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Microchip IGBT 7功率元件组合优化永续、电动出行和资料中心应用设计 (2024.11.13)
因应电力电子系统设计，功率元件不断发展。Microchip推出采用不同封装、支援多种拓扑结构及电流和电压范围的IGBT 7元件组合，具有更高的功率容量、更低的功率损耗和紧凑的元件尺寸，旨在满足永续、电动汽车和资料中心等高增长细分市场的需求 |
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ROHM第4代1200V IGBT实现顶级低损耗和高短路耐受能力 (2024.11.12)
近年来，汽车和工业设备朝高电压化方向发展，市场开始要求安装在车载电动压缩机、HV加热器和工业设备逆变器等应用中的功率元件支援高电压。半导体制造商ROHM针对车载电动压缩机、HV加热器、工业设备用逆变器等，开发出符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101、1200V耐压、实现业界顶级低损耗和高短路耐受能力的第4代IGBT |
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ST推广智慧感测器与碳化矽发展 强化於AI与能源应用价值 (2024.11.11)
面对近年来工业4.0概念持续发展，并加入人工智慧（AI）普及化、节能减碳等热门议题引发关注，意法半导体（ST）也在近期提出包含MEMS感测器和碳化矽（SiC）等高效解决方案，探讨可在边缘AI领域扮演的关键角色，使其更易於普及，让每个人都能受益 |
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国科会新增10项核心关键技术 强化太空、量子、半导体领域保护 (2024.11.03)
为强化国家核心关键技术保护，避免国家安全、产业竞争力及经济发展受损，国科会预告修正「国家核心关键技术项目及其技术主管机关」草案，新增10项太空、量子科技、半导体及能源领域之关键技术，预告期至11月15日止 |
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ROHM的EcoSiC导入COSEL的3.5Kw输出AC-DC电源产品 (2024.10.30)
半导体制造商ROHM生产的EcoSiC产品SiC MOSFET和SiC萧特基二极体（SBD），被日本先进电源制造商COSEL生产的三相电源用3.5kW输出AC-DC电源单元「HFA／HCA系列」采用。强制风冷型HFA系列和传导散热型HCA系列均搭载ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD，实现最大的工作效率（94%） |
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Nexperia的AC/DC反激式控制器可实现更高功率密度 (2024.10.29)
控制器可提高电源效率并降低待机功耗
Nexperia推出一系列新AC/DC反激式控制器，扩展电源IC产品组合。NEX806/8xx和NEX8180x专为基於GaN的反激式转换器而设计，用於PD(Power Delivery)快速充电器、适配器、壁式??座、条形??座、工业电源和辅助电源等设备及其他需要高功率密度的AC/DC转换应用 |
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AI数据中心：节能减碳新趋势 (2024.10.28)
面临GPU及AI资料中心耗费庞大电量，市面上各种冷却散热方案终究是治标不治本，而有国内外电源大厂开始从电网的中载变压器、终端人与物料维运模式溯源减碳的全方位解决方案 |
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DENSO和ROHM针对半导体领域建立战略合作达成协议 (2024.10.24)
近年来电动车的开发和普及进程加速，带动汽车电气化所需的电子元件和半导体的需求也迅速增加。另外，有助交通事故零死亡的自动驾驶和联网车等领域，也离不开半导体的支援，半导体的重要性日益凸显 |
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芯动半导体与ROHM签署车载功率模组战略合作 推动xEV技术创新 (2024.10.11)
随着电动化车款（xEV）市场的不断扩大，对於延长续航里程和提高充电速度的需求也日益提升。而关键元件中的SiC被寄予厚??，并逐渐被广泛应用於核心驱动零件牵引逆变器 |
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意法半导体为电动车牵引变频器打造新一代碳化矽功率技术 (2024.10.08)
全球半导体领导厂商意法半导体（STMicroelectronics；ST）正式推出第四代STPOWER碳化矽（SiC）MOSFET技术。这项新技术不仅满足车用及工业市场的需求，还针对电动车（EV）动力系统中的关键元件牵引变频器进行专门优化，在功率效率、功率密度及稳定性上树立全新的标竿 |
