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TrendForce：三星跳电 第一季DRAM合约价起涨 (2020.01.09)
根据TrendForce记忆体储存研究(DRAMeXchange)最新调查，随着近一个月来DRAM现货价格持续走扬，加上2019年12月31号三星华城厂区发生跳电，虽然整体记忆体的供给并没有因此事件受到重大影响，但观察到各产品别买方备货意愿进一步增强 |
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美光DDR5推动资料中心效能大跃进 记忆体效能提升85% (2020.01.09)
美光科技宣布，其DDR5暂存器记忆体模组（RDIMM）已进入样品测试阶段，该产品采用了具业界领先地位的1znm制程技术，是目前DRAM产品中具备最先进的技术产品。美光DDR5将提升记忆体效能85%，并能因应次世代伺服器的工作负载量 |
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TrendForce：2020年第一季绘图用记忆体价格快速翻涨 (2019.12.26)
根据TrendForce记忆体储存研究(DRAMeXchange)最新调查，2020年第一季除了因1X奈米良率问题导致供货不及，使得伺服器记忆体价格领涨以外，绘图用记忆体价格也快速反转向上。由於绘图用记忆体相较於其他产品类别，属於价格波动明显的浅碟市场，因此在买方积极拉货下，预期价格将较前一季上涨逾5%，涨幅为所有产品中最高 |
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TrendForce：现货急涨 DRAM合约价提前於2020年第一季止跌 (2019.12.16)
根据TrendForce记忆体储存研究(DRAMeXchange)最新调查，DRAM现货价的翻扬，改变了市场氛围。在预期性心理因素下，有利於合约市场中买方的备货意愿提高，目前预估合约价可能提前至2020年第一季止跌 |
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TrendForce：旺季备货需求回温 第三季NAND Flash厂商营收季增10% (2019.11.25)
根据TrendForce记忆体储存研究(DRAMeXchange)调查，2019年第三季NAND Flash产业营收表现，受惠於年底销售旺季以及因应美中贸易冲突客户提前备货需求增加，激励整体位元出货量成长近15%，另一方面在供应商库存水位改善下，抑制了以低价对Wafer市场倒货的力道，进而带动合约价跌幅收敛，第三季产业营收季成长为10.2%，达到约119亿美元 |
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TrendForce：采购力道回温 DRAM第四季合约价跌幅明显收敛 (2019.11.11)
根据TrendForce记忆体储存研究(DRAMeXchange)最新调查，第四季DRAM均价相较前一季仍小幅下跌，但跌幅已缩小至约5%。10月交易量与先前季度的首月相比明显放大，显示买方购货的意愿逐渐增强 |
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三星发表12层3D-TSV封装技术 将量产24GB记忆体 (2019.10.07)
三星电子今日宣布，已开发出业界首个12层的3D-TSV（Through Silicon Via）技术。此技术透过精确的定位，把12个DRAM晶片以超过6万个以上的TSV孔，进行3D的垂直互连，且厚度只有头发的二十分之一 |
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TrendForce：DRAM八月合约价格止跌 九月持平可能性高 (2019.09.30)
TrendForce记忆体储存研究(DRAMeXchange)表示，八月DRAM合约价与前月持平，DDR4 8GB均价来到25.5美元，而九月合约价格虽然仍在议定当中，但继续持平的可能性高。
从市场面来观察，随着日本政府批准关键半导体原料出囗，七月开始的日韩贸易问题已正式落幕 |
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TrendForce：紫光DRAM厂预计2021年完工 制程是量产最大挑战 (2019.09.05)
TrendForce记忆体储存研究(DRAMeXchange)表示，紫光集团於8月27日宣布与重厌市政府签署合作协定，并在重厌投资DRAM研发中心与工厂，厂房预定2019年年底动工，并於2021年完工。这显示在福建晋华遭到美国禁售之後，以及在中美贸易摩擦影响下，中国加速自主开发DRAM产品的进程 |
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领先全球 美光宣布量产1z 奈米16Gb DDR4 (2019.08.27)
美光科技今日宣布，成为首家开始使用 1z nm 制程技术量产 16Gb DDR4 产品的记忆体公司。
与上一代 1y nm 节点相比，美光的 1z nm 16Gb DDR4 产品显着提高位元密度、大幅增进效能并降低成本 |
