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澜起科技与合作夥伴 发布津逮CPU关键技术及商用计画 (2017.12.05)
在第四届世界互联网大会互联网之光博览会首日，澜起科技偕同清华大学及联想数据中心业务集团、百敖软件等津逮生态系统合作夥伴召开发布会，发布了津逮服务器CPU及平台的关键技术、服务器产品商用计划和生态系统 |
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宜扬采用思源Laker客制化数字绕线器系统 (2011.04.18)
思源科技于日前宣布，其Laker 客制化布局自动化系统与Laker客制化数字绕线器，已更深入普及于内存芯片市场。该公司同时表示，宜扬科技 （Eon Silicon Solution Inc.，简称Eon）运用Laker解决方案，布局速度提升了3倍之多，大幅提高其生产力，因而晋身顶尖内存芯片公司之列 |
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Gartner年终体检：2010半导体营收大振31％ (2010.12.10)
2010年的最后一个月份已经悄悄溜走了10个日子，挺过严峻的金融海啸经济衰退期，2010年全球半导体市场重振景气，根据研究机构Gartner统计，全球半导体2010年营收达3,003亿美元，较2009年成长31.5%，对于力抗低迷景气的业者而言，无疑是通过了年终体检、欢庆丰收 |
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海力士高质量内存已采用思源科技软件 (2010.11.07)
思源科技（SpringSoft）于日前宣布，海力士半导体（Hynix）已经在Verdi自动化侦错系统与Laker客制化布局自动化系统上完成标准化。海力士是思源科技的长期客户，部署Verdi软件作为数字设计的侦错平台，也部署Laker软件作为闪存应用的客制化芯片设计平台 |
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金融风暴后 台湾韩国半导体市场复苏最快速 (2010.04.15)
三星（Samsung）与海力士（Hynix）等两家韩国厂商的半导体设备投资正明显增加。根据一份由SEAJ、SEMI及SEMI等单位共同调查的Worldwide SEMS Report报告显示，2010年2月份全球半导体生产设备市场规模由1月份的负成长转变成为正成长，比去年同月（YoY）大幅成长217.1％，比上个（MoM）成长6.6％ |
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尔必达欲收购奇梦达高阶绘图DRAM业务 (2009.08.05)
外电消息报导，日本内存厂尔必达周二（8/4）表示，正与德国奇梦达商谈收购其高阶绘图应用的DRAM业务计划，以加强自身的产品线。
尔必达发言人表示，尔必达与奇梦达最快将于本月达成协议 |
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跌跌不休 Q1内存销售较上季减少18% (2009.05.19)
市场研究公司Gartner于周一（5/18）发表了今年第一季的内存销售报告。报告中显示，第一季全球DRAM的销售收入为35.7亿美元，较去年同期减少41%，是自2001年第四季以来，销售收入最低的一季 |
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Gartner公布08年全球半导体销售 高通成长最快 (2009.04.12)
市场研究公司Gartner日前公布了2008年全球半导体销售报告。报告中显示，2008年全球半导体销售收入为2550亿美元，较2007年减少了5.4%，而英特尔继续依然位居龙头的地位，高通则是成长速度最快的公司 |
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ONFI 2.1标准问世 NAND传输提升至200MB/s (2009.02.11)
开放式NAND闪存接口（ONFI）工作小组今日（2/11）发布了ONFI 2.1版技术规范。ONFI 2.1版本除具备更简化的闪存控制器设计，并将传输性能提升至每秒166MB/s到200MB/s间。目前ONFI工作组已着手制订ONFI 3.0版，预计速度将可达400MB/s |
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iSuppli公布2008年全球前20大半导体商排名 (2008.12.02)
外电消息报导，市场研究公司iSuppli公布了2008年全球前20大半导体商排名。其中英特尔以12.8%的市占率稳坐第一，其次为三星电子的6.7%，第三为德州仪器的4.3%。而在前20大半导体供货商中，内存IC供货商的营收下滑幅度最大，海力士半导体则是表现最差的厂商，其排名下降了三个位置，来到第九名 |
