中华民国科技管理学会「科技管理奖」 (2017.12.01)
旺宏电子今日宣布，总经理卢志远博士荣获第十九届中华民国科技管理学会「科技管理奖」。中华民国科技管理学会今)日由理事长吴思华颁赠「科技管理奖」予卢志远总经理，以表彰他在科技管理上的杰出表现 |
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旺宏电子3D NAND记忆体等四篇论文入选2017 IEDM (2017.11.29)
旺宏电子今日宣布，今年计有四篇论文入选国际电子元件大会IEDM，其中一篇探讨3D NAND创新结构的论文更获得大会评选为”亮点论文”（Highlight Paper），是今年台湾产学研界唯一获选的亮点论文 |
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积层式3D IC面世 台湾半导体竞争力再提升 (2014.01.07)
在IEDM（国际电子组件会议）2013中，诸多半导体大厂都透过此一场合发表自家最新的研究进度，产业界都在关注各大厂的先进制程的最新进度。然而，值得注意的是，此次IEDM大会将我国国家实验研究院的研究成果选为公开宣传数据，据了解，获选机率仅有1/100，而该研究成果也引发国内外半导体大厂与媒体的注意 |
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MRAM技术再突破 工研院启动全新内存战局!!（上） (2013.07.02)
在工研院即将进入欢庆40周年院庆之际，工研院电光所的研究团队所开发出来的「垂直式自旋磁性内存技术」荣获杰出研究金牌奖，此一技术乍看之下并不显眼，但该内存技术的背后，却也牵动了未来全球半导体大厂的势力布局 |
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旺宏电子五篇论文入选2013 VLSI技术会议 (2013.06.13)
全球超大规模集成电路技术及电路国际会议( IEEE Symposia on VLSI Technology & Circuits)即将于6月11日至14日于日本举办。旺宏电子今年共有六篇论文获选：其中一篇入选电路会议(VLSI Circuits) |
