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Vishay推出新型20Vp信道TrenchFET功率MOSFET (2008.06.20) Vishay Intertechnology, Inc.推出新型20Vp信道TrenchFET功率MOSFET,该器件采用MICRO FOOT芯片级封装,具有业界最小占位面积以及1.2 V时业界最低的导通电阻。
凭借1.2mm×1.0mm的超小占位面积,Si8445DB比业界大小仅次于它的器件小20%,同时具有0.59mm的相同超薄浓度 |
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安森美 Siliconix达成硅智产组件交换许可协议 (2000.07.25) 安森美半导体(ON Semiconductor)宣布,该公司与Vishay Intertechnology的子公司Siliconix达成一项应用于电源管理产品的全面性硅智产组件(Intellectual Property, IP)交换许可协议。Siliconix提供给安森美半导体的重要硅智产为TrenchFET(晶体管技术以及BCDMOS模拟处理技术) |
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