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CTIMES / 多元記憶
科技
典故		 第一颗晶体管(Transistor)的由来

第二次世界大战末期，贝尔实验室开始一项研究计划，目标是研发出一种体积更小、功能更强大、更快速且可靠的装置来取代真空管。1947年12月23日，由贝尔实验室研发的晶体管取代了真空管，优点是体积更小、更可靠、且成本低廉，不仅孕育了今日遍及全球的电子半导体产业，同时也促成电讯计算机业、医学、太空探测等领域产生戏剧性的改变。
成大研发光控多位元记忆材料 登上国际顶尖期刊Nature Materials (2019.05.22)
成大物理系杨展其助理教授与陈宜君教授带领研究团队，研发出相当罕见的光调控多元记忆材料━铁酸铋（BiFeO3），其特殊性在於一个储存单元可以含有高达8种排列组合的记忆状态，颠覆现行电脑一个储存单元只有0与1两种状态的限制

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