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Toshiba推出1200 V第三代碳化矽肖特基栅极二极体新产品 (2024.09.26)
先进半导体和储存解决方案供应Toshiba公司在第三代碳化矽（SiC）肖特基栅极二极体（SBD）产品线中增添1200 V新产品「TRSxxx120Hx系列」，适合应用於光伏逆变器、电动汽车充电站，以及用於工业设备用的开关电源供应器、不断电供应系统（UPS）等工业设备 |
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运用返驰转换器的高功率应用设计 (2024.07.17)
本文阐述透过运行多个相位以及并用多个转换器来提高返驰转换器功率的可行性。此外，此种设定还能减少返驰式开关电源输入侧的传导辐射。 |
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Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极体 (2024.07.01)
威世科技（Vishay Semiconductors）推出16款新型第三代1200 V碳化??（SiC）肖特基二极体。Vishay器件采用混合PIN 肖特基（MPS）结构设计，具有高浪涌电流保护能力，低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流，有助於提升开关电源设计能效和可靠性 |
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贸泽扩展来自先进制造商的工业自动化产品系列 (2024.03.22)
在全球制造和自动化流程的数位化加速推动下，对於最新工业产品的需求持续成长。贸泽电子（Mouser Electronics）持续扩展其来自世界级制造商和解决方案交付合作夥伴的工业自动化产品系列，帮助客户加快设计速度 |
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英飞凌与安克成立创新应用中心 合作开发PD快充领域与节能解决方案 (2024.01.26)
随着行动装置、笔记型电脑和电池供电设备的不断增加，消费者对提高充电功率和充电速度的需求与日俱增。英飞凌科技（infineon）近日宣布与安克创新（Anker Innovations）在深圳联合成立创新应用中心 |
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智慧宅重新定义「家」的样子 (2024.01.24)
智慧住宅利用先进科技和自动化技术，实现安全、节能和便利的居住空间。
透过感应器、微控制器和智能设备，使家居系统能自动执行各种任务。
居住者可以远程监控和控制家中的设备，无论他们身在何处 |
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Bourns全新大功率电流检测电阻为电力电子设计节省能源 (2023.12.19)
美商柏恩（Bourns）推出四款全新大功率、极低欧姆电流检测电阻系列，可在电力电子设计中节省能源，同时最大化感测性能。该系列具有低温度系数（TCR），可在广泛的温度范围内提供操作精度和长期稳定性 |
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高压分离式功率元件HV Si-MOSFET应用效能 (2023.08.01)
本文重点介绍Littelfuse提供2 kV以上的高压分离式功率元件HV Si-MOSFET。 |
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英飞凌推出静态开关用的全新工业级和车规级高压超接面MOSFET (2023.07.31)
在静态开关应用中，电源设计着重於得以降低导通损耗、优化热性能、实现精简轻便的系统设计；英飞凌科技（Infineon）正扩大其CoolMOS S7 系列高压超接面（SJ）MOSFET 的产品阵容因应所需 |
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东芝推出最新一代650V SiC SBD可提高工业设备效率 (2023.07.13)
东芝（Toshiba）推出TRSxxx65H系列碳化矽（SiC）萧特基二极体（SBD），这是该公司第三代也是最新一代SiC SBD晶片，用於工业设备开关电源、电动汽车充电站、光伏逆变器为应用领域 |
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宏正前2月营收续创新高 专业影音将受惠AI带动成长 (2023.03.15)
看好全球经济正逐渐摆脱疫情影响，产品线涵括资讯暨专业影音（Professional AV）设备连接管理、智慧制造及物联网解决方案厂商宏正自动科技（ATEN），於今（15）日举行「营运绩效回顾与Q1新品布局」记者会，也说明宏正2022年合并营收创下历史新高，整体获利亦创近年隹绩，并延续至今（2023）年1、2月陆续创下该月历史新高 |
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Microchip推出耐辐射电源管理元件 专为低地轨道太空应用设计 (2023.01.18)
低地球轨道（LEO，高度低於约1200英里）的商业化正在改变太空探索和卫星通信。要使卫星成功运行并到达预定轨道，必须选择能够承受恶劣太空环境的元件。
在现有耐辐射产品组合的基础上，Microchip Technology Inc.今日宣布推出首款商用现货（COTS）耐辐射电源元件MIC69303RT 3A低压差（LDO）稳压器 |
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安森美推出TOLL封装SiC MOSFET小尺寸封装高性能低损耗 (2022.05.11)
安森美（onsemi）， 在PCIM Europe展会发布全球首款To-Leadless（TOLL）封装的碳化矽（SiC）MOSFET。该电晶体满足了对适合高功率密度设计的高性能开关元件迅速增长的需求。直到最近，SiC元件一直采用明显需要更大空间的D2PAK 7接脚封装 |
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ST VIPerGaN50功率电源转换器 优化效能与小型化 (2022.04.12)
意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）新款VIPerGaN50能简化最高50W的单开关反激式功率电源转换器设计，并整合一个650V氮化??（GaN）功率电晶体，优化电源的效能与小型化。
VIPerGaN50采用单开关拓扑和高整合度，包括内建电流感应和保护电路，并以低成本的5mm x 6mm小型封装 |
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SCHURTER新型双极滤波器适用于EMI高负载 (2021.12.31)
SCHURTER集团FPBB RAIL：通过一种超级紧凑型的外壳可提供三种电路保护类型。新型双极滤波器系列产品采用25mm的紧凑型外壳，因此需要的导轨安装空间非常小。滤波器可提供保险丝座或断路器两种选择 |
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意法半导体推出单晶片 GaN 闸极驱动器 (2021.09.10)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）新推出STDRIVEG600半桥闸极驱动器输出电流大，上下桥输出讯号传播延迟为45ns，能够驱动GaN加强型 FET 高频开关。
STDRIVEG600的驱动电源电压最高20V，还适用于驱动N沟道矽基MOSFET，在驱动GaN元件时，可以灵活地施加最高6V闸极－源极电压（Gate-Source Voltage；VGS），确保导通电阻Rds(on)保持在较低水准 |
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ROHM成功研发150V GaN元件技术 提升闸极耐压至8V (2021.04.14)
半导体制造商ROHM针对工控装置和通讯装置等电源电路，将150V GaN HEMT（GaN元件）的闸极耐压（闸极-源极额定电压）提升至8V。
近年来，在伺服器系统等设备中，由於IoT装置的需求日益增长，功率转换效率的提升和装置小型化已成为开发重点 |
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ST推出首款STM32无线微控制器模组 提升IoT开发效率 (2021.01.19)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）推出全新解决方案，能够有效加快物联网产品上市。该方案可利用现成的微型STM32无线微控制器（MCU）模组，加速Bluetooth LE和802.15.4物连网装置的开发周期 |
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ST推出VIPerPlus系列最新离线转换器 高度整合高功率配置型元件 (2021.01.13)
半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics；ST）推出VIPer31高功率配置型高压转换器IC，是VIPerPlus系列的最新产品，可提供高靠性之稳健的功率转换器，符合节能生态设计规范，同时还能节省物料清单（BoM）成本 |
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Digi-Key与GLF Integrated Power建立全球经销合作夥伴关系 (2020.12.09)
电子元件供应商Digi-Key Electronics宣布与GLF Integrated Power, Inc.建立全球经销合作夥伴关系，藉此扩大产品组合。GLF Integrated Power 提供突破性、超高效率、超小型的矽功率控制与防护积体电路(IC)，应用涵盖IoT、智慧穿戴装置、真无线耳机、智慧医疗装置、汽车、智慧手表光学模组、资产追踪与家用保全市场 |
