 |
Toshiba推出1200 V第三代碳化矽肖特基栅极二极体新产品 (2024.09.26)
先进半导体和储存解决方案供应Toshiba公司在第三代碳化矽（SiC）肖特基栅极二极体（SBD）产品线中增添1200 V新产品「TRSxxx120Hx系列」，适合应用於光伏逆变器、电动汽车充电站，以及用於工业设备用的开关电源供应器、不断电供应系统（UPS）等工业设备 |
|
工研院携手大南方产业 抢进功率半导体与氢应用商机 (2024.08.09)
自从3年前（2022）成立了南部产业创新策略办公室以来，工研院今（9）日再度於台南沙仑绿能科技示范场域举办「壮大南方产业 迈向永续净零产业成果联合特展及技术论坛」，汇集20位专家的产业洞见与趋势分析 |
|
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极体 (2024.07.01)
威世科技（Vishay Semiconductors）推出16款新型第三代1200 V碳化??（SiC）肖特基二极体。Vishay器件采用混合PIN 肖特基（MPS）结构设计，具有高浪涌电流保护能力，低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流，有助於提升开关电源设计能效和可靠性 |
|
博世2023年度营收、获利逆势成长 归功於交通及工业事业群贡献 (2024.02.07)
即使历经2023年全球经济不景气逆风来袭，根据博世集团今（日）最新宣告该集团不畏挑战，仍逆势达成该年度财务目标，总营业额约为916亿欧元，实质成长8%；营业利润率5%，较前一年4.3%微幅成长，合??预期 |
|
英飞凌与 Wolfspeed 扩展多年期碳化矽 6 寸晶圆供应协定 (2024.01.25)
随着产业供应链对碳化矽产品的需求持续增加，英飞凌科技与Wolfspeed 公司共同宣布扩大於 2018 年 2 月所签署的长期 6 寸碳化 （SiC） 矽晶圆供应协定，并且延长期限。双方扩展的合作范围，包括一个多年期的产能预订协定，进而稳定英飞凌整体供应链，以因应汽车、太阳能、电动车应用及储能系统等领域对於碳化矽半导体需求成长 |
|
博格华纳采用ST碳化矽技术为Volvo新一代电动车设计Viper功率模组 (2023.09.08)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）将与博格华纳（BWA）合作，为其专有的Viper功率模组提供最新的第三代750V碳化矽（SiC）功率MOSFET晶片。该功率模组用於博格华纳为Volvo现有和未来多款电动车型设计的电驱逆变器平台 |
|
工研院、筑波携手德山 串起半导体碳化矽产业链 (2023.08.15)
全球5G、电动车等产业蔚为趋势，化合物半导体因具备高功率、高频且低耗电特色，成为提升产品效率的关键材料，其中材料更是半导体前端制程的关键！为有效掌握半导体国产化关键材料技术 |
 |
车规碳化矽功率模组基板和磊晶 (2023.06.27)
本文叙述安森美在碳化矽领域从晶体到系统的全垂直整合供应链，并聚焦到其中的核心功率器件碳化矽功率模组，以及对两个碳化矽关键的供应链基板和磊晶epi进行分析。 |
|
三菱电机将建设新晶圆厂增进碳化矽功率半导体产能 (2023.03.14)
因应快速增长的电动汽车对於碳化矽（SiC）功率半导体需求，三菱电机（Mitsubishi Electric Corporation）宣布，至2026 年 3 月的五年内，将投资计画增加达到约 2600 亿日元，主要用於建设新的晶圆厂增加碳化矽（SiC）功率半导体的产量 |
|
英飞凌与 Resonac於碳化矽材料领域展开多年期供应合作协议 (2023.01.30)
英飞凌科技与其碳化矽 (SiC) 供应商扩展合作关系，宣布与 Resonac (前身为昭和电工) 签订多年期供应及合作协议，以补充并扩展双方在 2021年的协议。新合约将深化双方在 SiC 材料的长期合作，根据合约内容，Resonac将供应英飞凌未来10年预估需求量中双位数份额的SiC半导体 |
|
以碳化矽技术牵引逆变器 延展电动车行驶里程 (2022.11.14)
半导体技术革命催生了新的宽能隙元件，例如碳化矽（SiC）MOSFET功率开关，使得消费者对电动车行驶里程的期??，与OEM在成本架构下实现缩小里程之间的差距。 |
|
以碳化矽MOSFET实现闸极驱动器及运作 (2022.08.19)
碳化矽MOSFET的驱动方式与传统的矽MOSFET和绝缘闸双极电晶体（IGBT）不同，本文叙述在碳化矽应用进行闸极驱动时，设计人员如何确保驱动器具备足够的驱动能力。 |
|
节能降耗势在必行 宽能隙半导体发展加速 (2022.07.27)
宽能隙半导体拥有许多优势，其节能效果非常出色。
碳化矽和氮化??两种技术各有特点，各自的应用情境也有所不同。
宽能隙技术已经催生出一系列相关应用，协助达成碳中和的企业目标 |
|
东芝新款碳化矽MOSFET双模组适用于工业设备 (2022.01.27)
东芝(Toshiba)推出两款碳化矽(SiC)MOSFET双模组：额定电压为1200V、额定漏极电流为600A的MG600Q2YMS3；额定电压为1700V、额定漏极电流为400A的MG400V2YMS3。此为东芝首款具有此类电压等级的产品，与之前发布的MG800FXF2YMS3共同组成1200V、1700V和3300V元件的阵容 |
|
贰陆公司（II-VI）以购并、协议串接垂直供应链 (2021.11.22)
美国雷射光学元件设计制造商贰陆公司（II-VI）是全球第一家试制并发表8吋SiC基板的公司，甚至还自行开发SiC长晶等设备。台湾在化合物半导体的应用仍在萌芽阶段，初期若也能同步发展设备与制程，将可带动效益倍增 |
|
意法半导体收购Norstel AB 强化碳化矽产业供应链 (2021.09.03)
碳化矽（SiC）功率半导体市场需求激增，吸引产业链相关企业的关注，国际间碳化矽晶圆的开发，驱使SiC争夺战正一触即发。 |
|
碳化矽迈入新时代 ST 25年研发突破技术挑战 (2021.07.30)
本文探讨碳化矽在当今半导体产业中所扮演的角色、碳化矽的研发历程，以及未来发展方向。以及意法半导体研发碳化矽25年如何克服技术挑战及创新技术的历程。 |
|
Cree谋转型发展碳化矽 独霸SiC晶圆市场 (2021.07.14)
相较于第一代半导体材料的矽（Si）与第二代半导体材料的砷化镓（GaAs），碳化矽（SiC）与氮化镓（GaN）等第三代宽能隙半导体材料拥有高电子迁移率、直接能隙与宽能带等特性 |
|
碳化矽基板及磊晶成长领域 环球晶布局掌握关键技术 (2021.06.18)
在化合物半导体材料领域，环球晶在碳化矽晶片领域的专利布局，着重碳化矽晶片的表面加工方法以及磊晶技术。唯有掌握关键技术、强化供应链及提升半导体晶圆地位，才能够在国际市场上脱颖而出 |
|
Cree | Wolfspeed推出X频段雷达元件系列 提高RF功率性能 (2021.04.20)
碳化矽技术开发大厂Cree | Wolfspeed宣布扩展其无线射频(RF)解决方案阵容，推出四款新型碳化矽基氮化??(GaN-on-SiC)单晶微波积体电路(MMIC)元件，适用於各种脉冲阵列和X频段连续波相位阵列应用，包括船载航海雷达、气象监测雷达和新兴的无人机系统雷达 |