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美光推出16Gb低功率单片记忆体 满足AI边缘和5G应用需求 (2019.08.27)
全球记忆体和储存解决方案商美光科技，今日推出业界最高容量的单片16Gb低功率双倍资料速率4X（LPDDR4X）DRAM。美光的16Gb LPDDR4X能够在单一智慧型手机中提供高达16GB的低功率DRAM （LPDRAM），扩大了公司在目前和次世代行动装置记忆体容量和效能方面的领导地位 |
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TrendForce：第二季DRAM产值季减9.1%，第三季报价仍持续看跌 (2019.08.08)
根据TrendForce记忆体储存研究(DRAMeXchange)调查表示，第二季各产品别的报价走势，除了行动式记忆体产品(discrete mobile DRAM/eMCP)跌幅相对较缓、落在10-20%区间外，包含标准型、伺服器、消费性记忆体的跌幅都将近三成，其中伺服器记忆体因库存情况相对严峻，跌幅甚至逼近35% |
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第三季NAND Flash合约价跌幅收敛，Wafer价格则逆势上扬 (2019.08.05)
根据TrendForce记忆体储存研究(DRAMeXchange)调查指出，7月各类产品合约价已出炉，整体而言合约价仍趋向走跌，但受到东芝跳电对产出直接冲击，导致主流产品价格跌幅收敛 |
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TrendForce : 旺季市场回温有限 第三季行动记忆体价格跌幅仍逾10% (2019.07.30)
根据TrendForce记忆体储存研究(DRAMeXchange)调查表示，第三季智慧型手机市场旺季需求增长幅度趋缓，不如以往旺季动辄10%以上的季成长表现，预估今年智慧型手机生产总量仍较去年衰退近5% |
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应用材料实现物联网与云端运算适用的新型记忆体技术 (2019.07.23)
应用材料公司因应物联网 (IoT) 和云端运算所需的新记忆体技术，推出创新、用於大量制造的解决方案，有利於加快产业采纳新记忆体技术的速度。
现今的大容量记忆体技术包括 DRAM、SRAM 和快闪记忆体，这些技术是在数十年前发明，已广为数位装置与系统所采用 |
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TrendForce：紫光正式进军DRAM产业 中国再启DRAM自主开发之路 (2019.07.01)
TrendForce旗下记忆体储存研究(DRAMeXchange)表示，紫光集团於6月30日正式发文公告筹组DRAM事业群，由曾任工信部电子信息司司长的刁石京担任事业群董事长，而执行长由高启全担任 |
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TrendForce：市场不确定性攀升 第三季NAND Flash价格难反弹 (2019.06.20)
根据TrendForce记忆体储存研究（DRAMeXchange）调查指出，随着中美贸易争端升温，2019年智慧型手机及伺服器的需求量将低於原先预期，加上CPU缺货问题仍对笔记型电脑出货略有影响，导致eMMC/UFS、SSD等产品第三季旺季出货量恐不如预期，合约价跌势难止 |
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中国IC自制计画来势汹汹 IC Insights对成果持疑 (2019.06.14)
随着中美关税和贸易日趋紧张，中国政府和厂商更坚定要让中国IC产业快速有效地成长，以削弱当前对美国和其他西方国家产出之IC零件的依赖性。就记忆体IC市场来说，一些头条和报告已宣称中国「势不可挡」，将追上三星、SK海力士和美光的产量和技术水准，但IC Insights认为现实可能不是如此 |
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中美贸易战与华为事件Q3 DRAM价格跌幅将扩大至15% (2019.06.09)
TrendForce旗下记忆体储存研究(DRAMeXchange)指出，受到美国禁用华为事件持续发酵，华为智慧型手机以及伺服器产品在未来的两至三个季度恐将持续遭受严重的出货阻碍，冲击下半年DRAM产品的旺季需求与价格落底时间 |
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[COMPUTEX] 美光助拳AI运算 持续深耕记忆体与储存技术 (2019.05.29)
针对越来越吃重的数据储存与运算需求，美光（Micron）今日指出，在资料为王的今日，数据几??就是全球的货币，而记忆体和储存技术对於建构更好的AI架构有着关键性的影响 |
OASIS是一个非营利的机构，其作用在于发展、整合，以及统一世界各地电子商业所需要的专用标准。OASIS并制定出全球电子商业的安全标准、网络服务、XML的标准、全球商业的流通，以及电子业的出版。
