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Power Integrations推1700V氮化??切换开关IC (2024.11.05)
Power Integrations推出其 InnoMux-2 系列的单级、独立稳压多路输出离线式电源供应器 IC 的新成员。新装置采用了业界首款透过该公司专有 PowiGaN 技术制造的 1700 V 氮化??切换开关 |
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宜鼎推出DDR5 6400记忆体，具备同级最大64GB容量及全新CKD元件，助力生成式AI应用稳定扎根 (2024.10.30)
全球AI解决方案与工业级记忆体领导品牌宜鼎国际（Innodisk）领先推出DDR5 6400记忆体模组，具备单条64GB的业界最大容量。产品采用全新的CUDIMM与CSODIMM规格，增设CKD晶片（用户端时脉驱动器）以提升传输讯号稳定性，并透过TVS（瞬态电压抑制器）防止因电压不稳造成元件毁损，为边缘应用提供至关重要的高稳定度 |
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使用MV Drive、同步传输控制降低能源成本 (2024.10.29)
智慧变频器可为石油、天然气、化学品、食品饮料等能源密集型产业节省数千美元。 |
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Littelfuse推出首款用於SiC MOSFET栅极保护的非对称瞬态抑制二极体系列 (2024.10.22)
工业技术制造公司Littelfuse推出SMFA非对称系列表面贴装瞬态抑制二极体，为市场上首款非对称瞬态抑制解决方案，专为保护碳化矽（SiC）MOSFET栅极免受过压事件影响而设计 |
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Vishay新型30 V和 500 V至 600 V额定电容器扩展上市 (2024.10.17)
Vishay Intertechnology扩展嵌入式四端子铝电解电容器299 PHL-4TSI系列，推出新型350 V、500 V、550 V、和 600 V 额定电容器，大大扩展设计人员可用的电容电压组合范围。Vishay BCcomponents 299 PHL-4TSI 系列专为电源以及工业和家用电器逆变器而设计，可减少组件数量并降低成本，同时提高机械稳定性和终端产品使用寿命 |
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电动压缩机设计核心-SiC模组 (2024.09.29)
电动压缩机是电动汽车热管理的核心零组件，对於电驱动系统的温度控制具有重要作用，对电池的使用寿命、充电速度和续航里程均至关重要，本文主要讨论SiC MOSFET 离散元件方案 |
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Littelfuse增强KSC2轻触开关系列提供精确电气高度 (2024.08.20)
Littelfuse公司宣布更新C&K Switches KSC2密封轻触开关产品线内容。这种表面贴装的防水轻触开关系列现在增加了电气高度。用於表面贴装技术（SMT）的KSC2系列轻触开关是一种IP67、3.5mm高瞬时动作轻触开关，配有软驱动器 |
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Bourns气体放电管2027-A系列设计符合AEC-Q200标准 (2024.08.07)
为了满足市场对可靠性、耐久性和法规标准的高需求，美商柏恩Bourns设计推出最新的气体放电管 (GDT) 系列Bourns 2027-A，符合AEC-Q200标准，提升在苛刻环境中的可靠性。该系列GDT在一些极端环境应用中所需的先进功能 |
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打开讯号继电器的正确方式 (2024.06.14)
讯号继电器是继电器的一个主要子类且用途特定，通常在通讯领域具有重要作用。本文介绍讯号继电器，具体包括讯号继电器的概念、与其他继电器的差异及关键的选型标准等 |
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电动压缩机设计ASPM模组 (2024.04.25)
电动压缩机是电动汽车热管理的核心部件，对电驱动系统的温度控制发挥着重要作用，本文重点探讨逆变电路ASPM模组方案。 |
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P通道功率MOSFET及其应用 (2024.04.17)
本文透过对N通道和P通道MOSFET进行比较，并介绍说明Littelfuse P通道功率MOSFET，以及探究其目标应用。 |
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以霍尔效应电流感测器简化高电压感测 (2024.03.27)
在电动车（EV）充电和太阳能逆变器系统中，电流感测器会透过监测分流电阻器中的压降，或是流过导体电流所产生的磁场来量测电流。这些高压系统使用电流资讯来控制与监测电源转换、充电与放电 |
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Diodes推出全新符合汽车规格的霍尔效应锁存器 (2024.01.04)
Diodes公司将AH371xQ系列高电压霍尔效应锁存器加入产品组合。这些符合汽车规格的元件采用专有霍尔板设计，能够应用於无刷直流（BLDC）马达控制、阀门操作、线性和递增旋转编码器以及位置感测功能 |
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Bourns新型浪涌保护器为高风险电气服务入囗和分支面板设计 (2023.12.21)
美商柏恩（Bourns）推出新型1260系列浪涌保护器（SPD）。这些AC混合SPD采用先进的MG（MOV + GDT技术）结构设计，由於此结构无泄漏或後续电流的特性，可提供增强的可靠性和安全保护 |
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Microchip新款压接式端子电源模组实现安装过程自动化 (2023.12.07)
为了在电动汽车、永续发展或资料中心市场大批量制造产品时，有效实现安装过程自动化，通常会使用压接式端子（press-fit terminal），它们将提供将电源模组安装於印刷电路板的免焊接解决方案 |
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Littelfuse全新SMC汽车级3kA SIDACtor 适用於高浪涌电流保护 (2023.11.22)
Littelfuse公司推出采用DO-214AB（SMC）封装的全新Pxxx0S3N-A汽车级3kA SIDACtor保护晶闸管系列。为在恶劣环境中工作的设备提供可靠的高浪涌电流保护，使设计人员能够更轻松地满足法规要求 |
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意法半导体1350V新系列IGBT电晶体符合高功率应用 (2023.11.21)
为了在所有运作条件下确保电晶体产生更大的设计馀量、耐受性能和高可靠性，意法半导体（STMicroelectronics）推出新系列IGBT电晶体将击穿电压提升至1350V，最高作业温度高达175 |
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Microchip 28奈米SuperFlash嵌入式快闪记忆体解决方案开始量产 (2023.09.28)
GlobalFoundries、Microchip及其旗下子公司冠捷半导体（SST）今（28）日宣布，采用GF 28SLPe制程的SST ESF3第三代嵌入式SuperFlash技术NVM解决方案即将投产。
随着边缘智慧化水准的不断提高，嵌入式快闪记忆体的应用也呈爆炸式增长 |
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英飞凌扩展1200V 62mm IGBT7产品组合 推出全新电流额定值模组 (2023.09.18)
英飞凌科技推出搭载1200 V TRENCHSTOP IGBT7晶片的62mm半桥和共发射极模组产品组合。模组的最大电流规格高达 800A ，扩展了英飞凌采用成熟的62 mm 封装设计的产品组合。电流输出能力的提高为系统设计人员在设计额定电流更高方案的时候，不仅提供最大的灵活性，还提供更高的功率密度和更优秀的电气性能 |
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东芝首款2200V双碳化矽MOSFET模组协助工业设备高效和小型化 (2023.08.30)
东芝电子开发业界首款用於工业设备的2200V双碳化矽（SiC）MOSFET模组MG250YD2YMS3 。新模组的漏极电流（DC）额定值为250A，并采用该公司的第三代SiC MOSFET晶片。适用於使用DC1500V的应用，如光伏发电系统、储能系统等 |
