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革新闪存迈出下一步 (2008.11.05) 市场对于主流非挥发性内存、特别是NAND Flash独立储存应用仍有广大需求动能,短期内市场对NAND Flash及SSD的发展规模渐趋保守,长期发展前景仍旧维持审慎乐观。NAND Flash在奈米微缩可扩充能力(Scalability)、储存覆写次数耐久性(Endurance)和数据保存能力(Data Retention)的局限,使其面临技术上和经济上必须革新的关键 |
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海力士获Grandis授权 将共同开发STT-RAM技术 (2008.04.10) 南韩海力士半导体(Hynix Semiconductor)宣布,该公司已经与新一代内存STT-RAM(Spin-Transfer Torque RAM)的技术开发商Grandis,签订了STT-RAM的技术授权及共同开发协议。根据协议内容,海力士将从Grandis获得STT-RAM技术授权,未来两公司的研究人员也将在产品开发领域进行合作 |
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非挥发性内存的竞合市场 (2007.10.24) 内存本身就具有通用与中介的性质,所以发展出来的各类内存组件,多能通用于不同系统之间。新一代的内存为了更通用之故,所发展的都是非挥发性的内存,这样才能既做为系统随机存取之用,又能组成各类的储存装置,例如嵌入在便携设备中的储存容量、弹性应用的记忆卡或固态硬盘等 |
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检视STT-RAM记忆体应用优势 (2007.10.19) 旋转力矩转移随机存取记忆体(STT-RAM)是一种透过自旋电流移转效应所开发而出的新记忆体技术,属于非挥发性记忆体的一种,其应用优势包括无限次数的读写周期、低耗电,以及运算速度更快等,更适合嵌入式设计应用 |