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车用晶片供需2023年见真章！ (2022.03.29)
由於设备建置与认证需要至少约一年的时间，产能最快2023年开出。因此，2022年车用晶片虽然不若2021年吃紧，供需恢复正常最快也要等到2023年。 |
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应用材料助碳化矽晶片制造 加速升级至200毫米晶圆 (2021.09.09)
应用材料公司推出新产品，协助全球领先的碳化矽 (SiC) 晶片制造商，从150毫米晶圆制造升级为200毫米制造，增加每片晶圆裸晶 (die) 约一倍的产量，满足全球对优质电动车动力系统日益增加的需求 |
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新能源车需求助攻 2025年GaN功率元件年CAGR达78% (2021.09.05)
TrendForce表示，2021年随着各国于5G通讯、消费性电子、工业能源转换及新能源车等需求拉升，驱使如基地台、能源转换器（Converter）及充电桩等应用需求大增，使得第三代半导体GaN及SiC元件及模组需求强劲 |
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科锐携手迈凌科技 实现新型超宽频5G技术 (2021.07.14)
科锐 (Cree, Inc.,)宣布，与美商迈凌科技(MaxLinea)成功合作，结合科锐 Wolfspeed碳化矽基氮化镓(GaN-on-SiC)中频功率放大器，和美商迈凌科技超宽频线性化解决方案(MaxLin)，增加了 5G 基地台的无线容量，可支援更多人同时使用，并且提高了资料传输速度 |
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中国高斯宝采用科锐SiC电晶体 提升伺服器电源效率 (2021.06.13)
科锐公司(Cree)宣布，中国高斯宝电气（Gospower）将在其次代通用备援电源(CRPS)解决方案中，采用Wolfspeed 650V碳化矽金氧半场效电晶体(MOSFET)，来提高电源效率。
科锐指出，Wolfspeed的650V碳化矽MOSFET透过低开关和导通损耗提供高效率，并具有高功率密度的特点，包括更小的体积、更轻的重量和更少的元件数 |
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赋能未来，勇往直前：SiC MOSFET问世10周年的思索 (2021.04.20)
在SiC MOSFET问世10周年之际，作者回顾科锐公司十年历史所经历的关键时刻，并认为未来的发展会比过去曾经历的增长还要巨大，也为下一步即将增长的产业曲线提出卓见。 |
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TrendForce：第三代半导体成长强劲 GaN产值年增90.6% (2021.03.11)
根据TrendForce调查，2018至2020年第三代半导体产业陆续受到中美贸易摩擦、疫情等影响，整体市场成长动力不足致使年增率持续受到压抑。然受惠於车用、工业与通讯需求??注，2021年第三代半导体成长动能有??高速回升 |
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科锐推出新系列SiC功率模组 助电动车快充和太阳能加速量产 (2021.01.21)
碳化矽技术大厂科锐(Cree)宣布推出Wolfspeed WolfPACK功率模组，扩展其解决方案，提升电动车快速充电、可再生能源、储能和各种工业电源应用的性能。通过采用1200V Wolfspeed MOSFET技术，该新型模组成功在简单易用的封装内实现效率最隹化，帮助设计人员开发出尺寸更小、扩展性更好、效率和性能皆显着提升的电源系统 |
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Cree与StarPower助客车厂商开发碳化矽电机控制器系统解决方案 (2020.06.10)
客车行业的宇通客车（宇通集团）於日前宣布，其新能源技术团队正在采用基於科锐（Cree, Inc.）1200V SiC器件的Stare半导体功率模块，开发更高效率，更快，更小，更轻，更强大的电机控制系统，各方共同推进SiC逆变器在新能源大巴领域的商业化应用 |
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5G来临 氮化??将逐步取代LDMOS (2020.03.02)
光电协进会(PIDA)指出，氮化??(GaN)将逐步取代基地台射频功率放大器中的LDMOS。尽管LDMOS技术目前仍占最大的营收部分，但为了要支撑次世代无线网路元件更高频、更高效率，设备制造商和运营商张开双臂的拥抱GaN元件，特别是在30 GHz至300 GHz的更高频率5G部署（包括毫米波段） |
