近年随着电动汽车产业崛起，碳化矽（SiC）功率半导体市场需求激增，吸引产业链相关企业的关注，国际间碳化矽(SiC)晶圆的开发驱使SiC争夺战正一触即发。与矽(Si)相比，碳化矽是具有比矽更宽的能带隙(energy bandgap，Eg)的半导体；再者，碳化矽具有更高的击穿电场 (breakdown electric field，Ec)，因此可被用于制造功率元件应用之电子电路的材料，因为用碳化矽制成的晶片即使厚度相对小也能够经受得起相对高的电压。

表一分别示出了矽和碳化矽的能带隙(Eg)、击穿电场(Ec)和电子迁移率(electron mobility，μ)的值，相较之下显示出碳化矽优异的物理性质。在矽材料已经接近理论性能极限的今天，碳化矽功率元件因其高耐压、低损耗、高效率等特性，能承受非常恶劣的工作条件且耗散功率低，一直被视为「理想功率半导体材料」而备受期待。