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ASM双腔体碳化矽磊晶平台 满足先进碳化矽功率元件领域需求 (2024.10.07)
ASM 发布了全新PE2O8碳化矽磊晶系统。这款双腔体碳化矽（SiC）磊晶 （Epi）平台旨在满足先进碳化矽功率元件领域的需求，具备低缺陷率、高制程稳定性，成为业界标竿。PE2O8具备更高的产量和较低的拥有成本，促进了碳化矽元件的更广泛应用 |
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数位电源驱动双轴转型 绿色革命蓄势待发 (2024.10.01)
CTIMES日前举办了「数位电源驱动双轴转型：电子系统开发的绿色革命」为主题的东西讲座研讨会，此次会议深入探讨了数位电源技术在推动电子系统开发的双轴转型中的关键作用，即实现更高的能源效率和更快的产品创新 |
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Littelfuse推出高频应用的双5安培低压侧MOSFET栅极驱动器 (2024.09.23)
Littelfuse推出高频应用的双5安培低压侧MOSFET栅极驱动器
Littelfuse推出IX4341和IX4342双5安培低压侧MOSFET闸极驱动器。这些闸极驱动器专为驱动MOSFET而设计，透过增加其馀两个逻辑输入版本完善现有的IX434x驱动器系列 |
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ROHM与UAES签署SiC功率元件长期供货协议 (2024.09.05)
半导体制造商ROHM与中国车界Tier1供应商联合汽车电子有限公司（United Automotive Electronic Systems，UAES）签署了SiC功率元件的长期供货协议。
UAES和ROHM自2015年开始技术交流以来，双方在SiC功率元件的车载应用产品开发方面也建立了合作夥伴关系 |
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ROHM第4代SiC MOSFET裸晶片导入吉利电动车三款主力车型 (2024.08.29)
半导体制造商ROHM内建第4代SiC MOSFET裸晶片的功率模组，成功导入至浙江吉利控股集团（以下称吉利）的电动车（以下称EV）品牌「ZEEKR」的「X」、「009」、「001」三款车型的主机逆变器 |
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意法半导体新款车规直流马达预驱动器可简化EMI优化设计 (2024.08.27)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）新款L99H92车规闸极驱动器提供电流设置和诊断功能所需的SPI埠，还有电荷泵和安全保护功能，新增两个用於监测系统运作状态的电流感测放大器 |
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宜特公布7月合并营收逾3亿元 AI为下半年营运增长的核心驱动力 (2024.08.09)
电子验证分析企业宜特科技今(/9)日公布2024年7月营收报告。2024年7月合并营收约为新台币3.10亿元，较上月减少15.16%，较去年同期增加0.14 %。累计1~7月营收24.33亿元，年增率为7.44% |
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宜特上半年营收新台币21.22亿 积极布局AI验证分析领域 (2024.08.05)
宜特2024年上半年，在AI人工智慧、先进封装、先进制程的布局有成，且子公司宜锦营运渐入隹绩，使得整体营运取得亮眼表现。上半年合并营收21.22亿元，突破二十亿元新台币大关，创历史新高；上半年归属於母公司净利达3.06亿元，税後每股盈馀达4.13元，年增达24.02% |
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开启HVAC高效、静音、节能的新时代 (2024.08.01)
文:本次要介绍的产品，是来自德州仪器（TI）一款业界首创的650V三相智慧功率模组（Intelligent Power Module；IPM）━「DRV7308」，适用於250W马达驱动器应用。 |
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意法半导体於义大利打造世界首座一站式碳化矽产业园区 (2024.06.24)
意法半导体（STMicroelectronics，ST），将於义大利卡塔尼亚打造一座结合8寸碳化矽（SiC）功率元件和模组制造、封装、测试於一体的综合性大型制造基地。透过整合同一地点现有之碳化矽基板制造厂，意法半导体将打造一个碳化矽产业园区，达成在同一个园区内全面垂直整合制造及量产碳化矽之愿景 |