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尔必达DRAM全球占有率可望达到20％ (2008.11.03)
尔必达的DRAM全球占有率在2008年第二季（4～6月）约15％，第三季（2008年10～12月）将达20％。根据iSuppli调查显示，2008年第二季DRAM全球占有率，以营收估算，第一名的三星电子占30.3％，第二名的海力士半导体占19.5％，第三位是尔必达内存占15.4％ |
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提高竞争力 海力士将再关闭一座8吋厂 (2008.10.06)
海力士（Hynix）半导体宣布，将提前关闭生产效率低于12吋晶圆的8吋晶圆厂。而在工厂关闭后，DRAM和NAND闪存的主要生产工作将由12吋晶圆厂负责，此举将有效稳定财务状况并提高收益 |
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海力士打造清州厂为全球第一大NAND内存工厂 (2008.09.04)
海力士半导体位于韩国清州市、支持300mm（12吋）晶圆的新制造生产线M11落成，海力士并邀请当地政府官员等举行完工典礼。
据了解，M11将采用40nm制程，用于生产16Gbit及32Gbit等高密度NAND闪存 |
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海力士选用Blue Coat作网际安全网关的策略控管 (2008.09.03)
广域网应用传输与门道安全维护厂商Blue Coat，日前宣布海力士半导体（Hynix Semiconductor）选择部署Blue Coat ProxySG设备，来维护Web安全、策略控制、并防范有心人士藉由SSL加密信道外泄信息 |
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恒忆与海力士将延长5年NAND Flash合作计划 (2008.08.19)
恒忆（Numonyx B.V.）和海力士半导体（Hynix Semiconductor）日前宣布，将延长两公司在NAND闪存升级产品和技术开发的合作计划。据了解，两公司未来将扩大NAND闪存产品和技术的合作开发范围，并将为加快开发速度而进行经营资源的一体化 |
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2008上半年半导体厂商排名 台积电第五 (2008.08.06)
根据美国市调公司IC Insights调查了2008年上半年半导体厂商的营收排名显示，1～4名分别为Intel、三星、德州仪器和东芝，第5名则是台积电（TSMC）。台积电在前20家厂商中达到最高的35％成长率，排名从去年同期的第6升至第5 |
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三星与海力士共同研发次世代内存技术 (2008.06.26)
外电消息报导，三星电子与海力士半导体于周三（6/25）共同宣布，将合作发展下一代的半导体芯片，并推动450mm的18吋晶圆厂标准。
据报导，三星与海力士共同表示，双方将合作进行旋转力矩转移-磁性随机内存(STT-MRAM)芯片的研发工作，并将致力于使其成为下一代450毫米晶圆的行业标准 |
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传制程有缺陷 三星68奈米DDR2芯片遭退货 (2008.06.22)
有消息指称，继海力士66奈米制程的DRAM生产出现问题后，使用68奈米制程的三星DRAM也在日前传出有技术缺陷，并导致8000万颗1GB的DDR2芯片被客户退货。
据报导，在今年4月时，海力士半导体的66奈米制程因生产良率不高的问题，而导致大批的1GB DDR2晶圆报废 |
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SPMT工作小组 推动新一代内存接口标准 (2008.05.02)
美商晶像、英商安谋、韩国海力士半导体、索尼爱立信行动通讯及法商意法半导体在4月30日宣布组织工作小组，为新世代内存接口技术，建立开放式标准。这项首创的内存标准乃针对动态随机存取内存（dynamic random access memory；DRAM） |
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海力士获Grandis授权 将共同开发STT-RAM技术 (2008.04.10)
南韩海力士半导体（Hynix Semiconductor）宣布，该公司已经与新一代内存STT-RAM（Spin-Transfer Torque RAM）的技术开发商Grandis，签订了STT-RAM的技术授权及共同开发协议。根据协议内容，海力士将从Grandis获得STT-RAM技术授权，未来两公司的研究人员也将在产品开发领域进行合作 |
