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Diodes初级侧转换器降低电源大小及成本暨提升效能 (2014.12.05)
Diodes公司推出脱机式初级侧开关控制器AP3988，旨在为充电器、ADSL转接器和家电电源降低成本，以及提升电源效能。新组件提供初级侧控制，不需光耦合器和二次侧控制电路，从而减少组件数量，以及节省电路板空间和成本 |
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美高森美太空产品长期促动罗塞塔号探测器任务 (2014.12.03)
美高森美太空产品逾一万五千个部署于长达十年的罗塞塔号探测器任务
美高森美公司（Microsemi）祝贺欧洲太空总署（ESA）、美国国家航空暨太空总署（NASA）和其合作伙伴的罗塞塔号（Rosetta）探测器成功达到了观测67P/Churyumov-Gerasimenko彗星的任务目标 |
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意法半导体RF晶体管高电压新技术 实现高可靠度E级工业电源 (2014.11.05)
意法半导体600W－250V 的13.6MHz RF功率晶体管STAC250V2-500E拥有先进的稳定性和高功率密度。采用热效率（thermally efficient）极高的微型封装，可用于高输出功率的Ｅ级工业电源 |
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用于电讯及医疗电源等应用的返驰/升压稳压器 (2014.10.17)
如今，在电讯及网路等应用中，广泛采用分布式电源架构，使电源供应尽可能地贴近负载，从而为系统中的不同负载供电，并提供更高的可靠性、弹性及散热性能。安森美半导体为这些应用提供宽广范围的分布式电源方案，其中既包括隔离型方案，也包括非隔离方案 |
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宜普300 V氮化镓功率晶体管因应高频应用需求 (2014.10.03)
宜普公司为功率系统设计师提供一种上升时间为2奈秒(ns)并面向高频直流-直流转换器及医疗诊断仪器的300 V氮化镓场效应功率晶体管(EPC2025)。
宜普电源(EPC)推出300 V功率晶体管(EPC2025),可用于需要高频开关的应用,从而实现更高效率及更高功率密度 |
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Diodes稳压器晶体管提升48V电路系统功率密度 (2014.08.21)
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 为网络、电信和以太网络供电 (Power over Ethernet，简称PoE) 设备内的48V电路推出可有效节省空间的高压线性稳压器晶体管ZXTR2000系列。
这些稳压器晶体管将几个分立部件单片式地整合到超薄PowerDI5及较高功耗的TO252 (DPAK) 封装，使设计人员得以提高48V直流一次侧和风扇控制应用的功率密度 |
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重回签核战场 Cadence力推晶体管电性测试方案 (2014.08.08)
尽管EDA（电子设计自动化）大厂近年来持续致力于先进制程的开发工具的开发再辅以不断强化IP阵容的作法，这有助于缩短SoC（系统单芯片）的开发时程，但事实上，综观终端系统设计，混合讯号与模拟电路仍然是不可或缺的一环，身为EDA大厂之一的Cadence（益华计算机）仍然相当关注该领域的工具研发 |
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宜普电源转换公司推出采用高频氮化镓场效应电晶体 (2014.07.01)
由于氮化镓场效应电晶体具备卓越性能例如低输出电容、低输入电容、低寄生电感及尺寸短小，它是高度谐振并符合Rezence (A4WP)规格的无线电源传送系统的理想器件，可提高该系统的效率 |
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宜普展示采用氮化镓场效应晶体管可提高无线电源传送应用的效率达20% (2014.03.17)
硅基增强型功率氮化镓(eGaN)功率晶体管之全球领导厂商宜普电源转换公司将于亚太区业界技术研讨会进行三场技术演讲。
于3月18日在中国上海举行的两场业界研讨会中，宜普公司技术专家将与您分享更高效的氮化镓（GaN）功率器件如何替代陈旧的硅MOSFET器件，并如何在无线电源传送（WiPo）应用取得更高性能 |
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恩智浦推采用1.1-mm2无铅塑料封装3 A晶体管 (2013.10.31)
恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)近日推出首款采用1.1-mm x 1-mm x 0.37-mm超薄DFN（分立式扁平无引脚）封装的晶体管。全新产品组合由25种组件组成，其中包括低RDson MOSFET以及可将电流能力最高提升至3.2 A的低饱和通用晶体管 |
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英飞凌扩展射频产品，推适用 UHF TV 功率放大器新型晶体管 (2013.10.16)