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科锐与ABB宣布SiC合作 供汽车和工业领域解决方案 (2019.11.21)
全球碳化矽（SiC）技术领先企业科锐（Cree Inc.，美国纳斯达克上市代码：CREE）与ABB电网事业部宣布达成合作，共同扩展SiC在快速增长大功率半导体市场的采用。协定内容包括在ABB种类齐全的产品组合中，将采用科锐Wolfspeed SiC基半导体，这将有助科锐扩大客户基础，同时加快ABB进入正在快速扩大的电动汽车（EV）市场 |
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科锐与采埃孚推进电驱动领域合作 (2019.11.06)
全球碳化矽（SiC）半导体企业科锐（Cree, Inc.）与德国采埃孚（ZF Friedrichshafen AG）宣布达成战略合作，开发业界领先的高效率电传动设备。
通过此次战略合作，科锐与采埃孚将强化现有的合作 |
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打造SiC走廊 科锐将於纽约州建造最大SiC工厂 (2019.09.24)
科锐（Cree）计画在美国东海岸创建碳化矽走廊，建造全球最大的碳化矽制造工厂。科锐将在美国纽约州Marcy建造一座全新的采用最先进技术并满足车规级标准的200mm（8寸）功率和射频（RF）晶圆制造工厂，而与之相辅相成的超级材料工厂（mega materials factory）的建造扩产正在公司特勒姆总部开展进行 |
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科锐将在纽约州建造全球最大SiC制造工厂 (2019.09.24)
作为碳化矽（SiC）技术全球领先企业的科锐（Cree, Inc.），於今日宣布计画在美国东海岸创建碳化矽走廊，建造全球最大的碳化矽制造工厂。科锐将在美国纽约州Marcy建造一座全新的采用最先进技术并满足车规级标准的200mm功率和射频（RF）晶圆制造工厂 |
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Cree与德尔福科技开展汽车SiC元件合作 (2019.09.15)
科锐（Cree）与德尔福科技（Delphi Technologies）宣布开展汽车碳化矽（SiC）元件合作。双方的此次合作将通过采用碳化矽（SiC）半导体技术，为未来电动汽车（EV）提供更快、更小、更轻、更强劲的电子系统 |
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Wolfspeed推出首个满足汽车AEC-Q101标准的SiC器件系列 (2018.08.09)
科锐旗下Wolfspeed宣布推出E-系列碳化矽（SiC）半导体器件，这一新型产品家族针对电动汽车EV和可再生能源市场，能够为车载汽车功率转换系统、非车载充电、太阳能逆变器和其它户外应用提供目前最高的功率密度和长期可靠性 |
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科锐推出新款高光效XP-G2 HE LED (2018.07.23)
科锐推出新款高光效XLamp XP-G2 HE (High Efficacy) LED，在标准版XLamp XP-G2 LED基础上进一步提升性能、更高光输出和效率，从而帮助实现体积更小、重量更轻、成本更低的设计方案 |
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Wolfspeed最新1200V SiC MOSFET 促进电动车市场发展 (2018.06.26)
科锐旗下Wolfspeed於近日宣布推出最新第三代1200V碳化矽SiC MOSFET系列，为电动汽车动力传动系统带来性能突破。
这一开关元件能够实现高电压功率转换，进一步巩固Wolfspeed在电动汽车生态系统解决方案领域的领先地位 |
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科锐推出超高密度XD16 LED 流明密度突破280 lm/mm2 (2017.12.08)
科锐推出超高密度（Extreme Density）XLamp XD16 LED，实现其商业化量产。XD16流明密度最高可以达到科锐以往大功率LED流明密度的5.5倍。
基於科锐开创性的NX技术平台，XD16兼顾了突破性流明密度、低光学损失、优异散热管理和系统制造简易性等特点，能够为道路照明、工业照明、手电筒等在内的多种应用带来创新型新设计 |
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科锐新款CMA大电流系列COB提供光输出、光效和可靠性 (2017.10.13)
科锐(CREE)推出新款XLamp大电流（High Current）CMA系列，为金属基COB元件带来更高的流明密度和光效。CMA系列COB元件针对大驱动电流进行优化设计，最高可以提供2.5倍於科锐标准密度CXB系列COB器件的流明密度 |
