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LED封装技术及材料发展现况研讨会
 


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開始時間﹕ 十二月十一日(二) 10:00 結束時間﹕ 十二月十一日(二) 17:00
主办单位﹕ 光電科技工業協進會
活動地點﹕ 前瞻管理学院 D01会议室-台北县新店市中兴路3段3号4楼
联 络 人 ﹕ 楊慧卿 小姐 联络电话﹕ (02)2351-4026 分機 810
報名網頁﹕
相关网址﹕ https://www.pida.org.tw/Seminar/Welcome~~.asp?SemiPKcode=1382&ActionYes=Yes

随着LED的性能持续提高,应用市场也随之扩大,隐藏在背后的原因是使用GaN、AllnGaP发光材料的高辉度LED,拥有长寿命、省电、耐震、低电压驱动等优秀的特色,并且近年来陆续被研发出来的高发光效率LED更是超越灯泡和卤素等,因此,面对未来相信高亮度LED的市场发展将会更为快速与广泛。

LED的封装除了保护内部LED芯片之外,还兼具LED芯片与外部电气连接、散热等功能。LED封装必需具备高强度、高绝缘性、高热传导性与高反射性,接合剂的包覆面积与LED芯片的面积几乎相同,因此无法期待水平方向的热扩散,只能寄望于垂直方向的高热传导性。一般认为未来若能提高热传导率低于氮化铝和氧化铝的反射率,对高功率LED的封装材料具有正面帮助。

因此新一代LED封装所使用的材料,也陆续被业者所开发出来,目前最新的封装材料大多都朝向利用硅来制作,对于这些材料的优劣特性,将会在此次的研讨会中,由Dow Corning Toray 新事业・电子材料事业本部研究开发第一部光关连材料Group Leader中田稔树先生,一一详尽分析。

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