英飞凌科技股份有限公司今日推出专为 UHF TV 广播发射器设计的 50V LDMOS 晶体管，其中包括一款为市面上针对该应用提供最高功率峰值输出的产品。在整个 470 – 806 MHz TV 广播频带提供更高的功率输出，让放大器设计人员可选择使用更少的晶体管达成目标输出功率，进而减少组件数量降低成本，并以更简单的设计提升可靠性 |
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美高森美750W GaN on SiC RF功率晶体管 为航空提供无与伦比的高功率性能 (2013.10.01)
美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出新型750W RF晶体管，扩展其基于碳化硅(silicon carbide, SiC)衬底氮化镓(gallium nitride, GaN)高电子移动率晶体管(high electron mobility transistor, HEMT)技术的射频(radio frequency, RF)功率晶体管系列之阵容 |
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Mouser 供货罗姆推出的全球最小晶体管 (2013.08.14)
Mouser Electronics 宣布开始供应罗姆半导体(ROHM Semiconductor)的全球最小晶体管封装，该产品适用于轻薄短小的便携设备。
罗姆半导体超精巧MOSFET 与双极性晶体管采用市场上尺寸最小的晶体管封装，并已针对轻薄短小的便携设备进行优化 |
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Diodes推出业界最小双极晶体管 (2013.08.06)
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出业界第一款采用DFN0806-3 微型封装的小讯号双极晶体管。这些组件的面积只有 0.48mm2，离板厚度仅0.4mm，面积比采用DFN1006、SOT883和SOT1123封装的同类型组件还小20% |
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Agilent与NXP合作展示高功率晶体管及仿真方案 (2011.11.08)
安捷伦科技（Agilent）与NXP半导体于日前共同宣布，将针对安捷伦的非线性向量网络分析仪（NVNA）已在欧洲微波周中提供现场展示。该NVNA必须在安捷伦的PNA-X系列网络分析仪上执行，在这次的展示中，被用来对NXP专为2.45 GHz ISM频带应用而设计的高功率LDMOS晶体管进行特性描述 |
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意法半导体推出新系列射频功率晶体管 (2011.10.06)
意法半导体（STMicroelectronics）今（5）日发表，推出新系列射频（RF）功率晶体管。新系列产品采用先进技术，为政府通讯、用于紧急救援的专用行动无线电系统（private mobile radio，PMR）以及L波段卫星上连（L-band satellite uplink）设备等要求苛刻的重要应用领域提高无线通信系统的性能、稳健性及可靠性 |
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Diodes迷你型SOT963封装产品问世 (2010.08.19)
Diodes近日宣布，推出采用超小型SOT963封装的双极晶体管（BJT）、MOSFET和瞬态电压抑制（TVS）组件，适合低功耗应用，Diodes SOT963的布局面积只有0.7平方毫米，比SOT723封装少30%，较SOT563封装少60% |
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Diodes新型双极晶体管提升电源管理电路效率 (2010.08.16)
Diodes公司于日前宣布，推出了新型的20V NPN和PNP双极晶体管，它们采用超威型的DFN1411-3表面黏着封装，能够大幅提升电源管理电路的功率密度和效率，并且采用了Diodes的第五代矩阵射极双极制程来进行设计 |
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恩智浦半导体标准产品展现绝佳性能 (2010.06.02)
恩智浦半导体(NXP Semiconductors) 今年首度展出全系列「高性能混合讯号(High Performance Mixed Signal)」技术的多款创新设计与解决方案。整合模拟与数字技术的优势，让高性能混合讯号技术与标准产品相结合，在瞬息万变的市场中，提供更多样化的产品选择 |
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工研院成功研发4.7吋主动式晶体管印刷技术 (2008.11.14)
工研院在新竹国宾饭店的「2008软性电子暨显示技术国际研讨会」中，展出已测试完成的可弯曲4.7吋主动式有机薄膜晶体管，让可弯曲、折迭、易携带的软性显示器商品在未来生活实现 |
ACPI规格让操作系统、中央处理单元与接口设备三方面整合起来，互相交换电源使用讯息，更加简便而有效益地共同管理电源。
