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ADI新型Easy Drive SAR ADC系列简化设计 (2022.05.04)
为了加快产品系统设计周期，美商亚德诺（ADI）推出新一代16至24位元超高精度逐次渐近暂存器（SAR）类比数位转换器（ADC）系列产品，可简化在仪器仪表、工业和医疗健康应用领域中复杂的ADC设计 |
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非挥发性记忆体暂存器：新一代数位温度感测器安全性和可靠性大跃进 (2019.11.15)
本文介绍数位输出（I2C协定）温度感测器中包含的内部用户可程式化设定的暂存器，以及如何使用内建非挥发性记忆体暂存器的数位温度感测器应对这一领域常见的设计挑战 |
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凌力尔特具微微安培输入的缓冲型18位元8通道ADC可缩小解决方案尺寸 (2017.04.18)
亚德诺半导体 (Analog Devices, Inc.，ADI) 旗下的凌力尔特日前推出 18 位元8 通道同时采样逐次渐近暂存器 (SAR) ADC LTC2358-18。该元件内建微微安培(picoamp)输入缓冲器，在电路板空间有限的现状下，LTC2358-18 透过去除通常在驱动非缓冲型开关电容器ADC 输入时所需的前端讯号处理电路，大幅节省了空间和成本 |
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使用Microchip的CIP来实现线性回授移位暂存器LFSR (2016.12.30)
使用Microchip的CIP (Code Independent Peripherals) 来实现线性回授移位暂存器LFSR |
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凌力尔特发表具数位滤波和 1Msps 无延迟输出的 32 位元 SAR ADC (2016.08.03)
凌力尔特 (Linear) 日前发表超高精度 32 位元逐次渐近暂存器 (SAR)类比数位转换器 (ADC) LTC2508-32。许多高性能应用(包括资料撷取、工业控制和医疗仪器)要求高准确度和速度，这通常是透过在同一个系统中采用高解析度ΔΣ ADC 和一个高速SAR ADC 来实现 |
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新型dsPIC33EP装置提升数位电源供应器的回路增益效能 (2016.04.14)
Microchip dsPIC33EP ‘GS’系列数位讯号控制器引进可缩短线性差分方程式的执行时间和降低整体系统延迟的全新功能。 |
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凌力尔特24位元2Msps SAR ADC可达到145dB 动态范围 (2015.11.10)
凌力尔特（Linear）日前发表突破性的无延迟24位元2Msps连续渐进暂存器（SAR）类比数位转换器（ADC）LTC2380-24。 LTC2380-24内建数位滤波器，可即时平均1至65,536的转换结果，将动态范围由1.5Msps 的101dB大幅改善为30.5sps 输出资料传输率的145dB，使其适合对于动态范围具备严苛要求的地震及医疗等众多应用领域 |
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凌力尔特推出15Msps、18位元无延迟SAR ADC (2015.10.01)
凌力尔特（Linear）日前发表超快速15Msps、18位元连续渐进暂存器（SAR）类比数位转换器（ADC）LTC2387-18，元件具备无周期延迟以及无管线延迟。 LTC2387-18可数位化宽频类比讯号达奈奎斯特频率，具有非常低失真 |
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凌力尔特八信道同步取样ADC 具备18位及弹性化效能 (2015.06.15)
凌力尔特（Linear）日前发表18位、8信道同步采样逐次渐进缓存器（SAR）ADC LTC2348-18，当以每信道200ksps的吞吐量转换八个信道时，每个SoftSpan输入可根据逐步转换（conversion-by-conversion）的基础独立配置，以接受+/-10.24V、0V至10.24V、+/- 5.12V或0V至5.12V的讯号 |
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Atmel推出新系列宽Vcc范围、低功耗温度传感器 (2014.12.01)
Atmel公司推出高精度数字温度传感器，它们提供目前最大的Vcc范围：1.7V－5.5V。新系列传感器不仅具备更高的测温精度，而且其内置的非易失性缓存器和串行EEPROM内存还提供更快的I2C总线通讯速度，使它们适合于物联网、消费电子、工业、计算机和医疗等应用 |
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IDT推出支持DDR3内存模块的低电压缓存器 (2008.07.25)
IDT(Integrated Device Technology)宣布推出第一个能够为高效能服务器和工作站提供标准与低电压作业支持的暂存频率驱动器(registered clock driver)。IDT DDR3缓存器的设计目的是为了协助降低服务器群集和数据中心的功耗与散热成本 |
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Linear发表一款12位连续渐进缓存器 (2008.05.07)
凌力尔特(Linear)发表一款12位连续渐进缓存器(SAR)ADC LTC2366，其能透过6及8接脚TSOT-23封装达到3Msps之数据输出率。LTC2366可操作于单一2.35V至3.6V供应范围，并于最大输出率时只耗7.2mW，相较于最接近的竞争产品，其可节省20%之功率 |
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TI发表新量产、具锁相回路的DDR3缓存器 (2008.04.28)
德州仪器(TI)发表量产、具有锁相回路(PLL)的DDR3缓存器，该组件为针对附带缓存器的双线内存模块 (RDIMMs)所设计，并且可透过固定的频率以及输出延迟来消除对电压与温度变化的影响，使系统更具稳定性 |
